【技术实现步骤摘要】
一种防单向IO口电源倒灌电路
本专利技术属于电路保护
,具体是涉及一种防单向IO口电源倒灌电路。
技术介绍
现有的一些低功耗电路中,通常会把一部分电路的电源直接切断来达到最大化节省能耗,但是现在的IC端口都内部设计有防静电保护电路(如图1所示,这与其他双极晶体管、MOS管、SCR等内部保护电路类似,当芯片引脚的电压大于输入电压VDD时,会从芯片引脚通过保护器件到VDD形成导电通路),由于芯片的功耗往往都比较低,只要将芯片引脚(IO口)接到通电电路的高电平上,就有可能从IO口输入高电平,然后经上拉的二极管到电源,使芯片间歇性或持续性工作,造成整机电路工作不正常或相应功能完全失效。
技术实现思路
本专利技术主要是解决上述现有技术所存在的技术问题,提供一种防单向IO口电源倒灌电路。本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:一种防单向IO口电源倒灌电路,包括设于两个电路之间的防倒灌保护电路,其中一个所述电路的IO口供电电源的电压大于等于另一个所述电路的IO口供电电源的电压时,其中一个 ...
【技术保护点】
1.一种防单向IO口电源倒灌电路,其特征在于,包括设于两个电路之间的防倒灌保护电路,其中一个所述电路的IO口供电电源的电压大于等于另一个所述电路的IO口供电电源的电压时,其中一个所述电路的输出端通过防倒灌保护电路与另一个所述电路的输入端电性连接,另一个所述电路的输出端通过防倒灌保护电路与其中一个所述电路的输入端电性连接。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种防单向IO口电源倒灌电路,其特征在于,包括设于两个电路之间的防倒灌保护电路,其中一个所述电路的IO口供电电源的电压大于等于另一个所述电路的IO口供电电源的电压时,其中一个所述电路的输出端通过防倒灌保护电路与另一个所述电路的输入端电性连接,另一个所述电路的输出端通过防倒灌保护电路与其中一个所述电路的输入端电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种防单向IO口电源倒灌电路,其特征在于,其中一个所述电路的IO口供电电源为开启,另一个所述电路的IO口供电电源为开启或关闭,所述防倒灌保护电路包括二极管D1、电阻R1、电阻R3、电阻R5和三极管Q1,所述二极管D1的负极接其中一个所述电路的输出端,所述二极管D1的正极分别接电阻R1的一端和另一个所述电路的输入端,所述电阻R1的另一端接另一个所述电路的IO口供电电源,所述电阻R3的一端接另一个所述电路的IO口供电电源,所述电阻R3的另一端接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的发射极接另一个所述电路的输出端,所述三极管Q1的集电极分别接电阻R5的一端和其中一个所述电路的输入端,所述电阻R5的另一端接其中一个所述电路的IO口供电电源。
3.根据权利要求2所述的一种防单向IO口电源倒灌电路,其特征在于,所述防倒灌保护电路还包括电阻R2,所述二极管D1的负极通过电阻R2与其中一个所述电路的输出端电性连接,或者所述二极管D1的正极通过电阻R2与另一个所述电路的输入端电性连接。
4.根据权利要求2所述的一种防单向IO口电源倒灌电路,其特征在于,所述防倒灌保护电路还包括电阻R6,所述三极管Q1的发射极通过电阻R6与另一个所述电路的输出端电性连接,或者所述三极管Q1的集电极通过电阻R6与其中一个所述电路的输入端电性连接。
5.根据权利要求2所述的一种防单向IO口电源倒灌电路,其特征在于,所述防倒灌保护电路还包括电阻R4,所述电阻R4的一端分别接电阻R3的另一端和三极管Q1的基极,所述电阻R4的另一端接地。
技术研发人员:郑冬青,李阳,钟玲祥,江琦,
申请(专利权)人:浙江阳光美加照明有限公司,浙江阳光照明电器集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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