异形碲锌镉晶片轮廓修磨倒角方法技术

本发明专利技术公开了一种异形碲锌镉晶片轮廓修磨倒角方法，在异形碲锌镉晶片修磨倒角工艺过程中存在的研磨工序耗时长和生产效率低的技术问题。本发明专利技术通过大量工艺试验，得到研磨碲锌镉晶片的进给量与崩边长度的关系，从而求取一个最优解，在研磨外圈的时候，每次进给量1.5毫米，研磨中间两圈的时候每次进给0.8毫米，研磨最内两圈的时候每次进给0.5毫米，这样就可以减少研磨的圈数，提高研磨效率；在研磨每一圈的时候，通过视觉系统进行分析处理，计算出砂轮与产品哪些地方能够接触，哪些地方不能够接触，不能够接触到的地方就控制研磨系统快速旋转，即将到达接触的地方时提前减速，这样就提高了研磨的效率，同时保证了研磨的质量。

The method of profile grinding and chamfering for special-shaped CdZnTe wafer

【技术实现步骤摘要】
异形碲锌镉晶片轮廓修磨倒角方法
本专利技术涉及一种异形晶片轮廓修磨倒角的方法，特别涉及一种对沿晶向将柱状晶体切割成的异形碲锌镉晶片的轮廓进行修磨倒角的方法。
技术介绍
碲锌镉（CdZnTe）晶体是一种重要的功能晶体材料，由于其具有优异的性能，广泛应用于国防军工、信息、微电子和光电子等尖端
，CdZnTe晶体的另外一个用途是作为红外光学晶体碲镉汞薄膜生长的外延衬底；CdZnTe晶体具有脆性大和硬度低的特性，属于各向异性软脆性功能晶体材料；CdZnTe晶体的生产过程是：先在铸锭炉内培养生长出柱状晶体，然后，沿晶向将柱状晶体切割成片状晶片，由于晶体所生长的晶向不规则，切割得到的片状晶片是多样的和不规则的，需要对得到的片状晶片的尖角及轮廓进行修磨，以防其在后续抛磨工艺中，在片状晶片的尖角处和轮廓边棱处出现应力集中的现象，导致片状晶片在抛磨中碎裂；片状晶片经轮廓修磨和倒角后形成了取料毛坯晶片，在取料毛坯晶片上切割取出产品晶片。将片状晶片加工成取料毛坯晶片是通过轮廓修磨倒角机上进行的，现有的倒角设备是先对不规则的片状晶片进行轮廓识别，识别出它本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异形碲锌镉晶片轮廓修磨倒角方法，当修磨倒角机，沿计算机设计好的修磨倒角轮廓轨迹，对异形碲锌镉晶片进行修磨倒角时，是由外向内逐层修磨倒角的，是经历5个完整圈的修磨的，其特征在于以下步骤：/n（1）在研磨外圈的时候，研磨进给量为1.5毫米；研磨中间两圈时，每圈的研磨进给量是0.8毫米；研磨最内两圈的时，每圈的研磨进给量是0.5毫米；/n（2）在研磨每一圈的时候，在旋转吸盘（12）上吸附的异形晶片所行进的修磨倒角轮廓轨迹与异形晶片外轮廓不重合处，计算机控制X向丝杠导轨副（1）和Y向丝杠导轨副（2），以高于研磨行进速度的行进速度移动，在旋转吸盘（12）上吸附的异形晶片所行进的修磨倒角轮廓轨迹与...

【技术特征摘要】
1.一种异形碲锌镉晶片轮廓修磨倒角方法，当修磨倒角机，沿计算机设计好的修磨倒角轮廓轨迹，对异形碲锌镉晶片进行修磨倒角时，是由外向内逐层修磨倒角的，是经历5个完整圈的修磨的，其特征在于以下步骤：
（1）在研磨外圈的时候，研磨进给量为1.5毫米；研磨中间两圈时，每圈的研磨进给量是0.8毫米；研磨最内两圈的时，每圈的研磨进给量是0.5毫米；
（2）在研磨每一圈的时候，在旋转吸盘（12）上吸附的异形晶片所行进的修磨倒角轮廓轨迹与异形晶片外轮廓不重合处，计算机控制X向丝杠导轨副...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵忠志，肖方生，马世杰，岳军，姜志艳，范新丽，任云星，康冬妮，
申请(专利权)人：西北电子装备技术研究所中国电子科技集团公司第二研究所，
类型：发明
国别省市：山西;14