一种六方氮化硼-石墨相氮化碳插层复合材料的制备方法及其应用技术

本发明专利技术属于材料制备技术及其应用研究领域，涉及一种六方氮化硼‑石墨相氮化碳插层复合材料的制备方法及其应用。首先，通过热解法制备了六方氮化硼(h‑BN)，然后通过两步热解制备了石墨相氮化碳(g‑C

Preparation and application of a kind of hexagonal boron nitride graphite phase carbon nitride intercalation composite

【技术实现步骤摘要】
一种六方氮化硼-石墨相氮化碳插层复合材料的制备方法及其应用
本专利技术属于材料制备技术及其应用研究领域，涉及一种六方氮化硼-石墨相氮化碳插层复合材料的制备方法及其应用。
技术介绍
六方氮化硼(h-BN)属于六方晶系，是密度为2.25g/cm3的典型二维体系材料，具有高表面积、机械强度、吸附能力强，且其化学性质非常稳定、耐腐蚀性、耐高温，因此h-BN作为载体被广泛地应用在催化、吸附分离、导热等众多领域内。尤其是环境治理领域内，h-BN纳米片作为催化剂载体，用来处理各类染料、重金属废水。h-BN具有与石墨烯极其相似的层状结构和晶胞参数，因而被称为“白色石墨烯”，其层内部是由硼原子和氮原子交替排列组成无限延伸的六角网格，层间按ABAB……的方式排列。原子层由氮和硼形成的六边形环构成，原子层间由弱的范德华力结合，沿c轴方向键合力小，原子间距较大，层与层之间易于滑动，因此多层六方氮化硼可以剥离为单层或少层。在各类氮化碳中，石墨相氮化碳(g-C3N4)能量最低，最为稳定，由于其与石墨具有相似的层状结构，因此被称为石墨相氮化碳。石墨相氮化碳由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种六方氮化硼-石墨相氮化碳插层复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，硼酸和氮源按照摩尔比为1:10～25的添加量溶于溶剂中，混合搅匀后，干燥并研磨得第一前驱体；/n步骤2，将第一前驱体置于管式炉中，在氮气气氛下，程序性升温至焙烧温度，高温焙烧后，待管式炉降到室温，取出样品，并经酸洗，干燥，研磨得到层数少于5层的白色少层六方氮化硼(h-BN)粉末样品；/n步骤3，少层石墨相氮化碳(g-C

【技术特征摘要】
1.一种六方氮化硼-石墨相氮化碳插层复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，硼酸和氮源按照摩尔比为1:10～25的添加量溶于溶剂中，混合搅匀后，干燥并研磨得第一前驱体；
步骤2，将第一前驱体置于管式炉中，在氮气气氛下，程序性升温至焙烧温度，高温焙烧后，待管式炉降到室温，取出样品，并经酸洗，干燥，研磨得到层数少于5层的白色少层六方氮化硼(h-BN)粉末样品；
步骤3，少层石墨相氮化碳(g-C3N4)的制备
取第二前驱体置于管式炉中，在氮气气氛中程序升温至焙烧温度500～650℃，高温焙烧2～4h，反应结束后，待管式炉降到室温后取出，研磨得到黄色多层石墨相氮化碳(g-C3N4)粉末样品；再将黄色多层石墨相氮化碳粉末样品置于管式炉中，氮气气氛下，程序升温至500～650℃，高温焙烧3～6h后，待管式炉降到室温后取出，酸洗，研磨得到层数少于35层的淡黄色少层石墨相氮化碳(g-C3N4)粉末样品；
步骤4，六方氮化硼/石墨相氮化碳插层复合材料(h-BN/g-C3N4)的制备
将白色六方氮化硼(h-BN)粉末样品与淡黄色少层石墨相氮化碳(g-C3N4)粉末样品按照质量比为1:3～3:1进行混合，再均匀分散在有机溶剂中，超声、离心、干燥，得到六方氮化硼/石墨相氮化碳插层复合材料(h-BN/g-C3N4)。


2.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼-石墨相氮化碳插层复合材料的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：许宝华，吕晓萌，邵守言，谢吉民，朱桂生，陈钢，张素云，黄春霞，
申请(专利权)人：江苏索普集团有限公司，江苏大学，江苏索普工程科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32