【技术实现步骤摘要】
一种用于探测半导体材料X射线性能的装置
本技术涉及一种半导体材料性能探测
，特别涉及一种探测半导体材料X射线性能的装置。
技术介绍
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料能够直接吸收放射性射线，通过光电效应、康普顿散射、电子对产生三种作用方式产生电子-空穴对，它们在外加电场中运动产生探测器的基本电信号，通过对产生的电信号进行采集，即可得到材料相应的开关比，计算材料探测的灵敏度，计算材料的μτ积。但是由于辐射探测需要电流级别很低，产生的弱电流探测极易受外界环境等因素干扰，从而影响探测的准确性。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术目的在于提供一种结构简单，不受外界环境干扰，可以准确探测半导体材料X射线性能的装置。其采用如下技术方案：一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，其包括暗箱和静电计，所述暗箱内设有电磁屏蔽盒，所述电磁屏蔽盒上方设有开口，所述开口上方设有X射线光源，所...
【技术保护点】
1.一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，包括暗箱和静电计，所述暗箱内设有电磁屏蔽盒，所述电磁屏蔽盒上方设有开口，所述开口上方设有X射线光源，所述电磁屏蔽盒内设有PCB板，所述PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，所述第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，所述第一导电胶与第一针脚电连接，所述第二导电胶与第二针脚电连接，所述第一针脚与所述静电计的高压输入口连接，所述第二针脚与所述静电计的信号输入口连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，包括暗箱和静电计，所述暗箱内设有电磁屏蔽盒，所述电磁屏蔽盒上方设有开口，所述开口上方设有X射线光源，所述电磁屏蔽盒内设有PCB板，所述PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，所述第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，所述第一导电胶与第一针脚电连接，所述第二导电胶与第二针脚电连接，所述第一针脚与所述静电计的高压输入口连接，所述第二针脚与所述静电计的信号输入口连接。
2.如权利要求1所述的用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，所述第一针脚或第二针脚还与所述静电计的地线输入口连接。
3.如权利要求1所述的用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，所述PCB板上镀有导电金属层，所述导电金属层与第二导电胶相接触，所述第二针脚与导电金属层电连接。
4.如权利要求1所述的用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，所述暗箱内还设有承载台，所述电磁屏蔽盒设于所述承载台上。
5.如权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王殳凹，陈兰花，梁城瑜，翟富万，程丽葳，王亚星，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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