【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导热性聚硅氧烷组合物
本专利技术涉及导热性聚硅氧烷组合物。
技术介绍
电子设备正在逐年高集成化、高速化,与此相应地,对用于散热对策的散热材料的要求也在日益提高。作为散热材料,多使用加成反应固化型的硅树脂组合物,在电子设备需要进行散热的部位涂布该组合物并使其固化而使用。但是,硅树脂本身无法提高导热性,因此组合使用导热性填充剂。已知:添加二氧化硅粉末、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁等所代表的这类导热性高于成为粘结剂的硅树脂的材料作为导热性填充剂的技术(专利文献1)。为了提高硅树脂组合物的导热性,需要进一步高填充导热性填充剂。但是,其填充性由于流动性恶化等原因而存在极限。因此,已知对导热性填充剂实施表面处理来改善填充性的技术(专利文献2)。另一方面,已知通过对硅树脂组合物添加热解法二氧化硅来赋予触变性、而控制流动性的做法(专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-003831号公报专利文献2:国际公开第2005/030874号专利文献3:日本特开2008 ...
【技术保护点】
1.一种导热性聚硅氧烷组合物,其包含:/n(A)导热性填充剂;/n(B)下述通式(1)所示的硅氧烷化合物;/n(C)下述通式(3)所示的烷氧基硅烷化合物;/n(D)在1分子中含有1个以上的脂肪族不饱和基的聚有机硅氧烷;/n(E)在1分子中具有2个以上的键合于硅原子的氢原子的聚有机氢硅氧烷;及/n(F)铂系催化剂,/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170531 JP 2017-1076071.一种导热性聚硅氧烷组合物,其包含:
(A)导热性填充剂;
(B)下述通式(1)所示的硅氧烷化合物;
(C)下述通式(3)所示的烷氧基硅烷化合物;
(D)在1分子中含有1个以上的脂肪族不饱和基的聚有机硅氧烷;
(E)在1分子中具有2个以上的键合于硅原子的氢原子的聚有机氢硅氧烷;及
(F)铂系催化剂,
式(1)中,
R1:具有碳数1~4的烷氧基甲硅烷基的基团,
R2:下述通式(2)所示的具有硅氧烷单元的基团或碳数6~18的1价烃基,
式(2)中,R4分别独立地为碳数1~12的1价烃基,Y为选自R1、R4及脂肪族不饱和基中的基团,d为2~500的整数,
X:分别独立地为碳数2~10的2价烃基,
a及b:分别独立地为1以上的整数,
c:0以上的整数,
a+b+c:4以上的整数,
R3:分别独立地为碳数1~6的1价烃基或氢原子,
R11eR12fSi(OR13)4-(e+f)(3)
式(3)中,R11独立地为碳数6~18的烷基,R12独立...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹中健治,坂本淳,
申请(专利权)人:迈图高新材料日本合同公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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