半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种实现多个单位晶体管间的最高温度的降低或者温度偏差的减少的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板，具有与由第一方向以及与第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面；多个第一单位晶体管，放大第一频带的第一信号来输出第二信号；以及多个第二单位晶体管，放大第二信号来输出第三信号，主面包括与第一方向平行的第一边，在半导体基板上，在俯视主面时，多个第二单位晶体管在比沿着第一方向的半导体基板的基板中心线靠第一边侧，沿着第二方向排列配置，多个第一单位晶体管被配置成配置有该多个第一单位晶体管的区域的沿着第一方向的第一中心线比配置有多个第二单位晶体管的区域的沿着第一方向的第二中心线远离第一边。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在便携式电话等移动体通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率而使用功率放大电路。在功率放大电路中，为了满足较高的输出功率电平，有使用将并联连接的多个单位晶体管配置于半导体基板的结构(以下，也称为多指结构。)的情况。在多指结构中，根据单位晶体管的配置而在单位晶体管间会产生温度偏差。在这里，一般而言，晶体管具有温度越高，流动越多的电流的温度特性。因此，若在多个单位晶体管间产生温度偏差，则电流集中于温度较高的单位晶体管，在单位晶体管间的电流的流动方式中产生偏差。由此，存在单位晶体管的动作不均匀，输出功率不足，或功率效率恶化，或因在温度较高的单位晶体管中流动较多的电流而单位晶体管热失控并损坏等问题。为了应对该问题，例如在专利文献1中，公开了通过在排列配置的多个单位晶体管的中心附近配置偏置电路所包括的二极管来抑制单位晶体管的热失控的结构。专利文献1：日本特开2017-112588号公报专利文献1所公开的结构具备初级以及后级这2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n半导体基板，具有与由第一方向以及与所述第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面；/n多个第一单位晶体管，对第一频带的第一信号进行放大来输出第二信号；以及/n多个第二单位晶体管，对所述第二信号进行放大来输出第三信号，/n所述主面包括与所述第一方向平行的第一边，/n在所述半导体基板上，/n在俯视所述主面时，所述多个第二单位晶体管在比沿着所述第一方向的所述半导体基板的基板中心线靠所述第一边侧，沿着所述第二方向排列配置，/n所述多个第一单位晶体管被配置成配置有所述多个第一单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第一中心线比配置有所述多个第二单位晶体管的区域的沿着所述第一...

【技术特征摘要】
20180712 JP 2018-1326501.一种半导体装置，具备：
半导体基板，具有与由第一方向以及与所述第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面；
多个第一单位晶体管，对第一频带的第一信号进行放大来输出第二信号；以及
多个第二单位晶体管，对所述第二信号进行放大来输出第三信号，
所述主面包括与所述第一方向平行的第一边，
在所述半导体基板上，
在俯视所述主面时，所述多个第二单位晶体管在比沿着所述第一方向的所述半导体基板的基板中心线靠所述第一边侧，沿着所述第二方向排列配置，
所述多个第一单位晶体管被配置成配置有所述多个第一单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第一中心线比配置有所述多个第二单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第二中心线远离所述第一边。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述半导体基板上，
在俯视所述主面时，所述多个第一单位晶体管配置于包括所述主面的中心的中心区域，
所述多个第二单位晶体管配置于包围所述主面的所述中心区域的周边区域。


3.根据权利要求1或2所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤聪，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP