耐大压降和大纹波电流电容制造技术

本发明专利技术涉及耐大压降和大纹波电流电容，包括化成箔，所述化成箔包括正箔与负箔，所述正箔的制备工艺包括以下步骤：S1.采用中高压腐蚀铝箔，并对中高压腐蚀铝箔进行前处理；S2.使用化成液对中高压腐蚀铝箔进行三级化成处理，化成液温度＜60℃，化成电压为1‑250V，每级化成时间为2‑15min，每级电流密度为1‑5A/m2；S3.将三级化成箔放入75‑85℃纯水中进行煮沸处理，煮沸时间为5‑10min；S4.重复S2步骤对三级化成箔进行五级化成处理；S5.对五级化成箔进行后处理，制得初成品；S6.使用纯水对初成品进行喷淋清洗后置于烘箱烘干，制得正箔成品。本发明专利技术具有提高电容耐大压降与大纹波电流的效果。

【技术实现步骤摘要】
耐大压降和大纹波电流电容
本专利技术涉及电子产品的
，尤其是涉及耐大压降和大纹波电流电容。
技术介绍
化成箔是由特制的高纯铝箔经过电化学或化学腐蚀后，再经过电化成作用在表面形成一层氧化膜后的产物。化成箔按用途可分为正箔与负箔。正箔、负箔以及电解纸是制做电解电容器(也简称为电容)的主要材料，电解电容器作为电子元件的重要元件之一，其数量占整个电容器行业的第二位，仅次于陶瓷电容器，在电子元件产业中有着举足轻重的地位。电解电容器主要用于滤波、能量贮存与转换、讯号旁路、耦合以及控制电路中的时间常数元件等方面。铝电解电容器用中高压化成箔属电子专用材料，是基础产业之一，是中国电子行业的薄弱环节，现已纳入国家重点发展和扶持的产业。高档次中高压化成箔又是中国电子工业代替进口的基础工业关键材料。由于中国生产铝电解电容器用化成箔材料起点较晚，发展较慢，国内产品主要依靠进口，目前国内供不应求，因此生产中高压化成箔产品具有广阔的市场前景。现有技术中的正箔化成时通常生成无定形γ-Al2O3膜，无定形γ-Al2O3膜的特点是均匀，厚度一致，虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.耐大压降和大纹波电流电容，包括化成箔，其特征在于：所述化成箔包括正箔与负箔，所述正箔的制备工艺包括以下步骤：/nS1.采用中高压腐蚀铝箔，并对中高压腐蚀铝箔进行前处理；/nS2.使用化成液对中高压腐蚀铝箔进行三级化成处理，化成液温度＜60℃，化成电压为1-250V，每级化成时间为2-15min，每级电流密度为1-5A/m

【技术特征摘要】
1.耐大压降和大纹波电流电容，包括化成箔，其特征在于：所述化成箔包括正箔与负箔，所述正箔的制备工艺包括以下步骤：
S1.采用中高压腐蚀铝箔，并对中高压腐蚀铝箔进行前处理；
S2.使用化成液对中高压腐蚀铝箔进行三级化成处理，化成液温度＜60℃，化成电压为1-250V，每级化成时间为2-15min，每级电流密度为1-5A/m2；
S3.将三级化成箔放入75-85℃纯水中进行煮沸处理，煮沸时间为5-10min；
S4.重复S2步骤对三级化成箔进行五级化成处理；
S5.对五级化成箔进行后处理，制得初成品；
S6.使用纯水对初成品进行喷淋清洗后置于烘箱烘干，制得正箔成品。


2.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述中高压腐蚀铝箔的制备方法为：先将光箔置于腐蚀液中进行直流电腐蚀处理，腐蚀温度为70-80℃，腐蚀时间为450-550s，所述腐蚀液按质量分数包括以下组分：70-80%的磷酸溶液、3-6%的醋酸溶液、2-7%的硝酸溶液以及0.2%-1%的聚天冬氨酸溶液，余量为水。


3.根据权利要求1所述的耐大压降和大纹波电流电容，其特征在于：所述中高压腐蚀铝箔的厚度为75-120um。

【专利技术属性】
技术研发人员：欧德虎，江国栋，
申请(专利权)人：富之庆电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44