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本发明涉及耐大压降和大纹波电流电容，包括化成箔，所述化成箔包括正箔与负箔，所述正箔的制备工艺包括以下步骤：S1.采用中高压腐蚀铝箔，并对中高压腐蚀铝箔进行前处理；S2.使用化成液对中高压腐蚀铝箔进行三级化成处理，化成液温度＜60℃，化成电压...
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