带取向膜的阵列基板的制造方法和液晶面板的制造方法技术

提供能得到优异的取向限制力的带取向膜的阵列基板的制造方法。带取向膜的阵列基板(21B)的制造方法包含：TFT形成工序，在基板(11B)上形成TFT(14)；像素电极形成工序，在基板(11B)上形成像素电极(15)；取向膜(20)形成工序，以覆盖TFT(14)和像素电极(15)的方式形成取向膜(20)；及摩擦工序，通过第1摩擦辊(32)和第2摩擦辊(33)摩擦取向膜(20)，设置在第1摩擦辊(32)的外周的第1摩擦材料(32B)由与设置在第2摩擦辊(33)的外周的第2摩擦材料(33B)相比弹力、韧性比较强的材质形成，第1摩擦辊(32)和第2摩擦辊(33)均设定为向将基板(11B)推出的方向旋转。

Manufacturing method of array substrate with orientation film and liquid crystal panel

【技术实现步骤摘要】
带取向膜的阵列基板的制造方法和液晶面板的制造方法
本说明书中公开的技术涉及带取向膜的阵列基板的制造方法和液晶面板的制造方法。
技术介绍
在液晶面板中，作为使液晶分子在一对基板之间具有规则性地进行取向的方法之一，例如，用布等摩擦在基板上形成的聚酰亚胺系的取向膜的表面的摩擦法已得到广泛使用。具体而言，已广泛采用如下技术：通过一边使在表面贴有摩擦用的布的辊旋转，一边使该辊与设置有取向膜的基板相对移动，从而进行摩擦。现有技术文献专利文献专利文献1：特开平5-142542号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来，随着重视宽视角特性的IPS、FFS这样的水平取向驱动被广泛展开，基板的凹凸形状变得越来越复杂，通过现有的摩擦法，难以进行没有不均的均匀的取向处理。特别是，在一对基板之中的形成许多TFT(薄膜晶体管)、像素电极等的阵列基板中，存在如下问题：由于复杂的凹凸形状而摩擦布无法充分地到达凹凸的各个角落，在完成的液晶面板中，难以得到维持夹持在基板间的液晶的初始取向状态的充分的取向限制力。在阵列基板中，与作为一对基板之中的另一个基板的CF基板不同，由于形成像素电极，取向限制力是特别重要的。另外，如果为了进行充分的取向处理而以强的压入量进行摩擦，则会产生取向膜的削屑、绒头碎屑这样的异物增加的问题。而且，还会产生由阵列基板的图案转印引起的取向紊乱、条纹不均这样的问题。这样的异物增加、取向紊乱、条纹不均的产生会导致成品率下降。鉴于上述情况，本说明书中公开的技术的目的在于，提供一种在具有复杂的凹凸形状的阵列基板中能够实现高的取向限制力和成品率的带取向膜的阵列基板的制造方法。另外，本说明书中公开的另一技术是使用通过上述带取向膜的阵列基板的制造方法制造的阵列基板的、能够实现高的取向限制力和成品率的液晶面板的制造方法。用于解决问题的方案(1)本说明书中公开的技术是一种带取向膜的阵列基板的制造方法，至少包含：薄膜晶体管形成工序，在基板上形成薄膜晶体管；像素电极形成工序，在上述基板上形成像素电极；取向膜形成工序，以覆盖形成在上述基板上的上述薄膜晶体管和上述像素电极的方式形成取向膜；以及摩擦工序，通过具有与上述基板平行的旋转轴的圆柱状的第1摩擦辊和第2摩擦辊按顺序摩擦上述取向膜，设置在上述第1摩擦辊的外周的第1摩擦材料由与设置在上述第2摩擦辊的外周的第2摩擦材料相比弹力、韧性比较强的材质形成，上述第1摩擦辊和上述第2摩擦辊均设定为向将上述基板朝向该基板相对前进的方向推出的方向旋转。根据上述构成，对于形成有薄膜晶体管、像素电极以及覆盖它们的取向膜的基板，首先，通过在外周设置有弹力、韧性比较强的第1摩擦材料的第1摩擦辊进行摩擦，从而能够在大范围内显现出取向所需要的适当的取向限制力。在此基础上，接着，当通过在外周设置有弹力、韧性比较弱的第2摩擦材料的第2摩擦辊进行摩擦时，第2摩擦材料不仅能够到达由第1摩擦辊进行了摩擦的区域还能够到达未能被第1摩擦辊摩擦到的复杂的凹凸的各个角落来进行摩擦。另外，通过第2摩擦材料同时能够除去由于第1摩擦辊的摩擦导致起尘而产生的异物。因此，能得到阵列基板整体上没有不均的优异的取向限制力，并且成品率提高。另外，此时，通过使第1摩擦辊和第2摩擦辊的旋转方向统一为向将基板朝向该基板相对前进的方向推出的方向旋转，能得到更高的取向限制力。这是由于，通过这样而能得到协同效果，与使一对摩擦辊的旋转方向相反的情况相比，取向处理效果进一步变大。(2)也可以是，在上述(1)的构成中，第1摩擦材料为棉，第2摩擦材料为人造丝。(3)也可以是，在上述(1)或(2)的构成的基础上，摩擦工序中的第1摩擦辊和第2摩擦辊被设为由单个的第2摩擦辊所摩擦的基板的延迟(Δnd2)成为由单个的第1摩擦辊所摩擦的基板的延迟(Δnd1)的50～60％的组合(Δnd2/Δnd1×100＝50～60(％))。(4)也可以是，在上述(1)至(3)的构成的基础上，在摩擦工序中，第1摩擦辊相对于基板的压入量大于第2摩擦辊相对于基板的压入量。(5)另外，本说明书中公开的另一技术是一种液晶面板的制造方法，包含：液晶夹持工序，使液晶夹持在带取向膜的阵列基板与带取向膜的相对基板之间，上述带取向膜的阵列基板是通过上述(1)至(4)中的任意1个构成所述的制造方法制造的，上述带取向膜的相对基板配置为与上述带取向膜的阵列基板的上述取向膜侧相对，并且在与上述带取向膜的阵列基板相对的面侧形成有相对基板侧取向膜。专利技术效果根据本说明书中公开的带取向膜的阵列基板的制造方法和液晶面板的制造方法，能够实现高的取向限制力和成品率。附图说明图1是示出一个实施方式的带取向膜的阵列基板的制造方法的概略图。图2是示出液晶面板的截面构成的概略截面图。图3是概略性地示出阵列基板的配线构成的俯视图。附图标记说明10：液晶面板，11A：CF基板(相对基板)，11B：阵列基板，12：液晶层(液晶)，14：TFT(薄膜晶体管)，15：像素电极，20：取向膜，21A：带取向膜的CF基板(带取向膜的相对基板)，21B：带取向膜的阵列基板，25：取向膜(相对基板侧取向膜)，32：第1摩擦辊，32B：第1摩擦材料，33：第2摩擦辊，33B：第2摩擦材料。具体实施方式说明一个实施方式。通过本实施方式的制造方法形成的带取向膜的阵列基板21B用于构成图2所示的被设为公知的构成的液晶面板10的一对基板中的一侧基板。此外，带取向膜的阵列基板21B是指形成有经过摩擦工序的取向膜20的阵列基板11B。首先，说明液晶面板10。如图2所示，液晶面板10具有：一对基板11A、11B；以及液晶层(液晶的一个例子)12，其配置在两基板11A、11B之间的内部空间，包含作为光学特性随着电场的施加而发生变化(具有介电常数各向异性，根据电场的施加而改变其朝向)的物质的液晶分子，液晶层12被介于两基板11A、11B之间的未图示的密封部包围而实现了密封。一对基板11A、11B中的表侧设为CF基板(相对基板的一个例子)11A，里侧设为阵列基板11B。CF基板11A和阵列基板11B均是在玻璃制的基板的内表面侧层叠形成各种膜而成的。此外，在两基板11A、11B的外表面侧分别贴附有偏振板13A、13B。如图2和图3所示，在阵列基板11B中，作为开关元件的许多TFT(ThinFilmTransistor、薄膜晶体管)14和像素电极15按矩阵状排列设置，并且在这些TFT14和像素电极15的周围，以包围它们的方式配设有呈格子状的栅极配线16和源极配线17。规定的图像信号从未图示的控制电路供应到各配线。像素电极15包括ITO(IndiumTinOxide：氧化铟锡)、ZnO(ZincOxide：氧化锌)、IZO(IndiumZinkOxide：氧化铟锌)或者IGZO(IndiumGalliumZinkOxide：氧化铟镓锌)这样的透明电极，在阵列基板11B上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带取向膜的阵列基板的制造方法，其特征在于，至少包含：/n薄膜晶体管形成工序，在基板上形成薄膜晶体管；/n像素电极形成工序，在上述基板上形成像素电极；/n取向膜形成工序，以覆盖形成在上述基板上的上述薄膜晶体管和上述像素电极的方式形成取向膜；以及/n摩擦工序，通过具有与上述基板平行的旋转轴的圆柱状的第1摩擦辊和第2摩擦辊按顺序摩擦上述取向膜，/n设置在上述第1摩擦辊的外周的第1摩擦材料由与设置在上述第2摩擦辊的外周的第2摩擦材料相比弹力、韧性比较强的材质形成，/n上述第1摩擦辊和上述第2摩擦辊均设定为向将上述基板朝向该基板相对前进的方向推出的方向旋转。/n

【技术特征摘要】
20180712 US 62/696,865;20190322 US 62/822,1971.一种带取向膜的阵列基板的制造方法，其特征在于，至少包含：
薄膜晶体管形成工序，在基板上形成薄膜晶体管；
像素电极形成工序，在上述基板上形成像素电极；
取向膜形成工序，以覆盖形成在上述基板上的上述薄膜晶体管和上述像素电极的方式形成取向膜；以及
摩擦工序，通过具有与上述基板平行的旋转轴的圆柱状的第1摩擦辊和第2摩擦辊按顺序摩擦上述取向膜，
设置在上述第1摩擦辊的外周的第1摩擦材料由与设置在上述第2摩擦辊的外周的第2摩擦材料相比弹力、韧性比较强的材质形成，
上述第1摩擦辊和上述第2摩擦辊均设定为向将上述基板朝向该基板相对前进的方向推出的方向旋转。


2.根据权利要求1所述的带取向膜的阵列基板的制造方法，
上述第1摩擦材料为棉...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷池康司郎，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP