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提供能得到优异的取向限制力的带取向膜的阵列基板的制造方法。带取向膜的阵列基板(21B)的制造方法包含：TFT形成工序，在基板(11B)上形成TFT(14)；像素电极形成工序，在基板(11B)上形成像素电极(15)；取向膜(20)形成工序，以...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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