【技术实现步骤摘要】
金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底及其制备方法和应用
本专利技术属于材料分析
，特别涉及金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底及其制备方法和应用。
技术介绍
拉曼光谱提供了独特的分子指纹图谱，由许多与分子振动模式相对应的窄带峰组成，即使是在多个分析物质的混合物中，也可以识别分子的种类。然而，拉曼散射有一个低散射截面，造成非常低的敏感性.这一问题通过表面增强拉曼散射(SERS)技术得以初步解决，SERS已成为研究各种分析物质结构性质的有力方法。常用制备SERS基底的方法可以分为两类，包括物理方法和化学方法。其中物理方法包括热蒸发，电子束蒸发，磁控溅射、脉冲激光沉积等方法，可以制备金属薄层，结合光刻掩膜等技术可以制备金属纳米结构；化学方法包括化学还原法、溶胶凝胶法、金属离子的自组装生长法等方法，化学方法是直接在基底材料上沉积合成的各种形貌贵金属纳米粒子、纳米线等，通过贵金属的纳米粒子和纳米线提供拉曼增强。传统方法所制备的SERS衬底普遍许多问题，单一的金属纳米结构只能提供电磁增强，而电磁增强虽然比较高但是效...
【技术保护点】
1.金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底，其特征在于，包括硅基底、单层石墨烯和均匀金属纳米点阵，所述单层石墨烯位于硅基底上，所述均匀金属纳米点阵均匀分布于单层石墨烯上，所述均匀金属纳米点阵通过双通纳米孔阵列制备。/n
【技术特征摘要】
1.金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底，其特征在于，包括硅基底、单层石墨烯和均匀金属纳米点阵，所述单层石墨烯位于硅基底上，所述均匀金属纳米点阵均匀分布于单层石墨烯上，所述均匀金属纳米点阵通过双通纳米孔阵列制备。
2.权利要求1所述的金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：转移CVD生长的单层石墨烯至硅基底上；
第二步：将双通纳米结构模板转移至第一步获得的单层石墨烯基底上；
第三步：转移纳米结构模板的基底通过物理气相沉积的方法沉积纳米结构粒子，使具有拉曼增强效应的金属纳米结构粒子沉积在的纳米结构模板的孔中，并与第二步获得的基底结合；
第四步：将第三步形成的基底放入稀释的溶液中，去除纳米结构模板后，得到规则排布的金属纳米点阵/单层石墨烯SERS基底。
3.根据权利要求2所述的金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底的制备方法，其特征在于，...
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