一种防止负载开关被热烧毁的保护电路制造技术

本发明专利技术提供了一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，多个支路并联，在每个并联支路中，电流源IDC的一端连接电源输入端VCC，电流源IDC的另一端连接反相器INV的一端和三极管的集电极，三极管的基极连接电压源VDC的正极端，三极管的发射极接地，反射器的另一端连接或门OR的输入端。本发明专利技术在功率管周围选取的点多，能够多方位准确检测温度的变化，当功率管任何部位发生温度变化时都能够实时检测。根据电路内部的具体情况选择温度传感器的个数，按一定的排序方法排列在功率管的周围，更能有效控制芯片内部温度，从而保护芯片。

A protection circuit to prevent the load switch from burning

【技术实现步骤摘要】
一种防止负载开关被热烧毁的保护电路
本专利技术涉及保护电路领域，尤其是一种防止被热烧毁的保护结构和方法。
技术介绍
随着芯片的不断集成化，在电源管理芯片中常常会用到大功率器件，这就对于芯片的温度有着严格的要求，防止由于温度过高而导致芯片烧毁的事故发生。目前大多数芯片采用在芯片内部内置温度传感器来检测功率管的温度，来防止功率管温度过高而烧毁。但目前所采用的技术方法同时存在一些问题，如图1所示，实线框为功率管位置示意图，虚线框为温度传感器位置示意图，一般都是把温度传感器放置在功率管的一侧来进行温度检测，由于功率管在芯片中占据的面积很大，各个部分的温度都不一样，一般功率管中心的温度比两侧的温度高，但由于温度传感器只能检测到功率管的一侧温度，不能检测到功率管内部的真实温度，造成温度检测时的偏差，从而还有可能烧毁功率管。所以，需要开发一种能够准确检测到功率管温度的保护电路，进一步准确的监控芯片内部的温度，从而避免芯片的烧毁而造成的进一步损失。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种防止负载开关被热烧毁的保护电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，其特征在于：/n所述防止负载开关被热烧毁的保护电路，包括输入端VCC，电压源VDC，电流源IDC1、IDC2、IDC3，具有负温度系数的三极管Q1、Q2、Q3，反相器INV1、INV2、INV3，反相器OR和输出端VOUT；/n所述电源输入端VCC连接电流源IDC1的一端、电流源IDC2的一端和电流源IDC3的一端；电流源IDC1的另一端连接反相器INV1的一端和三极管Q1的集电极；所述电流源IDC2的另一端连接反相器INV2的一端和三极管Q2的集电极；所述电流源IDC3的另一端连接反相器INV3的一端和三极管Q3的集电极；所述电压源VDC为Regula...

【技术特征摘要】
1.一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，其特征在于：
所述防止负载开关被热烧毁的保护电路，包括输入端VCC，电压源VDC，电流源IDC1、IDC2、IDC3，具有负温度系数的三极管Q1、Q2、Q3，反相器INV1、INV2、INV3，反相器OR和输出端VOUT；
所述电源输入端VCC连接电流源IDC1的一端、电流源IDC2的一端和电流源IDC3的一端；电流源IDC1的另一端连接反相器INV1的一端和三极管Q1的集电极；所述电流源IDC2的另一端连接反相器INV2的一端和三极管Q2的集电极；所述电流源IDC3的另一端连接反相器INV3的一端和三极管Q3的集电极；所述电压源VDC为Regulator电压，电压源VDC的正极端连接三极管Q1、Q2、Q3的基极，电压源VDC的负极端接地；所述三极管Q1的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC1的另一端和反相器INV1的一端，发射极接地；所述三极管Q2的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC2的另一端和反相器INV2的一端，发射极接地；所述三极管Q3基极连接电压源VDC的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：方建平，边疆，张适，
申请(专利权)人：西安拓尔微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61