成型品的制造方法和成型品技术

本发明专利技术提供一种成型品的制造方法和成型品，该制造方法能够制造出颗粒产生量降低的成型品。本发明专利技术的成型品的制造方法包括下述工序：制备工序，将四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物在温度T1(℃)成型来制备成型材料；以及成型工序，将上述成型材料在温度T2(℃)挤出成型来得到成型品，温度T1和温度T2满足20≤T1‑T2≤80的关系。

【技术实现步骤摘要】
成型品的制造方法和成型品
本专利技术涉及成型品的制造方法和成型品。
技术介绍
专利文献1中记载了一种稳定化的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，在包含将具有不稳定基团的可进行熔融加工的含氟聚合物在水和氧的存在下进行稳定化的稳定化处理区域的混炼机内对该含氟聚合物进行熔融混炼的含氟聚合物的稳定化之前，配置熔融区域作为该稳定化处理区域之前的区域，该熔融区域在足以使含氟聚合物中的低分子量物发生分解或挥散的温度和时间下对含氟聚合物进行熔融混炼，在该熔融区域中使低分子量物发生分解和/或挥散，在稳定化处理区域之前放出到混炼机外。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2002/050135号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种成型品的制造方法，其能够制造出降低了颗粒产生量的成型品。另外，本专利技术的目的在于提供一种降低了颗粒产生量的成型品。用于解决课题的手段根据本专利技术，提供一种成型品的制造方法，其包括下述工序：制备工序，将四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物在温度T1(℃)成型来制备成型材料；以及成型工序，将上述成型材料在温度T2(℃)挤出成型来得到成型品，温度T1和温度T2满足20≤T1-T2≤80的关系。上述制备工序中的温度T1(℃)优选为390℃以上。上述制备工序中使用的四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物的熔点优选为295℃以上。上述制备工序中使用的四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物的全氟(烷基乙烯基醚)单元的含量优选为3.5～7.0质量％。上述制备工序中，优选进行挤出成型来制备成型材料。上述制备工序中得到的成型材料优选为粒料。上述成型工序中得到的成型品优选为管。另外，根据本专利技术，可提供一种成型品，其中，该成型品含有熔点为295℃以上的四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物，在与异丙醇接触的情况下，分散在异丙醇中的30nmφ尺寸以上的颗粒数为700个/ml以下。本专利技术的成型品优选为管。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供一种成型品的制造方法，其能够制造出降低了颗粒产生量的成型品。另外，根据本专利技术，可以提供一种降低了颗粒产生量的成型品。附图说明图1是用于说明在现有的管的成型工序中颗粒附着于管的机理的图。图2是用于说明制备工序的一例的图。图3是用于说明颗粒数的测定方法的图。具体实施方式以下对本专利技术的具体实施方式进行详细说明，但本专利技术并不限于以下的实施方式。随着半导体的微细化工艺的进展，降低来自半导体装置或试剂供给设备中使用的成型品的污染物质变得很重要。例如，日本特开2014-222756号公报中指出了由用于供给试剂的配管产生颗粒并且该颗粒进入到试剂内的问题。包含含有四氟乙烯单元(TFE单元)和全氟(烷基乙烯基醚)单元(PAVE单元)的共聚物(以下称为TFE/PAVE共聚物(或PFA))的成型品的耐试剂性等优异，因而多数用于半导体装置或试剂供给设备中，与高纯度试剂接触的面积也很大。但是，在包括专利文献1在内的现有技术中，对于抑制含有根据组成等而显示出非常高的熔点的TFE/PAVE共聚物的成型品中的颗粒产生的方法并未进行研究。于是，本专利技术人对于颗粒降低化技术进行了深入研究，结果发现，在从原料制造出成型品的一系列工序中，通过严格控制对TFE/PAVE共聚物进行加热的温度，能够将来自最终得到的成型品的颗粒的产生抑制到以往未曾达到的水平。另外，根据本专利技术人此番获得的技术思想，即使利用超纯水对成型品进行清洗至检测不出颗粒为止，在进一步使异丙醇与清洗后的成型品接触时，在异丙醇中仍会检测出颗粒。即，还同时发现了，在使用超纯水对成型品进行清洗、回收超纯水(清洗水)并对分散在超纯水中的颗粒进行测定的现有评价方法中，无法准确地评价颗粒数，通过使用异丙醇的新型评价方法才能够准确地评价颗粒数。本专利技术的制造方法是基于这些技术思想完成的，其特征在于，在包括将TFE/PAVE共聚物在温度T1(℃)成型来制备成型材料的制备工序、以及将上述成型材料在温度T2(℃)挤出成型来得到成型品的成型工序的制造方法中，温度T1和温度T2满足20≤T1-T2≤80的关系。上述制备工序中的温度T1(℃)是为了制备成型材料而对TFE/PAVE共聚物成型时的成型温度。上述制备工序中，可以按照在不会对成型造成影响的范围内保持恒定的方式来设定成型温度，也可以使成型温度发生变化。在使成型温度发生变化的情况下，设上述制备工序中的任一时刻的温度为T1，可以按照温度T1和温度T2满足20≤T1-T2≤80的关系的方式使成型温度发生变化。即，上述制备工序中的温度T1可以为上述制备工序中的任一时刻的温度，还可以为上述制备工序中的最高温度。温度T1不是共聚物温度，而是成型中使用的成型机的设定温度。作为温度T1，出于能够得到颗粒产生量进一步降低的成型品、生产性也优异的原因，优选为TFE/PAVE共聚物的熔点或软化点以上、更优选为TFE/PAVE共聚物的熔点以上、进一步优选为350℃以上、更进一步优选为370℃以上、特别优选为390℃以上、最优选为400℃以上。另外，作为温度T1，出于能够在不会对TFE/PAVE共聚物带来损伤的情况下得到颗粒产生量进一步降低的成型品、生产性也优异的原因，优选小于TFE/PAVE共聚物的热分解温度、更优选为430℃以下。在现有的成型材料的制备工序中，在较高温度下将TFE/PAVE共聚物成型的优点尚不为人所知，因此考虑到对TFE/PAVE共聚物的影响、制造成本、安全性等，将成型温度设定为低温。但是，本专利技术人发现，在采用将成型温度在可能的范围较低地设定的现有方法时，具有不能充分抑制颗粒产生量的倾向。上述成型工序中的温度T2(℃)是将上述成型材料成型时的成型温度。上述成型工序中，可以按照在不会对成型造成影响的范围内保持恒定的方式来设定成型温度，也可以使成型温度发生变化。在使成型温度发生变化的情况下，设上述成型工序中的任一时刻的温度为T2，可以按照温度T1和温度T2满足20≤T1-T2≤80的关系的方式使成型温度发生变化。即，上述成型工序中的温度T2可以为上述成型工序中的任一时刻的温度，还可以为上述成型工序中的最高温度。温度T2不是共聚物温度，而是成型中使用的成型机的设定温度。温度T2按照满足不等式20≤T1-T2≤80的方式被设定为比温度T1低的温度。即，本专利技术的制造方法中，通过将温度T1与温度T2的温度差控制在20～80℃的范围，能够将来自最终得到的成型品的颗粒的产生抑制到以往未曾达到的水平。另一方面，在成型为上述成型品时，在着重于生产率、为了提高挤出速度而采用将成型温度在可能的范围较高地设定的现有方法时，不能充分抑制颗粒产生量。出于能够得到颗粒产生量进一步降低的成型品的原因，温度T1和温度T2优选满足不等式30≤T1-T2、更优选满足不等式40≤T1-T2，并且优选满足不等式T1-T2≤70。并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成型品的制造方法，其包括下述工序：/n制备工序，将四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物在温度T1(℃)成型来制备成型材料，和/n成型工序，将所述成型材料在温度T2(℃)挤出成型来得到成型品，/n温度T1和温度T2满足20≤T1-T2≤80的关系。/n

【技术特征摘要】
20180712 JP 2018-1322431.一种成型品的制造方法，其包括下述工序：
制备工序，将四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物在温度T1(℃)成型来制备成型材料，和
成型工序，将所述成型材料在温度T2(℃)挤出成型来得到成型品，
温度T1和温度T2满足20≤T1-T2≤80的关系。


2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述制备工序中的温度T1(℃)为390℃以上。


3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述制备工序中使用的四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物的熔点为295℃以上。


4.如权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，所述制备工序中使用的四氟乙烯/...

【专利技术属性】
技术研发人员：今村均，向井惠吏，近藤昌宏，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP