静电电容型压力传感器制造技术

隔膜真空计(100)具有温度差算出部(14)和异常判定部(15)。温度差算出部(14)求出由控制用温度传感器(9)测定的传感器外壳(4)内的温度t1与由加热器监视用温度传感器(10)测定的加热器(5)的温度t2的温度差Δt。在由温度差算出部(14)求出的温度差Δt超过存储在异常判断用阈值存储部(16)中的异常判断用的阈值Δtth的情况下，异常判定部(15)判定为在加热器(5)中出现了异常的征兆。由此，能够早期发现加热器(5)的异常。

Electrostatic capacitive pressure sensor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电电容型压力传感器
本专利技术涉及一种具备检测与被测定介质的压力对应的静电电容的膜片结构的传感器芯片的静电电容型压力传感器。
技术介绍
在半导体制造设备等中使用的以真空计为首的压力传感器中，大多采用具有使用所谓MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微电子机械系统)技术形成的小型膜片的传感器元件。该传感器元件的主要检测原理是：用膜片承受压力介质，将由此产生的位移转换为某种信号。例如，作为使用这种传感器元件的压力传感器，公知有将受到被测定介质的压力而弯曲的膜片(隔膜)的位移作为静电电容的变化来进行检测的静电电容型压力传感器。由于该静电电容型压力传感器的气体种类依赖性小，因此，在以半导体设备为首的工业用途中被广泛使用。例如，被用于测量半导体制造装置等的制造过程中的压力。这种用于测量压力的静电电容压力传感器被称为隔膜真空计。另外，受到被测定介质的压力而弯曲的膜片被称为感压膜片，或者被称为传感器膜片。该隔膜真空计具备：传感器芯片，其将受到被测定介质的压力而弯曲的膜片的位移作为静电电容的变化进行检测；壳体，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电电容型压力传感器，其特征在于，具备：/n传感器芯片，其具有受到被测定介质的压力而弯曲的膜片、和构成为将所述膜片的位移转换为静电电容的变化的电极；/n壳体，其收容有所述传感器芯片；/n压力导入管，其与所述壳体连接，并将所述被测定介质的压力引导至所述膜片；/n传感器外壳，其覆盖所述壳体；/n加热器，其以包围所述传感器外壳的外周面的方式设置；/n第1温度传感器，其测定所述传感器外壳内的温度；/n第2温度传感器，其测定所述加热器的温度；/n加热器控制部，其构成为控制向所述加热器的供给电流，以使由所述第1温度传感器测定的所述传感器外壳内的温度成为规定的设定温度；/n温度差算出部，其构成为求出...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170609 JP 2017-1140361.一种静电电容型压力传感器，其特征在于，具备：
传感器芯片，其具有受到被测定介质的压力而弯曲的膜片、和构成为将所述膜片的位移转换为静电电容的变化的电极；
壳体，其收容有所述传感器芯片；
压力导入管，其与所述壳体连接，并将所述被测定介质的压力引导至所述膜片；
传感器外壳，其覆盖所述壳体；
加热器，其以包围所述传感器外壳的外周面的方式设置；
第1温度传感器，其测定所述传感器外壳内的温度；
第2温度传感器，其测定所述加热器的温度；
加热器控制部，其构成为控制向所述加热器的供给电流，以使由所述第1温度传感器测定的所述传感器外壳内的温度成为规定的设定温度；
温度差算出部，其构成为求出由所述第1温度传感器测定的所述传感器外壳内的温度与由所述第2温度传感器测定的所述加热器的温度的温度差；以及
异常判定部，其构成为根据由所述温度差算出部求出的温度差，判定所述加热器有无异常。


2.根据权利要求1所述的静电电容型压力传感器，其特征在于，还具备：
第3温度传感器，其测定所述静电电容型压力传感器的周围的温度；以及
温度差校正部...

【专利技术属性】
技术研发人员：关根正志，石原卓也，添田将，栃木伟伸，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP