【技术实现步骤摘要】
具有屏蔽抗干扰不透光薄膜
本专利技术涉及真空镀膜和导电聚合物的
，更具体地说，本专利技术涉及一种结合了真空镀膜技术制备的具有屏蔽抗干扰不透明薄膜。
技术介绍
随着各种电气设备和电子应用设备的使用的日益增加，电磁波向外辐射的电磁能量正以每年7～14％的速度递增，电磁环境污染日益严重。而与此同时，电子电气设备对外界电磁环境的敏感性增加，由于信号电平小量化以满足其高速化、轻量化和小型化的要求，容易发生由外界电磁干扰（EMI）造成动作错误或图像障碍。在现有技术中，已经开发了多种对抗EMI的技术，例如滤波、接地、电磁屏蔽等。而这其中，电磁屏蔽是抑制EMI的最主要的方法之一，它是利用屏蔽体来阻挡或衰减干扰信号的电磁传输，凡是涉及到电场或磁场的干扰都可以采用这种方法来加以抑制。电磁屏蔽主要用磁导率高的材料和/或导电材料，利用流过金属的电流等防止磁力线的相互干扰。CN107557769A公开了一种铜-纳米管复合材料，其能够大幅度提高碳纳米管的电磁屏蔽效能，但其力学性能较差，容易剥离并且制备成本高，难以实现产业化。
【技术保护点】
1.一种具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，包括填充有导电颗粒和磁性颗粒的聚合物薄膜基体，其特征在于：至少在所述聚合物薄膜基体的部分表面上涂布氧化硅涂膜，并且所述磁性颗粒在所述聚合物薄膜基体的外表面富集。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，包括填充有导电颗粒和磁性颗粒的聚合物薄膜基体，其特征在于：至少在所述聚合物薄膜基体的部分表面上涂布氧化硅涂膜，并且所述磁性颗粒在所述聚合物薄膜基体的外表面富集。
2.根据权利要求1所述的具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，其特征在于：所述氧化硅涂膜采用热蒸镀或电子束蒸镀工艺沉积在所述聚合物薄膜基体表面。
3.根据权利要求1所述的具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，其特征在于：所述氧化硅涂膜的厚度为25nm~500nm，优选为30nm~500nm，更优选为60nm~300nm。
4.根据权利要求1所述的具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，其特征在于：在涂布所述聚合物薄膜基体之前，所述聚合物薄膜基体依次经过辊压和电晕处理。
5.根据权利要求1所述的具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，其特征在于：所述聚合物薄膜基体的厚度为10~500μm，优选为20~400μm，更优选为30~300μm。
6.根据权利要求1所述的具有屏蔽抗干扰不透明薄膜，其特征在于：所述聚合物薄膜基体为聚乙...
【专利技术属性】
技术研发人员：王家福，
申请(专利权)人：瑞年新材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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