液晶移相器及天线制造技术

本发明专利技术提供一种液晶移相器及天线，属于通信技术领域。本发明专利技术的液晶移相器，包括：相对设置的第一基底和第二基底，位于所述第一基底和所述第二基底之间的液晶层、第一电极、第二电极，设置在第一基底背离液晶层一侧的第一屏蔽电极，及设置在第二基底背离液晶层一侧的第二屏蔽电极；其中，所述第一电极和所述第二电极在被施加电压而产生电场时，改变液晶层的介电常数，以调整微波信号的移相度；所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极，用于对所述第一电极和所述第二电极在被施加电压时产生的辐射进行屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
液晶移相器及天线
本专利技术属于通信
，具体涉及一种液晶移相器及天线。
技术介绍
移相器是一种能够对微波的相位进行调整的装置，广泛应用于电子通信系统中，是相控阵雷达、合成孔径雷达、雷达电子对抗、卫星通信、接收发机中的核心组件。因此高性能的移相器在这些系统中起着至关重要的作用。经专利技术人研究发现，现有的移相器具有损耗大、响应时间长以及体积庞大等缺点，无法满足电子通信系统日新月异的发展。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种液晶移相器及天线。第一方面，本专利技术实施例提供一种液晶移相器，包括：相对设置的第一基底和第二基底，位于所述第一基底和所述第二基底之间的液晶层、第一电极、第二电极，设置在第一基底背离液晶层一侧的第一屏蔽电极，及设置在第二基底背离液晶层一侧的第二屏蔽电极；其中，所述第一电极和所述第二电极在被施加电压而产生电场时，改变液晶层的介电常数，以调整微波信号的移相度；所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极，用于对所述第一电极和所述第二电极在被施加电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基底和第二基底，位于所述第一基底和所述第二基底之间的液晶层、第一电极、第二电极，设置在第一基底背离液晶层一侧的第一屏蔽电极，及设置在第二基底背离液晶层一侧的第二屏蔽电极；其中，/n所述第一电极和所述第二电极在被施加电压而产生电场时，改变液晶层的介电常数，以调整微波信号的移相度；/n所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极，用于对所述第一电极和所述第二电极在被施加电压时产生的辐射进行屏蔽。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基底和第二基底，位于所述第一基底和所述第二基底之间的液晶层、第一电极、第二电极，设置在第一基底背离液晶层一侧的第一屏蔽电极，及设置在第二基底背离液晶层一侧的第二屏蔽电极；其中，
所述第一电极和所述第二电极在被施加电压而产生电场时，改变液晶层的介电常数，以调整微波信号的移相度；
所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极，用于对所述第一电极和所述第二电极在被施加电压时产生的辐射进行屏蔽。


2.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均包括带状传输线。


3.根据权利要求2所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一电极设置在第一基底上，所述第二电极设置在第二基底上，且所述第一电极和所述第二电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠。


4.根据权利要求2所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一电极设置在第一基底上，所述第二电极设置在第二基底上，且所述第一电极和所述第二电极在所述第一基底上的正投影无重叠。


5.根据权利要求2所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均设置第一基底或第二基底上，且二者间隔设置。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：武杰，丁天伦，王瑛，李亮，贾皓程，唐粹伟，李强强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11