【技术实现步骤摘要】
具有空心结构二硫化锡钼的制备方法
本专利技术涉及纳米空心材料制备领域，具体涉及一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法。
技术介绍
研究发现，基于金属硫化物电子器件的性能主要依赖于材料的晶体结构、形貌、几何排列以及组分等特性。由于大部分的过渡金属二硫化物和后过渡金属二硫化物都属于层状化合物，即层与层之间以范德华力相连接，层间则以共价键相连接。从而导致金属硫化物的生长更倾向于生成纳米片，所以直接制备空心结构和框架结构较为困难。由于层状材料构成的空心结构具有独特的纳米腔，较低的密度，较大的比表面积以及质量与电荷的传输长度减少等特点而备受关注。这种独特的空心结构开辟了其在新领域中的应用，例如催化、吸附和分离、药物储存和输送、以及能量转换和储存等。一般而言，由于金属硫化物具有多种可能的化学计量组成，晶体结构，价态和纳米晶形态，因而它们的电化学活性更高。
技术实现思路
为解决现有技术中难以制备空心结构的二硫化锡钼的问题，本专利技术提供了一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，该方法制备二硫化锡钼过程简单，制得的二...
【技术保护点】
1.具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将Sn掺杂的MoO
【技术特征摘要】
1.具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将Sn掺杂的MoO3纳米带、SnS2纳米片与硫脲按一定比例混合，以水为溶剂，加入水热釜中进行水热反应；
充分反应结束后自然冷却；
将获得的产物以不大于2000r/min的转速离心取上层溶液；再将上层溶液以不小于12000r/min的转速离心，离心产物洗涤后得到二硫化锡钼空心结构。
2.根据权利要求1所述的具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，其特征在于，所述的水热反应的条件为240～250℃下加热60～70小时。
3.根据权利要求1所述的具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，其特征在于，所述的Sn掺杂的MoO3纳米带、SnS2纳米片的加入的质量比...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓珊，黄晓，黄维，张强，
申请(专利权)人：西北工业大学，南京工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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