【技术实现步骤摘要】
一种PECVD方式生长致密薄膜的方法
本专利技术属于微纳加工
，具体涉及一种PECVD生长致密薄膜的方法。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积（PECVD,PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）是微纳加工中的关键工艺，承担着生长薄膜的重要作用。PECVD利用射频电源为反应源提供能量产生等离子体，反应源运动衬底表面成核，核继续生长成薄膜。目前，PECVD射频电源多采用单频（13.56MHz）设计，也有基于双频（13.56MHz和400kHz）等多频高端设计方式，其中，单频电源为反应源提供产生等离子体能量；双频电源既为反应源提供产生等离子体能量，也为等离子体自身提供能量，所以双频镀出来薄膜会有很好的致密性，但其机台成本也很高。一般要提高薄膜致密性，热台的温度提供重要的贡献，一般400℃以上可以保证较高致密的介质薄膜，如氮化硅、氧化硅等。随着科技技术的发展，现在很多器件需要低温镀膜（<300℃），如磁存储器（MRAM）、磁传感器（TMR/GMR）、III-V衬底和基于有机基板的。这...
【技术保护点】
1.一种PECVD方式生长致密薄膜的方法，其特征在于：通过PECVD方式预沉积介质薄膜后，再采用惰性气体轰击上述介质薄膜的方式增强薄膜致密性；/n所述惰性气体选自氩气、氦气、氙气、氖气、氢气、氮气或以上气体的任意组合。/n
【技术特征摘要】
1.一种PECVD方式生长致密薄膜的方法，其特征在于：通过PECVD方式预沉积介质薄膜后，再采用惰性气体轰击上述介质薄膜的方式增强薄膜致密性；
所述惰性气体选自氩气、氦气、氙气、氖气、氢气、氮气或以上气体的任意组合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述预沉积的介质薄膜的厚度为0.2-20nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述介质薄膜可以为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅、碳化硅或氮碳化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述惰性气体的轰击功率高于所述PECVD工艺的沉积功率。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：范思大，崔虎山，邹志文，丁光辉，邹荣园，吴志浩，许开东，陈璐，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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