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本发明公开了一种PECVD方式生长致密薄膜的方法，首先是通过PECVD方式沉积介质薄膜后，采用惰性气体轰击上述介质薄膜的方式增加薄膜致密性；所述惰性气体选自氩气（Ar）、氦气（He）、氙气（Xe）、氖气（Ne）、氢气（H...
该专利属于江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。

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