【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】负极活性物质、混合负极活性物质材料、以及负极活性物质颗粒的制造方法
本专利技术涉及负极活性物质、混合负极活性物质材料、以及负极活性物质颗粒的制造方法。
技术介绍
近年来,以移动终端等为代表的小型电子设备被广泛普及,且强烈要求其进一步的小型化、轻量化及长寿命化。针对这样的市场需求,推进了一种特别小型且轻量、并且可获得高能量密度的二次电池的开发。该二次电池的应用不仅限于小型电子设备,其在以汽车等为代表的大型电子设备、以房屋等为代表的蓄电系统中的应用也正在研究之中。其中,锂离子二次电池小型且易于进行高容量化,并且能够获得比铅电池、镍镉电池更高的能量密度,因此备受期待。上述锂离子二次电池具备正极及负极、隔膜还有电解液,且负极含有与充放电反应相关的负极活性物质。作为该负极活性物质,广泛地使用有碳类活性物质,然而根据最近的市场需求,要求电池容量的进一步提升。为了提升电池容量,正在研究使用硅作为负极活性物质材料。其原因在于,硅的理论容量(4199mAh/g)比石墨的理论容量(372mAh/g)大10倍以上, ...
【技术保护点】
1.一种负极活性物质,其包含负极活性物质颗粒,所述负极活性物质的特征在于,/n所述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒,该硅化合物颗粒包含含氧的硅化合物,/n该硅化合物颗粒含有锂化合物,/n构成所述硅化合物颗粒的Si的至少一部分以不含Li的Si
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170601 JP 2017-1094681.一种负极活性物质,其包含负极活性物质颗粒,所述负极活性物质的特征在于,
所述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒,该硅化合物颗粒包含含氧的硅化合物,
该硅化合物颗粒含有锂化合物,
构成所述硅化合物颗粒的Si的至少一部分以不含Li的Si2+~Si3+的氧化物、以及含有Li与Si2+~Si3+的化合物中的至少一种形态存在。
2.根据权利要求1所述的负极活性物质,其特征在于,所述硅化合物颗粒在进行X射线吸收精细结构分析时所得到的X射线吸收光谱的SiK-边的XANES区域中,于能量1844eV~1846.5eV的范围内,具有峰或肩峰。
3.根据权利要求2所述的负极活性物质,其特征在于,在充电过程中,随着充电量增加,所述硅化合物颗粒在所述SiK-边的XANES区域中的能量1844eV~1846.5eV的范围内出现的峰或肩峰的强度变强。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的负极活性物质,其特征在于,所述硅化合物颗粒在进行X射线吸收精细结构分析时所得到的X射线吸收光谱的OK-边的XANES区域中,于能量为534eV以上且小于535eV的位置具有峰。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的负极活性物质,其特征在于,所述硅化合物颗粒包含Li2SiO3及Li2Si2O5中的至少一种以上作为所述锂化合物。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的负...
【专利技术属性】
技术研发人员:广濑贵一,松野拓史,酒井玲子,高桥广太,粟野英和,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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