一种Class-F压控振荡器制造技术

本发明专利技术属于无线通信技术领域，涉及锁相环中的电压控制振荡器(VCO)，具体为一种Class‑F压控振荡器。本发明专利技术包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔，其中，第一谐振腔谐振于ω

A class-F VCO

【技术实现步骤摘要】
一种Class-F压控振荡器
本专利技术属于无线通信
，涉及锁相环中的电压控制振荡器(VCO)，具体为一种Class-F压控振荡器。
技术介绍
锁相环作为无线通信技术的重要组成部分，随着无线通信技术的飞速发展，对锁相环的要求也越来越高；电压控制振荡器(VCO)作为锁相环的关键电路，其性能是最受关注的问题；其中，最主要的性能指标是VCO的相位噪声和功耗。为了改善压控振荡器的相噪性能，研究者提出了许多的新结构。传统的Class-F电压控制振荡器通过一个具有中等耦合谐振绕组的变压器，增加基本振荡电压的三次谐波得到一个附加阻抗峰值，得到输出电压是一个伪方波的电压波形；如图1所示，M1、M2交叉耦合管在电路中用来产生负阻，变压器初级线圈Lp以及变容管C1和次级线圈Ls以及变容管C2构成两个谐振腔用来产生两个阻抗峰；尾电流源MT用来保证流经整个电路的总电流保持不变，从而降低整个电路的电源敏感性，除此之外，MT可以提供一个大的阻抗，防止谐振腔的Q值降低；尾电容CT用来滤除电路产生的噪声。如图2所示为上述传统Class-F电压控制振荡器的时域以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Class-F压控振荡器，包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔，其特征在于：/n所述交叉耦合管对由NMOS管M1、NMOS管M2构成，所述NMOS管M1的栅极连接NMOS管M2的漏极，所述NMOS管M1的漏极连接NMOS管M2的栅极；/n所述第一谐振腔由电感L1、变容管C1构成；所述变容管C1与电感L1并联后两端分别与NMOS管M1、NMOS管M2的漏极相连，且两个连接端分别作为压控振荡器的输出端OUT+、输出端OUT-；所述电感L1的中心抽头接电源VDD，所述变容管C1由两个变容管串联组成、且串联端接VCO的控制电压Vcont；/n所述第一谐振腔由电感L2、电容C2构成，所述电...

【技术特征摘要】
1.一种Class-F压控振荡器，包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔，其特征在于：
所述交叉耦合管对由NMOS管M1、NMOS管M2构成，所述NMOS管M1的栅极连接NMOS管M2的漏极，所述NMOS管M1的漏极连接NMOS管M2的栅极；
所述第一谐振腔由电感L1、变容管C1构成；所述变容管C1与电感L1并联后两端分别与NMOS管M1、NMOS管M2的漏极相连，且两个连接端分别作为压控振荡器的输出端OUT+、输出端O...

【专利技术属性】
技术研发人员：康凯，章雅婷，吴韵秋，赵晨曦，刘辉华，余益明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51