一种压控可调多谐振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种压控可调多谐振荡器，包括有：第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的发射极接地，其集电极分别经第一、第二振荡晶体管集电极电阻Rc1、Rc2接电压源端VCC，第一、第二振荡电容C1、C2分别交叉跨接在第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的集电极与基极之间；第一、第二可变电阻R1_var、R2_var分别连接在第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的基极与电压源端VCC之间，其控制端分别连接第一、第二外部可控电压源端VT1和VT2。由此实现对输出方波的周期、脉冲宽度和占空比的调节。

A voltage controlled adjustable multivibrator

The invention discloses a voltage controlled adjustable multivibrator, which includes: the emitter of the first and second oscillation transistors Q1 and Q2 are grounded, the collector is connected to the voltage source terminal VCC through the collector resistance RC1 and RC2 of the first and second oscillation transistors respectively, the first and second oscillation capacitors C1 and C2 are respectively cross connected between the collector and the base of the first and second oscillation transistors Q1 and Q2; the first The second variable resistances R1 \ufe63 VaR and R2 \ufe63 VaR are respectively connected between the base of the first and second oscillating transistors Q1 and Q2 and the voltage source VCC, and the control terminals are respectively connected with the first and second external controllable voltage source VT1 and vt2. Thus, the period, pulse width and duty cycle of the output square wave can be adjusted.

【技术实现步骤摘要】
一种压控可调多谐振荡器
本专利技术涉及一种多谐振荡器，尤其涉及一种压控可调多谐振荡器。
技术介绍
多谐振荡器是一种能够产生矩形波的自激振荡器。该电路没有稳定状态，由电容器的充电与放电来控制晶体管的导通与截止，从而使得电路在两个暂态之间自行‘振荡’。多谐振荡器的优点是无需外加触发信号便能够连续的、周期性的自动产生矩形波脉冲，常用作脉冲信号源及时序电路中的时钟，在生产生活的许多领域有着广泛的应用。以BJT/HBT晶体管为例，自激多谐振荡器结构如图1所示。显然，当电路元件参数确定之后，其矩形脉冲的参数，包括振荡频率、脉冲宽度和占空比也是唯一确定的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以调节频率、脉冲宽度、占空比的多谐振荡器，通过外部可控电压的改变，使得输出方波的参数在一定范围内连续可调。本专利技术的技术方案是：一种压控可调多谐振荡器，包括振荡晶体管Q1、Q2，集电极电阻Rc1、Rc2，振荡电容C1、C2，可变电阻R1_var、R2_var。VCC为电源电压，VT2和VT1为两个外部可控电压源。振荡晶体管Q1、Q2的发射极接地，其集电极分别经集电极电阻Rc1、Rc2接电压源端VCC，振荡电容C1、C2分别交叉跨接在振荡晶体管Q1、Q2的集电极与基极之间。可变电阻R1_var、R2_var分别连接在振荡晶体管Q1、Q2的基极与电压源端VCC之间，其控制端分别连接外部可控电压源端VT1和VT2。可变电阻R1_var包括有压控晶体管T1和基极偏置电阻Rb1,可变电阻R2_var包括有压控晶体管T2和基极偏置电阻Rb2。压控晶体管T1的基极经偏置电阻Rb1连接外部可控电压源端VT1，其集电极和发射极分别连接电压源端VCC和振荡晶体管Q1的基极节点P1。压控晶体管T2的基极经偏置电阻Rb2连接外部可控电压源端VT2，其集电极和发射极分别连接电压源端VCC和振荡晶体管Q2基极节点P2。在可变电阻R1_var、R2_var中，还可以采用压控晶体管T1、T2的基极相连接，并通过基极偏置电阻Rb连接外部可控电压源端VT。另外，对于振荡晶体管Q1、Q2的发射极还可以经过一个恒流源I1再接地。本专利技术的优点是：本专利技术提出的压控可调多谐振荡器在传统自激多谐振荡器的基础上，采用可变电阻R1_var、R2_var替代基极电阻Rb1和Rb2，通过外加电压VT1和VT2控制流经可变电阻R1_var、R2_var的电流，即电容的充放电电流，由此实现对输出方波的周期、脉冲宽度和占空比的调节。该电路不仅保持了传统多谐振荡器容易起振、频率稳定度高的优点，而且电路结构非常简单，所需元件少，适合集成在芯片中。更重要的是，当外加电压在一定范围内变化时，矩形波的频率连续可调，且调整范围宽。附图说明图1为现有技术多谐振荡器。图2为本专利技术的压控可调多谐振荡器之一。图3为本专利技术的可变电阻结构图。图4为本专利技术的振荡晶体管基极电压波形图。图5为本专利技术的振荡晶体管集电极电压波形图。图6为专利技术在VT1＝VT2＝5V时，振荡晶体管集电极电压的波形图。图7为专利技术在VT1＝5V，VT2＝4V时，振荡晶体管集电极电压的波形图。图8为专利技术的压控可调多谐振荡器之二。具体实施方式以下结合附图对本专利技术进一步说明：如图2所示，本专利技术提供了一种压控可调多谐振荡器，在本专利技术的一种具体实施方式中：振荡晶体管Q1、Q2的发射极接地，其集电极分别经集电极电阻Rc1、Rc2连接电压源端VCC。振荡电容C1、C2分别交叉跨接在振荡晶体管Q1、Q2的集电极与基极之间。可变电阻R1_var、R2_var分别连接在振荡晶体管Q1、Q2的基极与电压源端VCC之间，其控制端分别连接外部可控电压源端VT1和VT2。本专利技术当电路接通的瞬间，振荡晶体管Q1和Q2分别通过可变电阻R1_var、R2_var获得正偏电压，两个振荡晶体管Q1和Q2均趋向于导通。此时，振荡电容C1通过集电极电阻Rc1、振荡晶体管Q2充电，振荡电容C2通过集电极电阻Rc2、振荡晶体管Q1充电。虽然电路是‘对称’的，两个晶体管为同一类型，但它们的特性仍然无法百分之百的相同。假如振荡晶体管Q2的电流增益比振荡晶体管Q1的高，则会率先进入饱和状态。当振荡晶体管Q2饱和导通时，振荡电容C2通过晶体管R1_var和Q2放电，由于电容两端的电压不能突变，使得振荡晶体管Q1的基极电压迅速降低，产生一个‘负跳脉冲’，振荡晶体管Q1截止。电路由此进入自激振荡状态，振荡晶体管Q1与Q2交替截止和导通。如图4所示，表示振荡晶体管Q1和Q2的基极电压变化。当基极电压等于导通电压时，振荡晶体管导通；当振荡晶体管基极电压小于导通电压时，振荡晶体管截止。当振荡晶体管Q1截止，Q2导通时，VC2输出低电平；当振荡晶体管Q1导通，Q2截止时，VC2输出高电平。由此可持续不断的输出方波信号，如图5所示。显然，方波的脉冲宽度与电容的充放电时间相关。通过控制流经可变电阻R1_var、R2_var的电流，即可控制振荡电容C1、C2的充放电时间，由此实现对脉冲宽度的控制。可变电阻R1_var、R2_var的结构如图3所示，可变电阻R1_var包括有压控晶体管T1和基极偏置电阻Rb1，其集电极和发射极分别连接振荡器的电压源端VCC和振荡晶体管Q1的基极P1节点，其基极经基极偏置电阻Rb1连接外部可控电压源端VT1。可变电阻R2_var包括有压控晶体管T2和基极偏置电阻Rb2，其集电极和发射极分别连接振荡器的电压源端VCC和振荡晶体管Q2的基极P2节点，其基极经基极偏置电阻Rb2连接外部可控电压源端VT2。为便于说明，在此不妨设振荡晶体管Q1导通，振荡晶体管Q2截止。此时，节点P2处的电压为低电平，节点P1处的电压为高电平，此时，压控晶体管T1截止，R1_var为高阻态；压控晶体管T2导通，可变R2_var可等效为一受外部可控电压源端VT2调节的可变电阻。当改变外部可控电压源端VT2的电压时，不妨设电压增加，则流经可变电阻R2_var、振荡电容C1、振荡晶体管Q1的电流增加，C1充电时间减小，振荡晶体管Q1的导通时间减小，VC1的脉冲宽度减小。同理，调节外部可控电压源端VT1的电压可改变振荡晶体管Q2的导通时间，即振荡晶体管Q1的截止时间。因此，同时调节VT1和VT2的电压即可改变振荡晶体管漏极电压VC1(或VC2)的周期和占空比。如图6为当两个外部电压源的电压值都为5V时的输出波形VC1，如图7为VT1为5V，VT2为4V时候的输出波形VC1。在实际应用中，晶体管的电流放大倍数通常在50倍以上，因此当改变VT1(VT2)时，充电电流可发生显著改变，即输出信号的脉冲宽度或周期变化很大。因此，本专利技术提出的压控可调多谐振荡器具有较大的调谐灵敏度。综上所述，本专利技术提出的压控可调多谐振荡器在传统自激多谐振荡器的基础上，采用可变电阻R1_var、R2_var替代基极电阻Rb1和Rb2，通过外加电压VT1和VT2控制流经可变电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压控可调多谐振荡器，包括有：第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的发射极接地，其集电极分别经第一、第二振荡晶体管集电极电阻Rc1、Rc2连接电压源端VCC，第一、第二振荡电容C1、C2分别交叉跨接在第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的集电极与基极之间；其特征在于：/n第一、第二可变电阻R1_var、R2_var分别连接在第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的基极与电压源端VCC之间，其控制端分别连接第一、第二外部可控电压源端VT1和VT2。/n

【技术特征摘要】
1.一种压控可调多谐振荡器，包括有：第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的发射极接地，其集电极分别经第一、第二振荡晶体管集电极电阻Rc1、Rc2连接电压源端VCC，第一、第二振荡电容C1、C2分别交叉跨接在第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的集电极与基极之间；其特征在于：
第一、第二可变电阻R1_var、R2_var分别连接在第一、第二振荡晶体管Q1、Q2的基极与电压源端VCC之间，其控制端分别连接第一、第二外部可控电压源端VT1和VT2。


2.根据权利要求1所述的一种压控可调多谐振荡器，其特征在于：
第一可变电阻R1_var包括有：第一压控晶体管T1的基极经第一压控晶体管T1基极偏置电阻Rb1连接第一外部可控电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：高怀，
申请(专利权)人：厦门英诺迅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35