具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，包括高Q值谐振器、磁致伸缩单元、振荡电路以及永磁体，所述磁致伸缩单元设置在高Q值谐振器，所述永磁体平行与磁致伸缩单元平行设置，永磁体作为磁场源，磁力线由永磁体的N极发出，经由磁致伸缩单元回到永磁体的S极，所述高Q值谐振器任意一端的两个电极与振荡电路连接，所述振荡电路用于输出载有所述高Q值谐振器谐振频率的谐振信号。本发明专利技术漏磁较小，且可以使谐振式磁传感器的灵敏度倍增。

Resonant magnetic sensor with micro bias magnetic circuit structure

【技术实现步骤摘要】
具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器
本专利技术属于传感器技术，具体为一种具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器。
技术介绍
磁致伸缩材料被广泛用于设计磁传感器和执行器。磁致伸缩材料的磁致伸缩效应具有非线性的特性，一般需要施加偏置磁场使其工作在压磁系数最大的位置或线性区。已经公开的专利(一种谐振型磁场传感器敏感单元及数字频率输出磁传感器,申请号2016111746556；一种频率转换输出的高Q值谐振磁传感器,申请号201510924509X；)专利技术了一种利用磁致伸缩材料的谐振式磁传感器，具有Q值高、功耗低、线性测量范围宽、输出为数字信号等优点，有较广的应用前景。上诉专利中谐振式磁传感器的工作原理为：在一定的直流磁场下，磁致伸缩层产生的磁致伸缩力传递到高Q值谐振器，从而改变高Q值谐振器的谐振频率。高Q值谐振器通过门振荡电路输出数字频率信号，其频率值与直流磁场成一个函数关系。实践表明，存在一个最佳偏置磁场，在该磁场下，所述谐振式磁场传感器的灵敏度最大且工作于线性区域。为了发挥谐振式磁传感器的最大性能，需要施加一定的偏置磁场。通常，使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，包括高Q值谐振器、磁致伸缩单元、振荡电路以及永磁体，所述磁致伸缩单元设置在高Q值谐振器，所述永磁体平行与磁致伸缩单元平行设置，永磁体作为磁场源，磁力线由永磁体的N极发出，经由磁致伸缩单元回到永磁体的S极，所述高Q值谐振器任意一端的两个电极与振荡电路连接，所述振荡电路用于输出载有所述高Q值谐振器谐振频率的谐振信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，包括高Q值谐振器、磁致伸缩单元、振荡电路以及永磁体，所述磁致伸缩单元设置在高Q值谐振器，所述永磁体平行与磁致伸缩单元平行设置，永磁体作为磁场源，磁力线由永磁体的N极发出，经由磁致伸缩单元回到永磁体的S极，所述高Q值谐振器任意一端的两个电极与振荡电路连接，所述振荡电路用于输出载有所述高Q值谐振器谐振频率的谐振信号。


2.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述高Q值谐振器与磁致伸缩单元之间设置有绝缘垫片，磁致伸缩单元产生的应力通过绝缘垫片的传递加载到所述高Q值谐振器上。


3.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述高Q值谐振器为石...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭伟民，卞雷祥，黄子军，朱志伟，李辉，王明洋，戎晓力，贾云飞，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32