【技术实现步骤摘要】
一种新型声表面波传感器
本专利技术涉及声表面波传感器的结构设计。设计出的新型声表面波的结构,适用于绝大多数声表面波传感器中如气体传感器,生物传感器等,属于半导体传感器领域。
技术介绍
声表面波(SAW)装置由交错电极组成,该交错电极称为在压电层或基板上光刻图案化的叉指式换能器(IDT)。由于反压电效应,向叉指式换能器施加时变电信号导致从叉指式换能器的任一侧发射表面波。产生的表面波的速度和模式取决于用作衬底的压电晶体的取向。声表面波的速度是电磁波的10-5倍,并且它能够设计在低功率水平下在高频下工作的小波长紧凑装置。由于声表面波的能量局限于表面,与相同频率下传播的电磁波相比,它的衰减非常小。声表面波器件可用于RF滤波器,模拟信号处理元件,相关器,陀螺仪和传感器的设计。基于声表面波原理的气体传感器提供了气体分析物的成本有效,无标记和直接检测手段。由于分析物的质量加载而在装置表面上发生的任何扰动产生波的频率或速度的变化,其可以使用诸如网络分析器的电子设备实时监测和测量。
技术实现思路
本专利技术利用了钽 ...
【技术保护点】
1.一种新型声表面波传感器,其特征在于:采用钽酸锂材料制成声表面波传感器,产生水平剪切波;在声表面波传感器的压电基板上安装叉指式换能器电极,并在声表面波传感器表面镀一层与波传播方向垂直的二氧化硅脊阵列,所述叉指式换能器电极、二氧化硅脊阵列间隔设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型声表面波传感器,其特征在于:采用钽酸锂材料制成声表面波传感器,产生水平剪切波;在声表面波传感器的压电基板上安装叉指式换能器电极,并在声表面波传感器表面镀一层与波传播方向垂直的二氧化硅脊阵列,所述叉指式换能器电极、二氧化硅脊阵列间隔设置。
2.根据权利要求1所述的新型声表面波传感器,其特征在于:所述二氧化硅脊阵列由若干宽度3μm的二氧化硅条带按间隔3μm形成,所述二氧化硅条带与叉指式换能器电极等长度,高度为0.05μm~3.5μm。
3.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:李卫,潘沛锋,姚铖昊,徐强,
申请(专利权)人:南京邮电大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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