自耦有载调压变压器制造技术

本实用新型专利技术公开一种自耦有载调压变压器，包括高压线圈、有载调压线圈、公共中压线圈以及低压线圈，排列结构依次为铁芯‑公共中压线圈‑有载调压线圈‑高压线圈‑低压线圈，其中三相的公共中压线圈末端连接至中性点处，高压线圈末端串联有载调压线圈；每相高压绕组首、末端连接后通过开关与有载调压线圈的首端连接，有载调压线圈的末端作为该相的负极，有载调压线圈的首端作为该相的正极；每相中压绕组首端接有高压调压指针，该高压调压指针与该相有载调压线圈接触。本实用新型专利技术的调压分接线全部接入时，调压分接线由于大电流引起的漏磁相互抵消，结构简单易行，从而保证变压器的夹件、拉板等结构件不过热，保证变压器长期安全稳定运行。

On load autotransformer

【技术实现步骤摘要】
自耦有载调压变压器
本技术涉及电力系统中变压器制造技术，具体为一种自耦有载调压变压器。
技术介绍
目前电力设备中三相自耦变压器的调压线圈通常采用上下两端出线、上下并联的出线方式，这两种出线方式为常规的调压线圈结构。实际电网运行时由于系统阻抗配置问题——高中阻抗，中低阻抗及高低阻抗的分配决定了调压线圈的位置，从而决定了调压线圈的位置及出线方式；对于大容量自耦变压器若采用常规出线方式，在调压线圈全部接入时，所有分接电流的总和会很大，通常达上万安培，若调压线圈靠近铁心，这时产生的漏磁将会导致铁心过热，变压器内部氢气、乙烯等气体会急剧增加，危害变压器的安全运行；同时上述变压器的结构复杂，使得变压器体积大，变压器的设计、制造成本高。
技术实现思路
针对现有技术中三相自耦变压器阻抗大、危害变压器安全运行且结构复杂、制造成本高等不足本技术提出一种在保证变压器及电网运行性能的前提下简化结构、降低制造成本的采用倒“U”型调压线圈的自耦有载调压变压器。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：本技术一种自耦有载调压变压器，包括高压线圈、有载调压线圈、公共中压线圈以及低压线圈，排列结构依次为铁芯-公共中压线圈-有载调压线圈-高压线圈-低压线圈，其中三相的公共中压线圈末端连接至中性点处，高压线圈末端串联有载调压线圈；每相高压绕组首、末端连接后通过开关与有载调压线圈的首端连接，有载调压线圈的末端作为该相的负极，有载调压线圈的首端作为该相的正极；每相中压绕组首端接有高压调压指针，该高压调压指针与该相有载调压线圈接触。有载调压线圈采用倒“U”型结构，该倒“U”型结构为调压线圈采用双层螺旋式结构，调压线圈的引出线全部由下部引出。本技术具有以下有益效果及优点：1.本技术U型线圈内外层的电流方向相反，使得调压分接线全部接入时，调压分接线由于大电流引起的漏磁相互抵消，不用采取其他措施即可降低漏磁引起的过热问题，结构简单易行，从而保证变压器的夹件、拉板等结构件不过热，保证变压器长期安全稳定运行。附图说明图1A为本技术YNaod1自耦变压器向量连接组图(一)；图1B为本技术YNaod1自耦变压器向量连接组图(二)；图2为本技术YNaod1自耦变压器接线原理图；图3为本技术YNaod1自耦变压器低压侧接线原理图；图4为本技术YNaod1自耦变压器调压线圈结构图。其中，1为有载调压线圈，2为高压线圈，3为低压线圈，4为内层调压线圈，5为外层调压线圈。具体实施方式下面结合说明书附图对本技术作进一步阐述。本技术一种自耦有载调压变压器，包括高压线圈、有载调压线圈、公共中压线圈以及低压线圈，排列结构依次为铁芯-公共中压线圈-有载调压线圈-高压线圈-低压线圈，其中三相的公共中压线圈末端连接至中性点处，高压线圈末端串联有载调压线圈；每相高压绕组首、末端连接后通过开关与有载调压线圈的首端连接，有载调压线圈的末端作为该相的负极，有载调压线圈的首端作为该相的正极；每相中压绕组首端接有高压调压指针，该高压调压指针与该相有载调压线圈接触。有载调压线圈采用倒“U”型结构；倒“U”型结构为调压线圈采用双层螺旋式结构，形状象倒“U”型结构，因此称为“U”型结构。有载调压线圈的引出线全部由下部引出。如图1A-1B所示，本技术变压器的连接组别仅为YNa0d接法的自耦变压器。本实施例以三相五柱YNa0d1接法高压有载调压的大容量自耦变压器为例，其为一种相空心电抗器的自耦变压器，主要采用三相五柱式铁心结构，仅包含高压线圈、公共中压线圈、有载调压线圈以及低压线圈，YNa0d连接组别的自耦变压器，线圈排列方式为：铁芯-公共中压线圈-有载调压线圈-高压线圈-低压线圈。该种结构的变压器刚好能满足实际产品的阻抗要求。三相的公共中压线圈末端连接至中性点HOXO处。高压线圈末端带有载调压线圈。如图2所示，本技术自耦变压器为高压有载调压，自耦变压器的高压线圈采用端部出线结构，有载调压线圈为正反调，公共中压线圈为端部出线，三相的公共中压线圈末端连接至中性点HOXO处。线圈排列方式为：铁芯-公共中压线圈-调压线圈-高压线圈-低压线圈。如图3所示，为本技术自耦变压器低压线圈，三相连接成d1接法。本技术自耦变压器的调压方式是高压末端调压，低压绕组不带调压，调压范围为±16×0.9375％。如图4所示，为本技术自耦变压器有载调压线圈的结构图，本技术自耦变压器调压线圈引出线全部在下部引出，与常规产品不同，常规产品采用同样排列方式的常规自耦变压器的调压线圈采用上下两端出线方式，本技术的U型线圈内外层即内层调压线圈4和外层调压线圈5的电流方向相反，使得调压分接线全部接入时，调压分接线由于大电流引起的漏磁相互抵消，不用采取其他措施即可降低漏磁引起的过热问题，结构简单易行，从而保证变压器的夹件、拉板等结构件不过热，能更好的减小漏磁，从而降低变压器的总损耗，保证变压器长期安全稳定运行。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自耦有载调压变压器，其特征在于：包括高压线圈、有载调压线圈、公共中压线圈以及低压线圈，排列结构依次为铁芯-公共中压线圈-有载调压线圈-高压线圈-低压线圈，其中三相的公共中压线圈末端连接至中性点处，高压线圈末端串联有载调压线圈；每相高压绕组首、末端连接后通过开关与有载调压线圈的首端连接，有载调压线圈的末端作为该相的负极，有载调压线圈的首端作为该相的正极；每相中压绕组首端接有高压调压指针，该高压调压指针与该相有载调压线圈接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种自耦有载调压变压器，其特征在于：包括高压线圈、有载调压线圈、公共中压线圈以及低压线圈，排列结构依次为铁芯-公共中压线圈-有载调压线圈-高压线圈-低压线圈，其中三相的公共中压线圈末端连接至中性点处，高压线圈末端串联有载调压线圈；每相高压绕组首、末端连接后通过开关与有载调压线圈的首端连接，有载调压线圈的末端...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晖，许平，李松峰，
申请(专利权)人：特变电工沈阳变压器集团有限公司，特变电工股份有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21