【技术实现步骤摘要】
干燥装置
本专利技术涉及硅片生产设备的
,尤其是涉及一种干燥装置。
技术介绍
在整个半导体制造工艺过程中需要对晶圆进行必要的清洗和洁净化处理。晶圆经过清洗后,如果干燥过程使用的方法不当,会引入杂质,杂质重新黏结在晶圆表面上,造成二次污染。为达到晶圆生产的高洁净度要求,目前有三种基本的干燥机制:1、物理分离,如离心干燥;2、先用溶剂替换去离子水,然后再去除溶剂,如汽化干燥;3、利用IPA(异丙醇)蒸汽进行脱水干燥,如慢提拉干燥技术。而这三种干燥技术均对设备结构及配套设施要求较高,增加了生产成本,如离心干燥装置需配备高速稳定的旋转机构,汽化干燥则需配备适宜温度及浓度的溶剂和高压气体,而慢提拉干燥技术则需要配备慢拉装置及IPA溶液。且汽化干燥技术和慢提拉干燥会有高压气体或者溶液等引入,往往会再次引入杂质从而产生二次污染。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供干燥装置,以解决现有的晶圆干燥成本高、易二次污染的技术问题。本专利技术提供的一种干燥装置,包 ...
【技术保护点】
1.一种干燥装置,其特征在于,包括透光壳体和红外线加热装置,所述透光壳体内设置有用于放置晶圆的容腔;/n所述红外线加热装置发射的红外线能够穿过所述透光壳体对所述透光壳体内的晶圆进行干燥。/n
【技术特征摘要】
1.一种干燥装置,其特征在于,包括透光壳体和红外线加热装置,所述透光壳体内设置有用于放置晶圆的容腔;
所述红外线加热装置发射的红外线能够穿过所述透光壳体对所述透光壳体内的晶圆进行干燥。
2.根据权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,还包括干燥外壳,所述透光壳体设置在所述干燥外壳内,且所述透光壳体的上端凸出于所述干燥外壳,所述红外线加热装置设置在所述干燥外壳上;
在所述透光壳体上设置有遮盖板,所述遮盖板向外延伸并所述遮盖板至少能够遮盖所述干燥外壳和所述透光壳体之间的缝隙。
3.根据权利要求2所述的干燥装置,其特征在于,所述干燥外壳的侧壁上设置有至少一个安装口;
在所述安装口处设置有所述红外线加热装置,所述红外线加热装置发射的红外线通过所述安装口对所述透光壳体内的晶圆进行干燥。
4.根据权利要求3所述的干燥装置,其特征在于,所述干燥外壳上设置有两个所述安装口;两个所述安装口分别设置在所述干燥外壳的相对的侧壁上;
且在每一所述安装口处均设置有一个所述红外线加热装置,两个所述红外线加热装置分别从所述透光壳体的两侧对所述晶圆进行干燥。
5.根据权利要求3所述的干燥装置,其特征在于,所述红外线加热装置包括红...
【专利技术属性】
技术研发人员:王文丽,祝福生,张伟锋,夏楠君,赵宝君,王勇威,范文斌,
申请(专利权)人:北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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