磁保持电子锁的脉冲驱动电路及磁保持电子锁制造技术

本发明专利技术公开了一种磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其包括：供电单元，用于提供电源；脉冲转换单元，所述脉冲转换单元的输入端与所述供电单元连接，所述脉冲转换单元的输出端与电子锁连接，用于将电源电压转换为脉冲电压以控制所述磁保持电子锁上锁或解锁。本发明专利技术实施例通过供电单元对脉冲转换单元施加电压，由脉冲转换单元将电压转换为脉冲控制电子锁上锁或解锁，可以提高可靠性、提升安全性，且便于集成，成本低。另外本发明专利技术还公开了一种磁保持电子锁，所述磁保持电子锁中包括有所述磁保持电子锁的脉冲驱动电路。

The pulse drive circuit of magnetic hold electronic lock and magnetic hold electronic lock

【技术实现步骤摘要】
磁保持电子锁的脉冲驱动电路及磁保持电子锁
本专利技术涉及电子设备领域，尤其涉及一种磁保持电子锁的脉冲驱动电路及磁保持电子锁。
技术介绍
充电桩的充电枪电子锁对于整个充电过程十分重要，充电枪从准备充电到最后充电结束都与人们有着直接的接触，所以充电枪的安全性至关重要，而充电枪的电子锁用于充电过程确保充电的安全。当前市场上充电枪电子锁控制有两种方式，一种是磁保持电子锁，一种是脉冲式电子锁。脉冲式电子锁优点是不需要长时间供电，其缺点是断电时需要手动机械断开电子锁，不便于使用。磁保持电子锁的优点是断电立即断开电子锁，其缺点是需要长时间供电。具体地，磁保持电子锁是一种机械开关，和其它开关器件一样，对电路起着接通和切断作用。所不同的是，磁保持电子锁开关状态是依靠对线圈两端施加正负电压使其切换，最后由内部永久磁铁进行状态保持。其次，驱动时无论施加的是正电压还是负电压，线圈长时间通电会产生温升，对电子锁本身也会带来寿命与可靠性问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种磁保持电子锁的脉冲驱动电路，旨在解决相关技术中磁保持电子锁的可靠性低的技术问题。本专利技术提供了一种磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其包括：供电单元，用于提供电源；脉冲转换单元，所述脉冲转换单元的输入端与所述供电单元连接，所述脉冲转换单元的输出端用于与磁保持电子锁连接，所述脉冲转换单元用于将电源电压转换为脉冲电压以控制所述磁保持电子锁上锁或解锁。进一步地，所述脉冲转换单元包括：开关单元，所述开关单元与所述供电单元的正极和负极连接，且用于与所述磁保持电子锁连接以控制所述磁保持电子锁上锁或解锁；正向脉冲转换单元，所述正向脉冲转换单元连接在所述供电单元的正极和所述开关单元之间，用于反馈作用于所述开关单元以使所述开关单元截止形成正向脉冲；反向脉冲转换单元，所述反向脉冲转换单元连接在所述供电单元的负极和所述开关单元之间，用于反馈作用于所述开关单元以使所述开关单元截止形成反向脉冲。进一步地，所述开关单元包括：第二N沟道增强型MOS管，所述正向脉冲转换单元包括：第二电阻、第四电阻以及第一电容，所述第二N沟道增强型MOS管的栅极与所述供电单元的正极连接，所述第二N沟道增强型MOS管的源极与所述供电单元的负极连接，所述第二N沟道增强型MOS管的漏极与所述磁保持电子锁的负极连接，所述第四电阻连接在所述第二N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间，所述第二电阻连接在所述供电单元的正极和所述第二N沟道增强型MOS管的栅极之间，所述第一电容与所述第二电阻并联。进一步地，所述正向脉冲转换单元还包括：第一整流单元以及第一钳位单元，所述第一整流单元连接在所述供电单元的正极和所述第二电阻之间，所述第一钳位单元连接在所述第二N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间。进一步地，所述第一整流单元为第一整流二极管，所述第一钳位单元为第一钳位二极管，所述第一整流二极管的正极与所述供电单元的正极连接，所述第一整流二极管的负极与所述第二电阻连接，所述第一钳位二极管的正极与第二N沟道增强型MOS管的源极连接，所述第一钳位二极管的负极与所述第二N沟道增强型MOS管的栅极连接。进一步地，所述开关单元包括：第一N沟道增强型MOS管，所述反向脉冲转换单元包括：第一电阻、第三电阻以及第二电容，所述第一N沟道增强型MOS管的源极与所述供电单元的正极连接，所述第一N沟道增强型MOS管的栅极与所述供电单元的负极连接，所述第一N沟道增强型MOS管的漏极与所述磁保持电子锁的正极连接，所述第一电阻连接在所述第一N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间，所述第三电阻连接在所述供电单元的负极和所述第一N沟道增强型MOS管的栅极之间，所述第二电容和所述第三电阻并联。进一步地，所述反向脉冲转换单元还包括：第二整流单元以及第二钳位单元，所述第二整流单元连接在所述供电单元的负极和所述第三电阻之间，所述第二钳位单元连接在所述第一N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间。进一步地，所述第二整流单元为第二整流二极管，所述第二钳位单元为第二钳位二极管，所述第二整流二极管的正极与所述供电单元的负极连接，所述第二整流二极管的负极与所述第三电阻连接，所述第二钳位二极管的正极与所述第一N沟道增强型MOS管的源极连接，所述第二钳位二极管的负极与所述第一N沟道增强型MOS管的栅极连接。进一步地，所述脉冲转换单元包括：第一N沟道增强型MOS管、第二N沟道增强型MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一整流二极管、第二整流二极管、第一钳位二极管、第二钳位二极管以及双向瞬态抑制二极管，所述第一N沟道增强型MOS管的源极与所述供电单元的正极连接，所述第一N沟道增强型MOS管的栅极与所述供电单元的负极连接，所述第一N沟道增强型MOS管的漏极与所述磁保持电子锁的正极连接，所述第一电阻连接在所述第一N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间，所述第三电阻连接在所述供电单元的负极和所述第一N沟道增强型MOS管的栅极之间，所述第二电容和所述第三电阻并联；所述第二整流二极管的正极与所述供电单元的负极连接，所述第二整流二极管的负极与所述第三电阻连接，所述第二钳位二极管的正极与所述第一N沟道增强型MOS管的源极连接，所述第二钳位二极管的负极与所述第一N沟道增强型MOS管的栅极连接；所述第二N沟道增强型MOS管的栅极与所述供电单元的正极连接，所述第二N沟道增强型MOS管的源极与所述供电单元的负极连接，所述第二N沟道增强型MOS管的漏极与所述磁保持电子锁的负极连接，所述第四电阻连接在所述第二N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间，所述第二电阻连接在所述供电单元的正极和所述第二N沟道增强型MOS管的栅极之间，所述第一电容与所述第二电阻并联；所述第一整流二极管的正极与所述供电单元的正极连接，所述第一整流二极管的负极与所述第二电阻连接，所述第一钳位二极管的正极与第二N沟道增强型MOS管的源极连接，所述第一钳位二极管的负极与所述第二N沟道增强型MOS管的栅极连接；所述双向瞬态抑制二极管连接在所述磁保持电子锁的正极和所述磁保持电子锁的负极之间。本专利技术还提供了一种磁保持电子锁，其包括：磁保持电子锁的脉冲驱动电路，所述磁保持电子锁的脉冲驱动电路为上述所述的磁保持电子锁的脉冲驱动电路。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过供电单元对脉冲转换单元施加电压，由脉冲转换单元将电压转换为脉冲控制磁保持电子锁上锁或解锁，可以提高可靠性、提升安全性，且便于集成，成本低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术磁保持电子锁的脉冲驱动电路的示意框图；图2为本专利技术磁保持电子锁的脉冲驱动电路的脉冲转换单元的示意框图；以及图3为本专利技术磁保持电子锁的脉冲驱动电路的电路示意图。具体实施方式下面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，包括：/n供电单元，用于提供电源；/n脉冲转换单元，所述脉冲转换单元的输入端与所述供电单元连接，所述脉冲转换单元的输出端用于与磁保持电子锁连接，所述脉冲转换单元用于将电源电压转换为脉冲电压以控制所述磁保持电子锁上锁或解锁。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，包括：
供电单元，用于提供电源；
脉冲转换单元，所述脉冲转换单元的输入端与所述供电单元连接，所述脉冲转换单元的输出端用于与磁保持电子锁连接，所述脉冲转换单元用于将电源电压转换为脉冲电压以控制所述磁保持电子锁上锁或解锁。


2.根据权利要求1所述的磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，所述脉冲转换单元包括：
开关单元，所述开关单元与所述供电单元的正极和负极连接，且用于与所述磁保持电子锁连接以控制所述磁保持电子锁上锁或解锁；
正向脉冲转换单元，所述正向脉冲转换单元连接在所述供电单元的正极和所述开关单元之间，用于反馈作用于所述开关单元以使所述开关单元截止形成正向脉冲；
反向脉冲转换单元，所述反向脉冲转换单元连接在所述供电单元的负极和所述开关单元之间，用于反馈作用于所述开关单元以使所述开关单元截止形成反向脉冲。


3.根据权利要求2所述的磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，所述开关单元包括：第二N沟道增强型MOS管，所述正向脉冲转换单元包括：第二电阻、第四电阻以及第一电容，所述第二N沟道增强型MOS管的栅极与所述供电单元的正极连接，所述第二N沟道增强型MOS管的源极与所述供电单元的负极连接，所述第二N沟道增强型MOS管的漏极与所述磁保持电子锁的负极连接，所述第四电阻连接在所述第二N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间，所述第二电阻连接在所述供电单元的正极和所述第二N沟道增强型MOS管的栅极之间，所述第一电容与所述第二电阻并联。


4.根据权利要求3所述的磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，所述正向脉冲转换单元还包括：第一整流单元以及第一钳位单元，所述第一整流单元连接在所述供电单元的正极和所述第二电阻之间，所述第一钳位单元连接在所述第二N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间。


5.根据权利要求4所述的磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，所述第一整流单元为第一整流二极管，所述第一钳位单元为第一钳位二极管，所述第一整流二极管的正极与所述供电单元的正极连接，所述第一整流二极管的负极与所述第二电阻连接，所述第一钳位二极管的正极与第二N沟道增强型MOS管的源极连接，所述第一钳位二极管的负极与所述第二N沟道增强型MOS管的栅极连接。


6.根据权利要求2所述的磁保持电子锁的脉冲驱动电路，其特征在于，所述开关单元包括：第一N沟道增强型MOS管，所述反向脉冲转换单元包括：第一电阻、第三电阻以及第二电容，所述第一N沟道增强型MOS管的源极与所述供电单元的正极连接，所述第一N沟道增强型MOS管的栅极与所述供电单元的负极连接，所述第一N沟道增强型MOS管的漏极与所述磁保持电子锁的正极连接，所述第一电阻连接在所述第一N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间，所述第三电阻连接在所述供电单元的负极和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡清，田宇威，林国军，
申请(专利权)人：深圳巴斯巴科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44