一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板制造技术

本发明专利技术涉及一种空穴注入材料，包括具有式(I)的结构的化合物和/或具有式(I)的结构的化合物的金属络合物：R

A hole injection material, a hole injection layer including the hole injection material and an OLED display panel

【技术实现步骤摘要】
一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板
本专利技术属于有机发光二极管制备领域，具体涉及一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板和电子设备。
技术介绍
OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光，对比度高、厚度薄、响应速度快、可制成柔性面板，构造简单等优异特性，被认为是下一代的平面显示技术。OLED器件的结构一般为：阴极(Cathode)/电子注入层(EIL)/电子传输层(ETL)/发光层(EML)/空穴传输层(HTL)/空穴注入层(HIL)/阳极(Anode)。能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，OLED器件的一般结构，大多使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求，一般而言，主体材料的HOMO能级需要与客体材料的LUMO能级接近，这样一来，HOMO能级的电子就能更跳跃至掺杂剂的LUMO能级，从而使的空穴传输层形成自由空穴，实现器件电导率的提升。同时，掺杂还可以使界面能带发生弯曲，空穴就能够以穿隧的方式注入。本领域需要开发一种具有较强还原电位，空穴注入性能优异，且与空穴传输层能级匹配的空穴注入层。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8均各自独立地选自吸电子基团、氢原子、非吸电子基团；且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8至少一项为吸电子基团；n为1～3的整数，例如1、2、3等。本专利技术提供的空穴注入材料，具有交叉共轭的结构，且所述交叉共轭的结构上必须具有吸电子基团，吸电子基团能够赋予所述空穴注入材料还原电位，实现辅助空穴传输层进行空穴注入的目的。本专利技术提供的空穴注入材料具有良好的非平面特性，能够有效防止结晶效应的发生。所述交叉共轭的结构可以理解为“在共轭体系中，两个共轭系统分别与第三个π键体系共轭，但这两个共轭系统互不共轭，称为交叉共轭体系”。对于本专利技术提供的空穴注入材料，吸电基团配合大交叉共轭体系，电子离域范围增加，接受电子的区域能够扩展至更大范围，此时，大量电子从空穴传输材料的HOMO跳至掺杂材料的LUMO能级，使得空穴传输材料形成更多的自由空穴，从而提高了器件的电导率。本专利技术中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8至少一项为吸电子基团，或至少两项为吸电子基团，或至少三项为吸电子基团，或至少四项为吸电子基团，或至少五项为吸电子基团，或至少六项为吸电子基团，或至少七项为吸电子基团，或至少八项为吸电子基团。优选地，所述吸电子基团包括含有氰基的基团、含有氟原子的基团、含有羰基的基团、含有烷氧基的基团中的任意1种或至少2种的组合。氰基、氟原子的吸电子能力较强，与通式结合更能够获得较强的还原电位，空穴注入效率更高。优选地，所述吸电子基团具有式(III)的结构：其中，R’1、R’2、R’3、R’4、R’5均各自独立地选自氢原子、氰基、氟原子、三氟甲基、二氰基乙烯基中的任意1种，且R’1、R’2、R’3、R’4、R’5不同时为氢原子。优选地，所述吸电子基团包括-CN、-F中的任意1种或至少2种的组合。示例性地，所述空穴注入材料包括：中的任意1种或至少2种的组合。本专利技术所述的空穴注入材料的制备方法可以是本领域已知或新的技术，任何一种制备方法制备得到的满足本专利技术权利范围的材料均可用于本专利技术。本专利技术所述空穴注入材料也可以称为无环分枝多烯。示例性地，本专利技术所述的空穴注入材料的制备方法可以参照以下文献：①FacileSynthesisandPalladium‐CatalyzedCross‐CouplingReactionsof2,3‐Bis(pinacolatoboryl)‐1,3‐butadiene，Chem.Asian,J.2007,2,1400–1408；作者Shimizu,M.,Kurahashi等。②StereoselectiveCross-CouplingReactionof1,1-Diboryl-1-alkeneswithElectrophiles:AHighlyStereocontrolledApproachto1,1,2-Triaryl-1-alkenes，J.Am.Chem.Soc.,2005,127,12506–12507；作者Shimizu,M.等。③FacileSynthesisofDendralenesBasedontheCross-couplingReactionof2,3-Bis(pinacolato)boryl-1,3-butadiene，Chem.Lett.,2004,33,1066–1067；作者Shimizu,M.等。本专利技术提供的空穴注入材料单独使用容易产生串扰，与空穴传输材料掺杂使用能够提高器件的效率，因此所述空穴注入材料需要与空穴传输材料进行掺杂使用。本专利技术目的之二是提供一种空穴注入层，所述空穴注入层包括空穴传输材料以及掺杂在所述空穴传输材料中的如目的之一所述的空穴注入材料。优选地，所述空穴注入层中，空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:1～1:10000，例如1:2、1:10、1:100、1:300、1:500、1:800、1:1000、1:1500、1:2000、1:3000、1:4000、1:5000、1:8000、1:9000等。所述空穴注入层中，空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:20～1:200。空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:20～1:200，既能够保证器件具有较高的使用寿命，较低的启动电压，又能够有效防止不同像素间的串扰。优选地，所述空穴传输材料的HOMO能级与所述p型掺杂材料的LUMO能级之差≤0.30eV，例如0.10eV、0.15eV、0.20eV、0.25eV等。优选地，所述空穴传输材料包括三芳胺类空穴传输材料、螺芴类空穴传输材料、芴基类空穴传输材料中的任意1种或至少2种的组合。优选地，所述空穴传输材料包括NPB、TPD、m-MTDATA中的任意1种或至少2种的组合。本专利技术目的之三是提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包含第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置包括发光层和空穴注入层在内的叠层结构；所述空穴注入层为目的之二所述的空穴注入层；或所述空穴注入层的材料包括目的之一所述的空穴注入材料。优选地，所述叠层还包括电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、电子阻挡层中的任意1种或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：/n

【技术特征摘要】
1.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：



R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8均各自独立地选自吸电子基团、氢原子、非吸电子基团；且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8至少一项为吸电子基团；
n为1～3的整数。


2.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述吸电子基团包括含有氰基的基团、含有氟原子的基团、含有羰基的基团、含有烷氧基的基团中的任意1种或至少2种的组合。


3.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述吸电子基团具有式(III)的结构：



其中，R’1、R’2、R’3、R’4、R’5均各自独立地选自氢原子、氰基、氟原子、三氟甲基、二氰基乙烯基中的任意1种，且R’1、R’2、R’3、R’4、R’5不同时为氢原子。


4.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述吸电子基团包括

-CN、-F中的任意1种或至少2种的组合。


5.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括：


中的任意1种或至少2种的组合。


6.一种空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层包括空穴传输材料以及掺杂在所述空穴传输材料中的如权利要求1～5之一所述的空穴注入材料。


7.如权利要求6所述的空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层中，空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:1～1:10000。


8.如权利要求6所述的空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层中，空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:20～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞云海，杨红领，鄢亮亮，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31