一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板制造技术

本发明专利技术涉及一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：R

【技术实现步骤摘要】
一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板
本专利技术属于有机发光二极管制备领域，具体涉及一种空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板和电子设备。
技术介绍
OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光，对比度高、厚度薄、响应速度快、可制成柔性面板，构造简单等优异特性，被认为是下一代的平面显示技术。OLED器件的结构一般为：阴极(Cathode)/电子注入层(EIL)/电子传输层(ETL)/发光层(EML)/空穴传输层(HTL)/空穴注入层(HIL)/阳极(Anode)。能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，OLED器件的一般结构，大多使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求，一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：/n

【技术特征摘要】
1.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括具有式(I)的结构的化合物：



R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8均各自独立地选自吸电子基团、氢原子、非吸电子基团；且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8至少一项为吸电子基团。


2.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述吸电子基团包括含有氰基的基团、含有氟原子的基团、含有羰基的基团、含有烷氧基的基团中的任意1种或至少2种的组合。


3.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述吸电子基团具有式(III)的结构：



其中，R’1、R’2、R’3、R’4、R’5均各自独立地选自氢原子、氰基、氟原子、三氟甲基、二氰基乙烯基中的任意1种，且R’1、R’2、R’3、R’4、R’5不同时为氢原子。


4.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述吸电子基团包括



-CN、-F中的任意1种或至少2种的组合。


5.如权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括：


中的任意1种或至少2种的组合。


6.一种空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层包括空穴传输材料以及掺杂在所述空穴传输材料中的如权利要求1～5之一所述的空穴注入材料。


7.如权利要求6所述的空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层中，空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:1～1:10000。


8.如权利要求6所述的空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层中，空穴注入材料与空穴传输材料的掺杂摩尔比为1:20～1:20...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞云海，杨红领，鄢亮亮，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31