【技术实现步骤摘要】
高生产量CMP平台本申请是分案申请,其母案申请的申请号为201310163387.8、申请日为2013年05月06日、专利技术名称为“高生产量CMP平台”。
本专利技术一般地涉及半导体
,更具体地来说,涉及化学机械抛光系统及其方法。
技术介绍
在半导体制造中,在形成完整管芯之前,半导体晶圆通常经过多个工艺步骤或阶段。例如,这样的工艺步骤可以包括光刻、蚀刻、半导体掺杂、以及在半导体晶圆上沉积和/或移除多种材料。不同工艺步骤期间花费的时间直接确定独立工艺的生产量和形成完整管芯的生产量。然而,一些工艺可能要求对工件再加工,其中,对工件进行校正,以达到多种标准。例如,在化学-机械抛光(CMP)期间,可以在一个或多个相应的抛光台处实施一个或多个抛光步骤。一旦工件经过所有抛光步骤,就对抛光后的工件测量多种参数。传统上,当在CMP工艺之后,一个或多个被测量的参数不在规范内时,工件通常被返回到相同的一个或多个抛光台,以在被称为“再加工”期间实现期望参数。然而,由于相同抛光台过多地用于初始抛光和再加工抛光,所以这样的再加工技术通常通过CMP工艺降低工件生产量。当工件尺寸增加时,由于抛光更大工件花费更长时间,使用相同抛光台的这样的传统再加工技术降低生产量。
技术实现思路
以下提供简化概述,以提供本专利技术的一个或多个方面的基本理解。该概要不是本专利技术的完整描述,并且既不旨在识别本专利技术的关键或重要元件,并且也不是对本专利技术的范围进行划界。而是,概要的主要目的在于以简化形式提出本专利 ...
【技术保护点】
1.一种化学机械抛光系统,包括:/n第一抛光装置,包括第一抛光盘和第一CMP头,其中,所述第一CMP头被配置成当工件被放置在所述第一抛光盘上时以粗抛光方式对所述工件实施第一化学机械抛光;/n第二抛光装置,包括第二抛光盘和第二CMP头,其中,所述第二CMP头被配置成当所述工件被放置在所述第二抛光盘上时以细抛光方式对所述工件实施第二化学机械抛光;/n再加工抛光装置,包括再加工抛光盘和多个再加工CMP头,其中,所述再加工CMP头被配置成当所述工件被放置在所述再加工抛光盘上时对所述工件实施辅助化学机械抛光;/n测量装置,被配置成测量所述工件的一个或多个参数,所述一个或多个参数至少包括抛光均匀性;/n传送装置,被配置成在所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置以及所述测量装置中的两个或更多个装置之间传送所述工件;以及/n控制器,被配置成仅当所述测量装置所测量的所述一个或多个参数不符合要求时,经由所述传送装置将所述工件选择性地传送到所述再加工抛光装置,其中,所述控制器进一步被配置成当测量的所述抛光均匀性不符合要求时选择所述多个再加工CMP头中的用于均匀性问题的一个以对所述工件实施所述 ...
【技术特征摘要】
20130204 US 13/758,3781.一种化学机械抛光系统,包括:
第一抛光装置,包括第一抛光盘和第一CMP头,其中,所述第一CMP头被配置成当工件被放置在所述第一抛光盘上时以粗抛光方式对所述工件实施第一化学机械抛光;
第二抛光装置,包括第二抛光盘和第二CMP头,其中,所述第二CMP头被配置成当所述工件被放置在所述第二抛光盘上时以细抛光方式对所述工件实施第二化学机械抛光;
再加工抛光装置,包括再加工抛光盘和多个再加工CMP头,其中,所述再加工CMP头被配置成当所述工件被放置在所述再加工抛光盘上时对所述工件实施辅助化学机械抛光;
测量装置,被配置成测量所述工件的一个或多个参数,所述一个或多个参数至少包括抛光均匀性;
传送装置,被配置成在所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置以及所述测量装置中的两个或更多个装置之间传送所述工件;以及
控制器,被配置成仅当所述测量装置所测量的所述一个或多个参数不符合要求时,经由所述传送装置将所述工件选择性地传送到所述再加工抛光装置,其中,所述控制器进一步被配置成当测量的所述抛光均匀性不符合要求时选择所述多个再加工CMP头中的用于均匀性问题的一个以对所述工件实施所述辅助化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统,进一步包括:加载装置,所述加载装置被配置成在多个FOUP之一和所述传送装置之间传送所述工件。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统,进一步包括:清洁装置,所述清洁装置被配置成从所述工件清理抛光残留物,其中,所述传送装置进一步被配置成在所述清洁装置与所述第一抛光装置、所述第二抛光装置和所述再加工抛光装置中的一个或多个装置之间传送所述工件。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统,其中,所述第一抛光装置和第二抛光装置总体上限定抛光台。
5.根据权利要求4所述的化学机械抛光系统,其中,所述化学机械抛光系统包括多个抛光台。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统,其中,所述第一抛光盘和第二抛光盘均被配置成同时支撑多个工件,其中,所述第一抛光装置和第二抛光装置均被配置成同时化学机械抛光相应的所述多个工件。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统,其中,所述传送装置包括机器人,所述机器人被配置成经由双臂处理装置选择性地传送两个或更多工件。
8.根据权利要求7所述的化学机械抛光系统,其中,所述机器人进一步可操作地连接至轨道,所述机器人被配置成沿着所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置、所述测量装置、清洁装置以及负载锁定室中的两个或更多个装置之间的轨道平移。
9.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统,其中,所述多个再加工CMP头中的每一个均分别被配置成实施多个功能之一和/或遵循多个化学机械抛光配方之一。
10.根据权利要求9所述的化学机械抛光系统,其中,所述控制器进一步被配置成基于不符合要求的所述多个参数中除所述抛光均匀性以外的参数选择所述多个再加工CMP头中的另一个。
11.根据权利要求9所述的化学机械抛光系统,其中,所述多个功能和/或多个化学机械抛光配方与移除特定材料、辅助抛光所述工件上的特定位置、以及用于移除一种或多种材料的特定抛光液配方中一个或多...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴健立,沈宪聪,黄循康,黄正吉,杨棋铭,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;TW
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