导电性粒子、导电性粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体技术

本发明专利技术提供一种能够有效地提高电极之间导通可靠性，能有效地防止由于外部冲击导致的导电部的破裂的导电性粒子。本发明专利技术的导电性粒子，其具备：基材粒子、第一导电部，其设置于所述基材粒子的表面上、以及第二导电部，其设置于所述第一导电部中的外表面上，使用电子显微镜观察所述第二导电部中的外表面时，不存在最大长度方向上的尺寸为50nm以上的针孔，或者存在1个/μm

Conductive particles, manufacturing methods of conductive particles, conductive materials and connecting structures

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性粒子、导电性粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体
本专利技术涉及一种例如用于对电极间进行电连接的导电性粒子。另外，本专利技术涉及所述导电性粒子的制造方法、使用所述导电性粒子的导电材料以及连接结构体。
技术介绍
各向异性导电糊剂和各向异性导电膜等各向异性导电材料是众所周知的。该各向异性导电材料中，导电性粒子分散于粘合剂树脂中。另外，作为导电性粒子，可以使用导电层的表面经过绝缘处理的导电性粒子。所述各向异性导电材料用于得到各种连接结构体。作为通过所述各向异性导电材料的连接，例如，可列举：挠性印刷基板与玻璃基板(FOG(FilmonGlass))的连接、半导体芯片与挠性印刷基板(COF(ChiponFilm)的连接、半导体芯片与玻璃基板(COG(ChiponGlass))之间的连接、挠性印刷基板与玻璃环氧基板(FOB(FilmonBoard)之间的连接等。作为所述导电性粒子的一个例子，下述专利文献1公开了具备基材粒子和覆盖该基材粒子的表面的导电性金属层的导电性粒子。所述基材粒子是玻璃化转变温度(Tg)为50℃以上且10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性粒子，其具备：/n基材粒子、/n第一导电部，其设置于所述基材粒子的表面上、以及/n第二导电部，其设置于所述第一导电部的外表面上，/n使用电子显微镜观察所述第二导电部的外表面时，不存在最大长度方向上的尺寸为50nm以上的针孔，或者存在1个/μm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170622 JP 2017-1223881.一种导电性粒子，其具备：
基材粒子、
第一导电部，其设置于所述基材粒子的表面上、以及
第二导电部，其设置于所述第一导电部的外表面上，
使用电子显微镜观察所述第二导电部的外表面时，不存在最大长度方向上的尺寸为50nm以上的针孔，或者存在1个/μm2以下的最大长度方向上的尺寸为50nm以上的针孔。


2.一种导电性粒子，其具备：
基材粒子、
第一导电部，其设置于所述基材粒子的表面上、以及
第二导电部，其设置在所述第一导电部的外表面上，
使用电子显微镜观察所述第二导电部的外表面时，不存在最大长度方向上的尺寸为50nm以上的针孔，或者存在1个/μm2以下的最大长度方向上的尺寸为50nm以上200nm以下的针孔。


3.根据权利要求1或2所述的导电性粒子，其满足下述式(1)，并且在25℃的压缩恢复率为10％以下，
A≤5500-B×100…式(1)
上述式(1)中，A为上述导电性粒子的10％K值(N/mm2)，B为上述导电性粒子的平均粒径(μm)。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性粒子，其平均粒径为3μm以上且30μm以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性粒子，其中，所述第二导电部包括金、银、钯、铂、铜、钴、钌、铟或锡。


6.根据权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：大秦嘉代，真原茂雄，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP