利用低损耗装料检测的解冻设备及其操作方法技术

一种系统包括射频(RF)信号源，所述RF信号源被配置成供应RF信号。电极耦合到所述RF信号源，并且传输路径在所述RF信号源与所述电极之间。所述传输路径被配置成将所述RF信号从所述RF信号源传送到所述电极以使所述电极将RF电磁能辐射到腔室中。功率检测电路系统耦合到所述传输路径并且被配置成反复地测量RF功率值，所述RF功率值包括沿着所述传输路径的前向RF功率值和反射RF功率值中的至少一个功率值。控制器被配置成基于所述RF功率值的改变速率而确定所述腔室中的装料为低损耗装料，并且使所述RF信号源供应具有一个或多个所要信号参数的所述RF信号。

Defrosting equipment and operation method for low loss loading detection

【技术实现步骤摘要】
利用低损耗装料检测的解冻设备及其操作方法
本文中所描述的主题的实施例大体上涉及操作热增加系统以使用射频(RF)能量解冻装料(load)的设备及方法。
技术介绍
常规的电容性食物解冻(或融化)系统包括容纳在加热室内的平面电极。在将食物装料放置在电极之间且使电极与食物装料极为接近之后，将电磁能供应到电极，以实现对食物装料的平缓升温。随着在解冻操作期间食物装料融化，食物装料的阻抗发生改变。然而，某些装料包括可能不有效地吸收电磁能的低损耗介电材料。替代地，能量可主要以热能形式通过系统的电路系统耗散，这可能导致解冻系统内的电路系统的不必要加热。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种系统，包括：射频(RF)信号源，所述RF信号源被配置成供应RF信号；电极，所述电极耦合到所述RF信号源；传输路径，所述传输路径在所述RF信号源与所述电极之间，其中所述传输路径被配置成将所述RF信号从所述RF信号源传送到所述电极以使所述电极将RF电磁能辐射到腔室中；功率检测电路系统，所述功率检测电路系统耦合到所述传输路径并且被配置成反复地测量RF功率值，所述RF功率值包括沿着所述传输路径的前向RF功率值和反射RF功率值中的至少一个功率值；以及控制器，所述控制器被配置成：基于所述RF功率值的改变速率而确定所述腔室中的装料为低损耗装料，并且使所述RF信号源供应具有一个或多个所要信号参数的所述RF信号。在一个或多个实施例中，所述系统进一步包括至少一个可变阻抗网络，所述至少一个可变阻抗网络包括具有至少一个分量配置的至少一个可变组件，其中所述至少一个可变阻抗网络耦合在所述RF信号源与所述电极之间。在一个或多个实施例中，所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：测量多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述至少一个可变组件的不同分量配置相关联；以及确定所述多个RF功率值中大于第一功率值阈值的RF功率值的第一数目。在一个或多个实施例中，所述控制器被配置成通过确定RF功率值的所述第一数目小于RF功率值的第二阈值数目来确定所述装料为所述低损耗装料。在一个或多个实施例中，所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：测量多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述至少一个可变组件的不同分量配置相关联；对于所述多个RF功率值中的每一个RF功率值，确定与所述RF功率值相关联的点分数，其中所述点分数至少部分地由与所述RF功率值相关联的所述分量配置确定；使用每个RF功率值的所述点分数来确定总点分数；以及确定所述总点分数小于阈值点分数。在一个或多个实施例中，所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：测量多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述至少一个可变组件的分量配置相关联；确定所述多个RF功率值的改变速率；以及比较所述多个RF功率值的所述改变速率与改变速率阈值。在一个或多个实施例中，所述装料在所述RF信号的频率下具有小于0.01的损耗角正切。根据本专利技术的第二方面，提供一种热增加系统，包括：射频(RF)信号源，所述RF信号源被配置成将RF信号供应到电极以使所述电极辐射RF电磁能；功率检测电路系统，所述功率检测电路系统被配置成反复地测量所述RF电磁能的RF功率值以产生多个RF功率值；以及控制器，所述控制器被配置成基于所述多个RF功率值的改变速率而确定接近于所述电极的装料为低损耗装料，并且响应于确定所述装料为所述低损耗装料而确定所述RF信号的一个或多个信号参数。在一个或多个实施例中，所述热增加系统进一步包括耦合到所述电极的可变阻抗网络，所述可变阻抗网络具有多个配置，并且其中所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：测量所述多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述可变阻抗网络的不同配置相关联；以及确定所述多个RF功率值中大于第一功率值阈值的RF功率值的第一数目。在一个或多个实施例中，所述控制器被配置成通过确定RF功率值的所述第一数目小于RF功率值的第二阈值数目来确定所述装料为所述低损耗装料。在一个或多个实施例中，所述热增加系统进一步包括耦合到所述电极的可变阻抗网络，所述可变阻抗网络具有多个配置，并且其中所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：测量所述多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述可变阻抗网络的不同配置相关联；对于所述多个RF功率值中的每一个RF功率值，确定与所述RF功率值相关联的点分数；使用每个RF功率值的所述点分数来确定总点分数；以及确定所述总点分数小于阈值点分数。在一个或多个实施例中，所述控制器被配置成使所述RF信号源在所述功率检测电路系统反复地测量所述多个RF功率值时修改所述RF信号的频率。在一个或多个实施例中，所述多个RF功率值中的第一RF功率值与所述RF信号的第一频率相关联，并且所述多个RF功率值中的第二RF功率值与所述RF信号的第二频率相关联，并且所述多个RF功率值的所述改变速率至少部分地由所述第一RF功率值和所述第二RF功率值确定。在一个或多个实施例中，所述热增加系统进一步包括耦合到所述电极的可变阻抗网络，所述可变阻抗网络具有多个配置，并且其中所述控制器被配置成在所述功率检测电路系统反复地测量所述多个RF功率值时修改所述可变阻抗网络的配置。在一个或多个实施例中，所述多个RF功率值中的第一RF功率值与所述可变阻抗网络的第一配置相关联，并且所述多个RF功率值中的第二RF功率值与所述可变阻抗网络的第二配置相关联，并且所述多个RF功率值的所述改变速率至少部分地由所述第一RF功率值和所述第二RF功率值确定。在一个或多个实施例中，所述一个或多个信号参数为小于20瓦特的功率值。根据本专利技术的第三方面，提供一种方法，包括：由射频(RF)信号源将一个或多个RF信号供应到电耦合于所述RF信号源与定位成接近于腔室的一个或多个电极之间的传输路径，以使所述一个或多个电极辐射RF电磁能；由测量电路系统沿着所述传输路径周期性地测量所述RF信号的RF功率值，从而产生多个RF功率值；由控制器确定所述多个RF功率值的改变速率；由所述控制器并且基于所述改变速率确定所述腔室中的装料为低损耗装料；以及响应于确定所述装料为所述低损耗装料，由所述控制器修改RF信号源的操作。在一个或多个实施例中，确定所述装料为所述低损耗装料进一步包括：测量所述多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与耦合到所述一个或多个电极的可变阻抗网络的不同配置相关联；以及确定所述多个RF功率值中大于第一功率值阈值的RF功率值的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，其特征在于，包括：/n射频(RF)信号源，所述RF信号源被配置成供应RF信号；/n电极，所述电极耦合到所述RF信号源；/n传输路径，所述传输路径在所述RF信号源与所述电极之间，其中所述传输路径被配置成将所述RF信号从所述RF信号源传送到所述电极以使所述电极将RF电磁能辐射到腔室中；/n功率检测电路系统，所述功率检测电路系统耦合到所述传输路径并且被配置成反复地测量RF功率值，所述RF功率值包括沿着所述传输路径的前向RF功率值和反射RF功率值中的至少一个功率值；以及/n控制器，所述控制器被配置成：/n基于所述RF功率值的改变速率而确定所述腔室中的装料为低损耗装料，并且/n使所述RF信号源供应具有一个或多个所要信号参数的所述RF信号。/n

【技术特征摘要】
20180914 US 16/131,6061.一种系统，其特征在于，包括：
射频(RF)信号源，所述RF信号源被配置成供应RF信号；
电极，所述电极耦合到所述RF信号源；
传输路径，所述传输路径在所述RF信号源与所述电极之间，其中所述传输路径被配置成将所述RF信号从所述RF信号源传送到所述电极以使所述电极将RF电磁能辐射到腔室中；
功率检测电路系统，所述功率检测电路系统耦合到所述传输路径并且被配置成反复地测量RF功率值，所述RF功率值包括沿着所述传输路径的前向RF功率值和反射RF功率值中的至少一个功率值；以及
控制器，所述控制器被配置成：
基于所述RF功率值的改变速率而确定所述腔室中的装料为低损耗装料，并且
使所述RF信号源供应具有一个或多个所要信号参数的所述RF信号。


2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括至少一个可变阻抗网络，所述至少一个可变阻抗网络包括具有至少一个分量配置的至少一个可变组件，其中所述至少一个可变阻抗网络耦合在所述RF信号源与所述电极之间。


3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：
测量多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述至少一个可变组件的不同分量配置相关联；以及
确定所述多个RF功率值中大于第一功率值阈值的RF功率值的第一数目。


4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述控制器被配置成通过确定RF功率值的所述第一数目小于RF功率值的第二阈值数目来确定所述装料为所述低损耗装料。


5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述控制器被配置成通过以下操作来确定所述装料为所述低损耗装料：
测量多个RF功率值，其中所述多个RF功率值中的每一个RF功率值与所述至少一个可变组件的不同分量配置相关联；
对于所述多个RF功率值中的每一个RF功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾米森·迈克尔·麦卡维尔，利昂内尔·蒙然，皮埃里·马里·让·皮埃尔，陈华雄，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US