【技术实现步骤摘要】
具有电流反馈放大器特性的高速电压反馈放大器
本专利技术涉及一种电压反馈放大器,尤其是涉及高速电压反馈放大器。
技术介绍
运算放大器按照反馈方式的不同,可以分为电流反馈放大器(CFA,如图1B所示)和电压反馈放大器(VFA,如图1C所示)两种。这两种结构的运算放大器有各自的优点:电压反馈放大器的优点在于:内部结构和外围应用电路简单,用反馈电阻和输入电阻即可确定输入零点和环路增益,同时由于正负输入端是对称的差分对管结构,输入阻抗大,共模特性好,芯片具有良好的共模抑制比和电源抑制比。电流反馈放大器的优点在于:内部的输入级和增益级都采用高频特性好的跟随器结构和电流镜结构,放大器的带宽是不受反馈环路限制的,所以整个放大器具有宽带,高频特性好,压摆率高的优点。两种放大器的缺点也是很明显的:对于电压反馈放大器,由于带宽和反馈环路增益的乘积是恒定的,所以在保证合适增益的情况下,放大器的带宽一般偏小,高频性能不如电流放大器。加上差分输入节点的电容较大,内部补偿补偿电容的存在,整个放大器的压摆率较小,在高摆率大信号输入时的转换性能较差。对于电流反馈放大器,内部电路结构复杂,外围应用电路的参数设置较为严格,首先确定合适的反馈电阻,因为反馈电阻影响放大器的主极点和带宽;然后选取合适的输入电阻,因为正负输入端是不对称的,正输入为高阻节点,负输入为低阻节点,输入电阻过大会导致环路增益减小,限制了应用范围,输入电阻过小会导致输入零点频率过小,减小了带宽并严重影响放大器的高频特性。同时,不对称的输入级让芯片的 ...
【技术保护点】
1.一种具有电流反馈放大器特性的高速电压反馈放大器,包括:/n输入级电路(10),设置有正输入端INP和负输入端INN,输入级电路(10)能将正负两路电压信号转换为电流信号;/n增益级电路(20),将上述电流信号进行跨导放大,输出一个电压信号;/n输出级电路(30),将电压信号传递到本放大器的输出端OUT,增加电流驱动能力;/n其特征是:/n输入级电路(10)包括:/n第一缓冲器(110),其输入端为正输入端INP;/n第二缓冲器(120),其输入端为正输入端INN;/n电阻Re,其两端分别连接第一缓冲器(110)的第一输出端和第二缓冲器(120)的输出端;/n第一缓冲器(110)的第二输出端连接增益级电路(20)的 输入端。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有电流反馈放大器特性的高速电压反馈放大器,包括:
输入级电路(10),设置有正输入端INP和负输入端INN,输入级电路(10)能将正负两路电压信号转换为电流信号;
增益级电路(20),将上述电流信号进行跨导放大,输出一个电压信号;
输出级电路(30),将电压信号传递到本放大器的输出端OUT,增加电流驱动能力;
其特征是:
输入级电路(10)包括:
第一缓冲器(110),其输入端为正输入端INP;
第二缓冲器(120),其输入端为正输入端INN;
电阻Re,其两端分别连接第一缓冲器(110)的第一输出端和第二缓冲器(120)的输出端;
第一缓冲器(110)的第二输出端连接增益级电路(20)的输入端。
2.如权利要求1所述的一种具有电流反馈放大器特性的高速电压反馈放大器,其特征是,所述增益级电路(20)包括:
电流镜,其输入端连接所述第一缓冲器(110)的第二输出端,电流镜的输出端连接输出级电路(30)的输入端。
3.如权利要求2所述的一种具有电流反馈放大器特性的高速电压反馈放大器,其特征是,所述输出级电路(30)包括:
第三缓冲器(310),其输入端连接所述电流镜的输出端,第三缓冲器(310)的输出端为本输出级电路(30)的输出端OUT;
补偿电容Cc,其两端分别连接第三缓冲器(310)的输入端和输出端。
4.如权利要求3所述的一种具有电流反馈放大器特性的高速电压反馈放大器,其特征是,所述第一缓冲器(110)包括:
PMOS管M1,其栅极连接正输入端INP、漏极接地、源极经电流源I1接电源;
NMOS管M2,其栅极连接电流源I1、源极一路经电流源I2接地、漏极连接电流镜的输入端,NMOS管M2的源极另一路连接所述电阻Re的一端;
所示第二缓冲器(120)包括:
PMOS管M3,其栅极连接负输入端INN、源极经电流源I3接电源、漏极接地;
NMOS管M4,其栅极连接电流源I1、源极一路经电流源I4接地、漏极经二极管D1接电源,NMOS管M4的源极还连接电阻Re的另一端。
所述电流镜包括:
PMOS管M5,其源极连接电源、漏极分别连接栅极和所述NMOS管M2的漏极;
PMOS管M6,其栅极连接PMOS管M5的栅极,PMOS管M6的源极连接电源、漏极作为电流镜的输出端。
所述输出级电路(30)包括:
PMOS管M7,其栅极一路经电阻R2连接所述PMOS管M6的漏极、另一路经电流源I6到地,源极经电流源I7到电源,PMOS管M7的漏极接地;
PMOS管M8,其栅极连接PMOS管M7的源极,P...
【专利技术属性】
技术研发人员:翟理,
申请(专利权)人:杭州瑞盟科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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