一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法技术

一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。涉及二极管加工工艺，尤其涉及一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。提供了一种降低生产成本，提高加工效率和质量的一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。本发明专利技术中在刻蚀过程中增加氧气改善了SiN/SiO选择比，将SiN/SiO的选择比从0.7左右提高至1.4左右，使得钝化层刻蚀时优先刻蚀尽SiN层，再较缓慢刻蚀SiO，保证了钝化层的刻蚀干净并且不会对划片道下层的SiO产生较多损失，提升了钝化层刻蚀后的外观良率，同时降低了正金腐蚀的返工次数，提升了产品的流转效率，降低了产品的生产成本。

An etching method to reduce the surface color difference caused by positive etching

【技术实现步骤摘要】
一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法
本专利技术涉及二极管加工工艺，尤其涉及一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。
技术介绍
传统钝化层刻蚀为保证刻蚀干净，并未过多关注SiN和SiO选择比（选择比是指在相同刻蚀条件下两种物质的刻蚀速率的比值），不在意划片道的氧化层损失，正常过刻率达50%以上。TSBD（沟槽型肖特基势垒二极管）产品如果刻蚀过少难以保证管芯上钝化层刻蚀干净，但太大又会使划片道的下层氧化硅损失过多，从而导致后道工序正金腐蚀后表面出现色差，而且正金腐蚀极易出现腐蚀不净的情况，需要多次加腐方能将划片道金属腐蚀干净，影响产品的流转效率，同时也增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种降低生产成本，提高加工效率和质量的一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。本专利技术的技术方案是：一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法，按以下步骤进行操作：1）、钝化层沉积：在晶片表面沉积一层由3000Å氧化硅和7000Å氮化硅组成的钝化层；2）、涂胶：在氧化层表面涂上光刻胶；3）、光刻固化：先在光刻胶上方覆盖光刻板，再进行光刻，从而按光刻板上的预图案形成光刻胶层,随即通过显影去除不需要保留的光刻胶区域，漏出需要刻蚀的窗口；4）、钝化层刻蚀：通过Ar、CF4、CHF3、O2对钝化层进行刻蚀；完毕。步骤中所述Ar、CF4、CHF3、O2的质量比为300:60:10:10。本专利技术中在刻蚀过程中增加氧气改善了SiN/SiO选择比，将SiN/SiO的选择比从0.7左右提高至1.4左右，使得钝化层刻蚀时优先刻蚀尽SiN层，再较缓慢刻蚀SiO，保证了钝化层的刻蚀干净并且不会对划片道下层的SiO产生较多损失，提升了钝化层刻蚀后的外观良率，同时降低了正金腐蚀的返工次数，提升了产品的流转效率，降低了产品的生产成本。具体实施方式本专利技术一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法，按以下步骤进行操作：1）、钝化层沉积：在晶片表面沉积一层由3000Å氧化硅和7000Å氮化硅组成的钝化层；2）、涂胶：在氧化层表面涂上光刻胶；3）、光刻固化：先在光刻胶上方覆盖光刻板，再进行光刻，从而按光刻板上的预图案形成光刻胶层,随即通过显影去除不需要保留的光刻胶区域，漏出需要刻蚀的窗口；4）、钝化层刻蚀：通过Ar、CF4、CHF3、O2对钝化层进行刻蚀；完毕。步骤中所述Ar、CF4、CHF3、O2的质量比为300:60:10:10。原反应气体主要为CF4，在RF放电时主要电离成F⁺与钝化层进行反应，反应方程式如下：电离时CF4→CF3+F⁺，CF3→CF2+F⁺,CF4不断电离出F⁺与晶面表面钝化层反应：Si02+F⁺→SiF4+O2↑，SiN4+F⁺→SiF4+N2↑，同时剩下的CF2不断聚合生成聚合物CF2+CF2+CF2+……→(CF2)n，由于聚合物的增多，刻蚀效率逐渐变差，为保证钝化层刻蚀干净，只能给出较多的过刻量；本专利技术通过对刻蚀混合气体的调整，以及刻蚀腔压力与RF功率的调整，（压力调整由800mtorr调整为650mtorr，BF（射频收发核心电路射频）功率由800W调整为700W，改善SiN/SiO选择比，减少划片道下层氧化层的损失，达到改善色差及腐蚀不净的目的。然而加入O2后可以破坏(CF2)n，使其重新释放出F⁺，（CF4）n+O2→CO+CO2+F⁺，这样就提升了钝化层的刻蚀效率，同时O2的增加也可抑制SIO2的反应Si02+F⁺→SiF4+O2↑，降低了SIO2的刻蚀速率，因此提升了SiN/SiO选择比。对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：（1）、本案所公开的实施例只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：/n1）、钝化层沉积：在晶片表面沉积一层由3000Å氧化硅和7000Å氮化硅组成的钝化层；/n2）、涂胶：在氧化层表面涂上光刻胶；/n3）、光刻固化：先在光刻胶上方覆盖光刻板，再进行光刻，从而按光刻板上的预图案形成光刻胶层,随即通过显影去除不需要保留的光刻胶区域，漏出需要刻蚀的窗口；/n4）、钝化层刻蚀：通过Ar、CF4、CHF3、O

【技术特征摘要】
1.一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：
1）、钝化层沉积：在晶片表面沉积一层由3000Å氧化硅和7000Å氮化硅组成的钝化层；
2）、涂胶：在氧化层表面涂上光刻胶；
3）、光刻固化：先在光刻胶上方覆盖光刻板，再进行光刻，从而按光刻板上的预图案形成光刻胶层,随...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱泽中，朱光源，赵晓非，王都浩，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32