一种饱和压降测试电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种饱和压降测试电路，包括电源输入模块、滤波模块、双脉冲模块、放大信号模块、母线电压模块、感性模块以及电压钳制模块；电源输入模块为放大信号模块进行供电；滤波模块为电源输入模块的输出电压进行滤波；双脉冲模块用于输出双脉冲信号；放大信号模块对双脉冲信号进行放大，用于对待测IGBT依次进行一次开启、关断以及二次开启；母线电压模块用于：输入检测电流和检测电压到待测IGBT、感性模块以及电压钳制模块；感性模块用于：控制检测电流流过待测IGBT的源漏端；电压钳制模块用于：对检测电压进行稳压以保护待测IGBT，同时为在待测IGBT关断时对感性模块进行续流，达到对电源输入模块进行滤波，保证测量精度的作用。

A saturated voltage drop test circuit

【技术实现步骤摘要】
一种饱和压降测试电路
本技术属于测试电路
，更具体地说，是涉及一种饱和压降测试电路。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于变流系统如高压变频器、高压静止无功发生器、机车车辆牵引变流器、风力发电变流器、轻型直流输电等领域。现有技术中，利用单片机发出双脉冲信号，第一个脉冲使得测试IGBT达到额定工作电流，第二个脉冲用于测试IGBT的动态特性，利用示波器和差分隔离探头测试开关时IGBT的动态电压和电流参数，但是，为单片机供电的供电电源对单片机的正常工作具有一定的干扰，影响对待测IGBT饱和压降测量的准确性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种饱和压降测试电路，以解决现有技术中存在的供电电源对测IGBT饱和压降测量具有干扰的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种饱和压降测试电路，包括电源输入模块、滤波模块、双脉冲模块、放大信号模块、母线电压模块、感性模块以及电压钳制模块；所述电源输入模块为所述放大信号模块进行供电；所述滤波模块为所述电源输入模块的输出电压进行滤波；所述双脉冲模块用于输出双脉冲信号；所述放大信号模块对双脉冲信号进行放大，用于对待测IGBT依次进行一次开启、关断以及二次开启；所述母线电压模块用于：输入检测电流和检测电压到待测IGBT、感性模块以及所述电压钳制模块；所述感性模块用于：控制检测电流流过待测IGBT的源漏端；所述电压钳制模块用于：对检测电压进行稳压以保护待测IGBT，同时为在待测IGBT关断时对所述感性模块进行续流。进一步地，所述电源输入模块为可调输入电压源。进一步地，所述滤波模块包括第一电容、第二电容以及第三电容，所述第一电容、所述第二电容以及所述第三电容的一端均耦接于所述电源输入模块的输出端，所述第一电容、所述第二电容以及所述第三电容的另一端均接地。进一步地，所述第二电容为第一极性电容，所述第一极性电容的正极耦接于所述电源输入模块的输出端，所述第一极性电容的负极接地。进一步地，所述放大信号模块为芯片FAN3214T，所述芯片FAN3214T的INA端和INB端连接于所述双脉冲模块，所述芯片FAN3214T的GND端接地，所述芯片FAN3214T的OUTA端和OUTB端连接于待测IGBT的门极。进一步地，所述感性模块包括三极管和电感，所述三极管的控制端，所述三极管的接地端和所述电感的一端连接于待测IGBT的源极端，所述三极管的电源端和所述电感的另外一端连接于所述母线电压模块的输出端。进一步地，所述三极管为控制IGBT，所述控制IGBT的门极，所述控制IGBT的漏极和所述电感的一端连接于待测IGBT的源极，所述控制IGBT的源极和所述电感的另外一端连接于所述母线电压模块的输出端。进一步地，所述电压钳制模块包括电阻、二极管以及稳压管，所述电阻的一端连接于待测IGBT的源极，所述电阻的另外一端连接于所述二极管的正极，所述二极管的负极耦接于所述稳压管的正极，所述稳压管的负极接地。进一步地，所述稳压管为齐纳稳压极管。进一步地，还包括第四电容和第二极性电容，所述第四电容的一端和第二极性电容的正极端连接于所述母线电压模块的输出端，所述第四电容的另外一端和所述第二极性电容的负极端接地。本技术提供的一种饱和压降测试电路的有益效果在于：与现有技术相比，本技术的电源输入模块进行外加直流电进行供电，使放大信号模块正常工作。滤波模块过滤电源输入模块的干扰，使滤波功率电源输入模块输入稳定电压。双脉冲模块输出双脉冲信号到放大信号模块中，双脉冲信号经放大信号模块放大电压至待测IGBT的栅源电压。双脉冲信号第一上升沿的时间为t0，下降沿为t1，第二个上升沿时间为t2，下降沿为t3。在t0点时刻，第一脉冲到达，待测IGBT处于一次开启状态，即待测IGBT导通，母线电压模块的输出电压加载在感性模块上，以及在t1时刻，待测IGBT保持一次开启状态时，待测IGBT的漏源电压瞬间下降至接近0V。通过感性模块中电流在母线电压模块的输入的检测电压与感性模块的感性负载值已经确定的情况下，待测IGBT的漏源间压降随电流的增大而上升。在t1至t2期间，待测IGBT处于关断状态，感性模块由电压钳制模块进行续流，该续流的电流缓慢衰减，待测IGBT的漏源电压恢复至母线电压模块的输出电压大小。在t2时刻，双脉冲信号的第二个上升沿到来，待测IGBT处于二次开启状态，即待测IGBT处于再次导通状态，电压钳制模块产生反向恢复电流穿过待测IGBT，此时通过待测IGBT的源漏极的电流大小会在t1时刻的电流稍低的基础上继续上升，同时漏源间的电压也继续上升。通过示波器测量和读出待测IGBT的该设定栅压下对应不同电流规格的饱和电压压降的大小，达到测试待测IGBT的目的。该饱和压降测试电路，利用了电压钳制电路使测试饱和压降的波形准确不失真，且能够在双脉冲信号测试的同时测量出待测IGBT的饱和压降，节省时间与测试成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种饱和压降测试电路的电路示意图一；图2为本技术实施例提供的一种饱和压降测试电路的电路示意图二。其中，图中各附图标记：1、电源输入模块；2、滤波模块；3、双脉冲模块；4、放大信号模块；5、母线电压模块；6、感性模块；7、电压钳制模块。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种饱和压降测试电路，其特征在于，包括电源输入模块、滤波模块、双脉冲模块、放大信号模块、母线电压模块、感性模块以及电压钳制模块；所述电源输入模块为所述放大信号模块进行供电；/n所述滤波模块为所述电源输入模块的输出电压进行滤波；/n所述双脉冲模块用于输出双脉冲信号；/n所述放大信号模块对双脉冲信号进行放大，用于对待测IGBT依次进行一次开启、关断以及二次开启；/n所述母线电压模块用于：输入检测电流和检测电压到待测IGBT、感性模块以及所述电压钳制模块；/n所述感性模块用于：控制检测电流流过待测IGBT的源漏端；/n所述电压钳制模块用于：对检测电压进行稳压以保护待测IGBT，同时为在待测IGBT关断时对所述感性模块进行续流。/n

【技术特征摘要】
1.一种饱和压降测试电路，其特征在于，包括电源输入模块、滤波模块、双脉冲模块、放大信号模块、母线电压模块、感性模块以及电压钳制模块；所述电源输入模块为所述放大信号模块进行供电；
所述滤波模块为所述电源输入模块的输出电压进行滤波；
所述双脉冲模块用于输出双脉冲信号；
所述放大信号模块对双脉冲信号进行放大，用于对待测IGBT依次进行一次开启、关断以及二次开启；
所述母线电压模块用于：输入检测电流和检测电压到待测IGBT、感性模块以及所述电压钳制模块；
所述感性模块用于：控制检测电流流过待测IGBT的源漏端；
所述电压钳制模块用于：对检测电压进行稳压以保护待测IGBT，同时为在待测IGBT关断时对所述感性模块进行续流。


2.如权利要求1所述的一种饱和压降测试电路，其特征在于，所述电源输入模块为可调输入电压源。


3.如权利要求1所述的一种饱和压降测试电路，其特征在于，所述滤波模块包括第一电容、第二电容以及第三电容，所述第一电容、所述第二电容以及所述第三电容的一端均耦接于所述电源输入模块的输出端，所述第一电容、所述第二电容以及所述第三电容的另一端均接地。


4.如权利要求3所述的一种饱和压降测试电路，其特征在于，所述第二电容为第一极性电容，所述第一极性电容的正极耦接于所述电源输入模块的输出端，所述第一极性电容的负极接地。


5.如权利要求1所述的一种饱和压降测试电路，其特征在于，所述放大信号模块为芯片FA...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俭，高存旗，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44