一种二极管及制作方法技术

本发明专利技术提供一种二极管及制作方法，其中一种二极管制作方法，包括如下步骤：在器件完成NM的金属NC的制作之后，对器件衬底和NM的外侧利用离子植入进行隔离，使得NM台面和SUB衬底的外侧形成绝缘区域，制得的器件由上往下依次具有PC、PM、I、NM、SUB层结构，NC结构在NM结构上面以及I结构的外侧；在PC和绝缘区域制作M1金属。本发明专利技术还提供一种二极管，由以上制作方法制得。本发明专利技术可以在进行二极管制作时使台面为单台面结构，减小了二极管台面的高低差，这样可以降低光阻涂覆过程中产生溅影的风险，后续的BR连线也不易断裂。

【技术实现步骤摘要】
一种二极管及制作方法
本专利技术涉及二极管制作
，尤其涉及一种二极管及制作方法。
技术介绍
如图1所示，现使用的PiN二极管的制作方法在制作过程中双台面结构会存在较大的高低差，导致光阻涂布过程中容易产生溅影，且较大的高低差容易导致BR的金属连线断裂。因此，如何减小器件的高低差来避免出现在光阻涂布过程中产生溅影和容易导致BR的金属连线断裂是PiN二极管制作方法领域需要解决的一个问题。
技术实现思路
为此，需要提供一种二极管及制作方法，用以解决器件的双台面结构存在较大的高低差导致光阻涂布过程中容易产生溅影，且较大的高低差容易导致BR的金属连线断裂的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种二极管制作方法，包括如下步骤：在器件完成NM的金属NC的制作之后，对器件衬底和NM的外侧利用偏轴离子植入进行隔离，使得NM台面和SUB衬底的外侧形成绝缘区域，制得的器件由上往下依次具有PC、PM、I、NM、SUB层结构，NC结构在NM结构上面以及I结构的外侧；在PC和绝缘区域制作M1金属。优选的，在离子植入之前还包括步骤：先在上往下依次具有PM、I、NM、SUB层结构的器件上进行PM台面的金属接触PC制作，再利用蚀刻的方式制作出PM的台面，再进行NM的金属NC的制作。优选的，在离子植入之后还包括步骤：再进行氮化物的覆盖，并在M1金属处蚀刻出通孔，再利用聚酰亚胺进行平坦化，在M1金属处蚀刻出通孔，最后制作连接M1金属的BR连线。专利技术人还提供了一种二极管，由所述二极管制作方法制得。专利技术人还提供了一种二极管，包括衬底，衬底上设置有NM金属，NM金属和衬底的外侧是经过离子植入的绝缘区，NM金属上设有I结构，I结构外侧设有NC结构，NC结构在NM结构上面，I结构上设置有PM结构，PM结构上设有PC结构，在PC上和绝缘区域的一侧设置有M1金属。优选的，二极管上依次覆盖氮化物和聚酰亚胺，所述氮化物和聚酰亚胺在M1金属上通孔，BR连线通过通孔与M1金属连接。区别于现有技术，上述技术方案可以使台面为单台面结构，减小了二极管台面的高低差，这样可以降低光阻涂覆过程中产生溅影的风险，后续的BR连线也不易断裂。附图说明图1为
技术介绍
所述在传统制作过程中制得的器件结构；图2为进行PM台面的金属接触PC制作步骤形成的剖面图；图3为利用蚀刻的方式制出PM的台面步骤形成的剖面图；图4为进行NM的金属NC的制作步骤形成的剖面图；图5为利用偏轴离子植入进行隔离步骤形成的剖面图；图6为制作M1连线步骤形成的剖面图；图7为进行氮化硅的覆盖并蚀刻出通孔步骤形成的剖面图；图8为利用聚酰亚胺进行平坦化并蚀刻出通孔步骤形成的剖面图；图9为制作BR连线步骤形成的剖面图。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图2到图9，本实施例提供一种二极管制作方法，为了制得如图4的结构，制作方法包括如下步骤：先在上往下依次具有PM(p型台面)、I(EPI的介质层)、NM(n型台面)、SUB(Substrate，衬底)层结构的器件上进行PM台面的金属接触PC(P型欧姆接触)制作，如图2-3所示。制得的PC在PM上。再利用蚀刻的方式制作出PM的台面，蚀刻去除PM和I的外侧；再进行NM的金属NC(N型欧姆接触)的制作，NC设置在NM上以及I的外侧，从而制得如图4的结构。图4的结构制作完成后，还包括如下步骤：对器件衬底和NM的外侧利用偏轴离子植入进行隔离，偏轴离子植入可以解决拖尾效应造成绝缘的不彻底，容易造成器件失效的问题。如图5所示，使得NM台面和SUB衬底的外侧形成绝缘区域，制得的器件由上往下依次具有PC、PM、I、NM、SUB层结构，NC结构在NM结构上面以及I结构的外侧。图5的制作完成后，如图6所示，在PC上和绝缘区域的一侧制作M1(第一层金属互联线)金属，M1金属的大小应小于PC和绝缘区域。这样制得的二极管结构的MI金属分别置于NM和PC上，相对于改进技术前的SUB和PC上，可以大大降低高度差，降低光阻涂覆过程中产生溅影的风险，后续的BR(空气桥)连线也不易断裂。为了完成二极管的制作，如图7所示，对图6结构再进行氮化物N1的覆盖，氮化物可以是氮化硅。并在M1金属处蚀刻出通孔，便于进行连线，如图8所示，再利用聚酰亚胺对器件进行平坦化，同样在M1金属处蚀刻出通孔，如图9，最后在PC上和绝缘区域上的M1金属上制作BR连线。本实施例提供一种二极管，由以上任意一项所述的一种二极管制作方法制得。这样减小了二极管台面的高低差，这样可以降低光阻涂覆过程中产生溅影的风险，后续的BR连线也不易断裂。本实施例提供了一种二极管，包括衬底，衬底上设置有NM金属，NM金属和衬底的外侧是经过离子植入的绝缘区，NM金属上设有I结构，I结构外侧设有NC结构，NC结构在NM结构上面，I结构上设置有PM结构，PM结构上设有PC结构，在PC上和绝缘区域的一侧设置有M1金属。本实施例中制得的二极管减小了二极管台面的高低差，这样可以降低光阻涂覆过程中产生溅影的风险，后续的BR连线也不易断裂。为了实现二极管的结构，二极管上依次覆盖氮化物和聚酰亚胺，所述氮化物和聚酰亚胺在M1金属上通孔，BR连线通过通孔与M1金属连接。需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本专利技术的专利保护范围。因此，基于本专利技术的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的
，均包括在本专利技术的专利保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在器件完成NM的金属NC的制作之后，对器件衬底和NM的外侧利用偏轴离子植入进行隔离，使得NM台面和SUB衬底的外侧形成绝缘区域，制得的器件由上往下依次具有PC、PM、I、NM、SUB层结构，NC结构在NM结构上面以及I结构的外侧；在PC和绝缘区域制作M1金属。/n

【技术特征摘要】
1.一种二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在器件完成NM的金属NC的制作之后，对器件衬底和NM的外侧利用偏轴离子植入进行隔离，使得NM台面和SUB衬底的外侧形成绝缘区域，制得的器件由上往下依次具有PC、PM、I、NM、SUB层结构，NC结构在NM结构上面以及I结构的外侧；在PC和绝缘区域制作M1金属。


2.根据权利要求1所述的一种二极管制作方法，其特征在于：在离子植入之前还包括步骤：先在上往下依次具有PM、I、NM、SUB层结构的器件上进行PM台面的金属接触PC制作，再利用蚀刻的方式制作出PM的台面，再进行NM的金属NC的制作。


3.根据权利要求1所述的一种二极管制作方法，其特征在于，在离子植入之后还包括步骤：再进行氮化物的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建星，林易展，邱文宗，王淋雨，郑波涛，林伟，林伟铭，章建清，郭一凡，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35