测量形成在非导电区域中的孔的高度轮廓制造技术

一种用于测量空穴的系统、计算机程序产品和方法。所述方法可以包括：对具有纳米宽度的空穴附近进行充电；获得所述空穴的多个电子图像；其中每个电子图像通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成；其中与所述多个电子图像中的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同；接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射；处理所述多个电子图像以提供空穴测量；以及基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。

【技术实现步骤摘要】
测量形成在非导电区域中的孔的高度轮廓相关申请的交叉引用本申请要求2018年6月11日提交的美国申请号16/005,278的权益，该申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术介绍
集成电路由高度复杂的制造工艺制造。可以在制造工艺期间并甚至在制造工艺完成之后评估集成电路。集成电路的评估可以包括检查集成电路、检验集成电路，以及另外地或替代地测量集成电路的结构元件。高深宽比空穴可以具有作为空穴的深度的一部分(例如，低于25％、低于20％、低于15％、低于10％等)的宽度。很难对高深宽比空穴进行成像，因为高深宽比空穴的顶部图像仅提供有关空穴的有限信息，诸如在单个高度处的空穴的横截面的不准确的指示。越来越需要提供一种检查高深宽比空穴的有效方法。
技术实现思路
可以提供一种用于测量空穴的方法，所述方法可以包括(a)对所述空穴附近进行充电；其中所述空穴具有纳米宽度。(b)通过带电粒子成像器获得所述空穴的多个电子图像。所述多个电子图像中的每个电子图像可以通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成。与(所述多个电子图像中的)不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同。(c)接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射。(d)处理所述多个电子图像以提供空穴测量。(e)基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。可以提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品存储指令，所述指令在由计算机化系统执行时，致使所述计算机化系统执行以下步骤：(a)对空穴附近进行充电，其中所述空穴具有纳米宽度。(b)通过带电粒子成像器获得所述空穴的多个电子图像。所述多个电子图像中的每个电子图像可以通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成。与(所述多个电子图像中的)不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同。(c)接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射。(d)处理所述多个电子图像以提供空穴测量。(e)基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。可以提供一种用于测量空穴的系统，所述系统可以包括：带电粒子成像器，所述带电粒子成像器被配置为：对所述空穴附近进行充电，其中所述空穴具有纳米宽度；获得所述空穴的多个电子图像，其中所述多个电子图像中的每个电子图像通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成，其中与所述多个电子图像中的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同；处理器，所述处理器被配置为：接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射；处理所述多个电子图像以提供空穴测量；以及基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。附图简述在本说明书的结论部分中特别指出并明确地要求保护被视为本专利技术的主题。然而，就步骤的组织和方法来说，本专利技术及其基板、特征和优点可以在阅读附图时参考以下详述来进行最佳地理解，在附图中：图1是物体和带电粒子成像器的示例；图2是物体和带电粒子成像器的示例；图3是区域和各种图像的示例；图4是区域和各种图像的示例；以及图5是方法的示例。具体实施方式在以下详述中，阐述众多具体细节，以便提供对本专利技术的透彻理解。然而，本领域的技术人员应当理解，本专利技术可以在没有这些具体细节的情况下进行实践。在其它情况下，没有详细地描述所熟知的方法、过程和部件，以免不必要地模糊本专利技术。在本说明书中任何对方法的提及都应当加以必要变更以适用于能够执行该方法的系统并适用于存储用于执行该方法的指令的计算机程序产品。在本说明书中任何对系统的提及都应当加以必要变更以适用于可由该系统执行的方法并适用于存储用于执行该方法的指令的计算机程序产品。在本说明书中任何对计算机程序产品的提及都应当加以必要变更以适用于在执行存储在该计算机程序产品中的指令时执行的方法并适用于被布置和理解为执行存储在该计算机程序产品中的指令的系统。计算机程序产品是非暂时性的，并且可以包括用于存储指令的非暂时性介质。计算机程序产品的非限制性示例是存储器芯片、集成电路、磁盘、磁性存储器单元和忆阻器存储器单元。将相同的附图标记分配给各个部件可以表明这些部件彼此类似。这里，可以提供一种测量空穴的方法。所述方法可以包括：a.对空穴附近(至少)进行充电以产生沿着待测量的空穴尺寸指向的电场。该空穴具有纳米宽度。b.通过带电粒子成像器获得空穴的多个电子图像。多个电子图像中的每个电子图像通过感测超过与电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成。与多个电子图像的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同。c.接收或生成高度值与电子能量阈值之间的映射。d.处理多个电子图像以提供空穴测量。e.基于映射和空穴测量而生成空穴的三维测量。获得多个图像中的每个电子图像可以包括将能量滤波器设置为先于传感器拒绝具有低于与电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子。能量滤波器可以被重新配置为非常快速地与不同电子能量阈值相关联，从而增加系统的吞吐量。重新设置能量滤波器以产生不同电子能量阈值的电子图像比改变入射在物体上的电子的能量更快速、更准确并更简单。以下示例涉及物体。物体可以是半导体晶片，或具有纳米宽度的高深宽比空穴的任何其它物体。图1示出了物体100和带电粒子成像器10。带电粒子成像器10包括台架30、处理器50、存储器单元60、控制器70和电子光学器件。电子光学器件包括束源12、聚光透镜14、第一偏转器16、第二偏转器20、二次电子检测器22、物镜24、能量滤波器21和能量滤波器供应单元23。台架30被布置成支撑物体100并移动物体。控制器70可以控制带电粒子成像器10的操作。处理器50可以从二次电子检测器22所发送的检测信号生成图像。处理器50可以被布置和构造(例如，通过编程)以执行本说明书中所示的任何方法的任何步骤。短语“被配置为”和短语“被布置和构造为”以可互换的方式使用。应当注意，处理器50可以位于远程计算机或与带电粒子成像器10不同的任何其它计算机化系统中。束源12生成初级电子束40。图1示出了初级电子束40被第一偏转器16和第二偏转器20两次偏转，穿过物镜24，并且入射在物体100上。初级电子束40可以通过任何其它路径。例如，初级电子束40可以偏转一次或多于两次。能量滤波器21在二次电子检测器22之前，并且由能量滤波器供应单元23馈电。供给能量滤波器21的偏置电压确定由二次电子检测器22获取的图像的电子能量阈值。当能量滤波器21由不同的偏置电压馈电时，可以获取空穴的多个图像，以确定多个电子能量阈值，从而通过二次电子检测器22获取多个电子图像。每个电子图像与唯一电子能量阈值相关联，并且包括具有不低于唯一电子能量阈值的电子能量的电子。可以从不同的高度拍摄不同的电子图像。二次电子束31被第二偏转器20朝向二次电子检测器22偏转。二次电子束31的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量具有纳米宽度的空穴的方法，所述方法包括：/n对所述空穴附近进行充电；/n通过带电粒子成像器获得所述空穴的多个电子图像，其中所述多个电子图像中的每个电子图像通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成，并且其中与所述多个电子图像中的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同；/n接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射；/n处理所述多个电子图像以提供空穴测量；以及/n基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。/n

【技术特征摘要】
20180611 US 16/005,2781.一种测量具有纳米宽度的空穴的方法，所述方法包括：
对所述空穴附近进行充电；
通过带电粒子成像器获得所述空穴的多个电子图像，其中所述多个电子图像中的每个电子图像通过感测超过与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子形成，并且其中与所述多个电子图像中的不同电子图像相关联的电子能量阈值彼此不同；
接收或生成高度值与所述电子能量阈值之间的映射；
处理所述多个电子图像以提供空穴测量；以及
基于所述映射和所述空穴测量而生成所述空穴的三维测量。


2.根据权利要求1所述的方法，其中获得多个电子图像包括针对所述多个图像中的每个电子图像，将能量滤波器设置为先于传感器拒绝具有低于与所述电子图像相关联的电子能量阈值的电子能量的电子。


3.根据权利要求1所述的方法，其中获得多个电子图像包括针对所述多个电子图像中的每个电子图像，设置照射所述空穴的束的电子的最小电子能量。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电子图像是多个二次电子图像。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述映射的所述接收或生成包括计算所述映射而不接收所述映射。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述映射的所述接收或生成包括接收所述映射而不计算所述映射。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维测量包括关于在不同高度处的所述空穴的临界尺寸的信息。


8.根据权利要求1所述的方法，其中对所述空穴附近进行充电赋予在所述空穴内的高度与静电位之间的线性关系。


9.根据权利要求1所述的方法，其中以相同的照射角获取所述空穴的所述多个电子图像。


10.根据权利要求1所述的方法，包括：
对附加空穴附近进行充电，其中每个附加空穴具有纳米宽度；
通过所述带电粒子成像器针对每个附加空穴获得...

【专利技术属性】
技术研发人员：康斯坦丁·奇科，奥里特·哈瓦阿蒙·赫什科维奇，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：以色列;IL