一种带自检吸合控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带自检吸合控制电路，控制芯片的A端脚接收来自Li的电压，通过第二二极管、第二电阻与第一电阻分压，经第一稳压二极管稳压后给控制芯片的A端脚作电源过零检测，Li的另一路经第九电阻、第三二极管接继电器线圈与第一可控硅、第二可控硅串联接地。本实用新型专利技术控制芯片的驱动端口C利用过零检测端口A的过零时机开启移相控制，实现对继电器线圈开路、短路自检控制；第一可控硅、第二可控硅开路、短路及回路元件自检控制，及继电器的高电压吸合控制和低电压低功耗维持吸合控制，可有效避免因继电器线圈及可控硅失效带来的安全隐患，提高了产品的智能识别能力。

A circuit with self checking and closing control

【技术实现步骤摘要】
一种带自检吸合控制电路
本技术涉及线圈控制型电器
，尤其是一种带自检吸合控制电路。
技术介绍
传统型漏电保护器其脱扣线圈或吸合线圈是直接串接在可控硅回路中，当可控硅开路后将直接导致无法断电跳闸保护或脱扣线圈开路同样无法跳闸保护，该异常存在严重安全隐患。目前欧美国家自2020年开始部分电器产品必须执行脱扣线圈、可控硅及回路元件检测，其目的是提高安全性保护。因此，对于上述问题有必要提出一种带自检吸合控制电路。
技术实现思路
本技术目的是克服了现有技术中的不足，提供了一种带自检吸合控制电路。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现：一种带自检吸合控制电路，包括控制芯片，所述控制芯片的A端脚接收来自Li的电压，通过第二二极管、第二电阻与第一电阻分压，经第一稳压二极管稳压后给控制芯片的A端脚作电源过零检测，Li的另一路经第九电阻、第三二极管接继电器线圈与第一可控硅、第二可控硅串联接地，所述控制芯片的B端脚分别通过第二稳压二极管、第七电阻接零线和通过第六电阻接继电器线圈，所述控制芯片的C端脚依次通过第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带自检吸合控制电路，其特征在于：包括控制芯片(MCU)，所述控制芯片(MCU)的A端脚接收来自Li的电压，通过第二二极管(D2)、第二电阻(R2)与第一电阻(R1)分压，经第一稳压二极管(WD1)稳压后给控制芯片(MCU)的A端脚作电源过零检测，Li的另一路经第九电阻(R9)、第三二极管(D3)接继电器线圈(RL)与第一可控硅(Q1)、第二可控硅(Q2)串联接地，所述控制芯片(MCU)的B端脚分别通过第二稳压二极管(WD2)、第七电阻(R7)接零线和通过第六电阻(R6)接继电器线圈(RL)，所述控制芯片(MCU)的C端脚依次通过第一二极管(D1)和第三电阻(R3)接第一可控硅(Q1)，...

【技术特征摘要】
1.一种带自检吸合控制电路，其特征在于：包括控制芯片(MCU)，所述控制芯片(MCU)的A端脚接收来自Li的电压，通过第二二极管(D2)、第二电阻(R2)与第一电阻(R1)分压，经第一稳压二极管(WD1)稳压后给控制芯片(MCU)的A端脚作电源过零检测，Li的另一路经第九电阻(R9)、第三二极管(D3)接继电器线圈(RL)与第一可控硅(Q1)、第二可控硅(Q2)串联接地，所述控制芯片(MCU)的B端脚分别通过第二稳压二极管(WD2)、第七电阻(R7)接零线和通过第六电阻(R6)接继电器线圈(RL)，所述控制芯片(MCU)的C端脚依次通过第一二极管(D1)和第三电阻(R3)接第一可控硅(Q1)，经第四电阻(R4)接第二可控硅(Q2)，所述第一可控硅(Q1)连接有第二可控硅(Q2)，所述第三电阻(R3)与所述第二可控硅(Q2)之间连接有第三电容(C3)，所述第一二极管(D1)与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪圣富，
申请(专利权)人：浙江诚富电器科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33