【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法和芯片的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法和芯片的形成方法。
技术介绍
随着电子产品向小型化、多功能等方向的发展，芯片需要满足越来越高的集成度要求，以及越来越多的功能要求，由此产生了许多新的技术和设计，三维堆叠结构正是这些技术的典型代表。三维堆叠结构是指直接将多个晶圆通过键合的方式堆叠起来，实现在三维方向上的金属互连结构，大大减小金属布线互连距离，提高数据传输速度。而晶圆键合技术正是制造三维堆叠结构的关键技术之一。利用晶圆键合工艺，多个半导体晶圆被键合到一起以形成三维堆叠结构路，可以提供在一个封装中具有多种功能的单个芯片。然而，仍然需要提高芯片的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高芯片的性能。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构，包括：第一基底，所述第一基底具有第一面；与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底具有第二面，且所述第二面朝向所述第一面，所述第二...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一基底，所述第一基底具有第一面；/n与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底具有第二面，且所述第二面朝向所述第一面，所述第二基底内具有1层以上第二散热层，所述第二散热层用于将所述半导体结构内的热量传导至所述半导体结构外部。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一基底，所述第一基底具有第一面；
与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底具有第二面，且所述第二面朝向所述第一面，所述第二基底内具有1层以上第二散热层，所述第二散热层用于将所述半导体结构内的热量传导至所述半导体结构外部。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第二面的方向上，所述第二基底内的电路至所述第二面的距离大于所述第二散热层至所述第二面的距离。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底包括若干相互分立的第二芯片区，以及位于相邻的所述第二芯片区之间的切割道，至少部分所述第二散热层位于所述第二芯片区内，所述切割道内具有保护环结构。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二散热层与所述保护环结构相连。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底具有与所述第二面相对的第三面，以及位于所述第二基底内的1个以上的第三散热结构，所述第三面暴露出所述第三散热结构表面，且所述第二散热层与所述第三散热结构相连。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第三散热结构包括插塞结构和互连层结构中的一种或多种组合。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二散热层的材料包括铜、铝、石墨烯、钛、氮化钛和钨中的一种或多种的组合。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基底内具有1层以上第一散热层，所述第一散热层用于将所述半导体结构内的热量传导至所述半导体结构外部。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基底内具有第一散热层和第一热转电结构，所述第一散热层和所述第一热转电结构相...
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