一种半桥线路的上管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半桥线路的上管驱动电路，包括上管驱动供电线路、推挽驱动电路、反向线路和驱动信号线路，上管驱动供电线路包括有电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D2和电容C6，二极管D2分别并联有电阻R7和电阻R8，电阻R7连接有三极管Q6，电阻R8连接有三极管Q3，三极管Q6连接有电阻R9，R9连接有三极管Q7，三极管Q6连接有三极管Q2，三极管Q3并联有电阻R14和电阻R15，三极管Q2并联有电阻R10和二极管D10，三极管Q2连接有电阻R11、电阻R12和电容C4，三极管Q7连接有三极管Q5，三极管Q5连接有电线接地端GND，本实用新型专利技术利用分离器件实现半桥线路的上管驱动，让普通单输出的IC也能实现互补半桥驱动，让普通IC获得更大的利用空间。

A driving circuit for the upper tube of half bridge circuit

The utility model discloses a driving circuit of a half bridge line, which comprises a driving power supply circuit, a push-pull driving circuit, a reverse circuit and a driving signal circuit. The driving power supply circuit of the upper bridge includes a resistance R19, a resistance R20, a resistance R21, a resistance R22, a diode D2 and a capacity C6. The diode D2 is respectively connected in parallel with a resistance R7 and a resistance R8. The resistance R7 is connected with a triode Q6 and a resistance R8 The triode Q3 is connected, the triode Q6 is connected with resistance R9, R9 is connected with triode Q7, the triode Q6 is connected with triode Q2, the triode Q3 is connected with resistance R14 and resistance R15, the triode Q2 is connected with resistance R10 and diode D10, the triode Q2 is connected with resistance R11, resistance R12 and capacitance C4, the triode Q7 is connected with triode Q5, the triode Q5 is connected with wire ground terminal GND, the utility model The split device is used to realize the upper tube drive of half bridge circuit, so that the common single output IC can also realize the complementary half bridge drive, so that the common IC can obtain greater utilization space.

【技术实现步骤摘要】
一种半桥线路的上管驱动电路
本技术涉及中电子电路
，具体为一种半桥线路的上管驱动电路。
技术介绍
传统半桥线路上管驱动需要利用到专用IC或驱动变压器来实现，专业的驱动IC线路已固定不了，浪费成本，驱动变压器尺寸大，定制器件离散性大。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半桥线路的上管驱动电路，利用分离器件实现半桥线路的上管驱动，让普通单输出的IC也能实现互补半桥驱动，让普通IC获得更大的利用空间。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半桥线路的上管驱动电路，包括上管驱动供电线路、推挽驱动电路、反向线路和驱动信号线路，所述上管驱动供电线路包括有电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D2和电容C6，所述二极管D2分别并联有电阻R7和电阻R8，所述电阻R7连接有三极管Q6，所述电阻R8连接有三极管Q3，所述三极管Q6连接有电阻R9，所述R9连接有三极管Q7，所述三极管Q6连接有三极管Q2，所述三极管Q3并联有电阻R14和电阻R15，所述三极管Q2并联有电阻R10和二极管D10，所述三极管Q2连接有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半桥线路的上管驱动电路，其特征在于，包括上管驱动供电线路、推挽驱动电路、反向线路和驱动信号线路，所述上管驱动供电线路包括有电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D2和电容C6，所述二极管D2分别并联有电阻R7和电阻R8，所述电阻R7连接有三极管Q6，所述电阻R8连接有三极管Q3，所述三极管Q6连接有电阻R9，所述R9连接有三极管Q7，所述三极管Q6连接有三极管Q2，所述三极管Q3并联有电阻R14和电阻R15，所述三极管Q2并联有电阻R10和二极管D10，所述三极管Q2连接有电阻R11、电阻R12和电容C4，所述三极管Q7连接有三极管Q5，所述三极管Q5连接有电线接地端G...

【技术特征摘要】
1.一种半桥线路的上管驱动电路，其特征在于，包括上管驱动供电线路、推挽驱动电路、反向线路和驱动信号线路，所述上管驱动供电线路包括有电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D2和电容C6，所述二极管D2分别并联有电阻R7和电阻R8，所述电阻R7连接有三极管Q6，所述电阻R8连接有三极管Q3，所述三极管Q6连接有电阻R9，所述R9连接有三极管Q7，所述三极管Q6连接有三极管Q2，所述三极管Q3并联有电阻R14和电阻R15，所述三极管Q2并联有电阻R10和二极管D10，所述三极管Q2连接有电阻R11、电阻R12和电容C4，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林云，于绍强，徐华军，蔡武，
申请(专利权)人：深圳市谐振电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44