The invention provides a semiconductor integrated circuit which still has an effective over-current protection function under the reduced pressure state. The output terminal (out) is connected to the load (10). The source of the high side transistor (MH) is connected with the power line, and the drain is connected with the output terminal (out). The first OCP circuit (420h) will be connected with the current (I) flowing through the high side transistor (MH
【技术实现步骤摘要】
半导体集成电路、音频输出装置、电子设备及保护方法
本专利技术涉及过电流保护技术。
技术介绍
为了保护电路元件，半导体集成电路中设置有过电流保护电路。图1是具备功率晶体管的半导体集成电路2的框图。半导体集成电路2具备作为PMOS晶体管的功率晶体管4、驱动电路6、过电流保护电路8。功率晶体管4设置在电源端子VDD和输出端子OUT之间。输出端子OUT连接有负载10。在功率晶体管4导通的状态下，若输出端子OUT短路(对地短路)，则功率晶体管4会流过大电流。过电流保护(OCP：OverCurrentProtection)电路8监测流经功率晶体管4的电流，超过规定的阈值电流IOCP时，将保护信号SOCP置于有效。驱动电路6锁存保护信号SOCP的有效，并使功率晶体管4截止(锁存停止)。
技术实现思路
图2是示出电源电压VDD和输出电流IOUT的关系的图。横轴的VMIN、VMAX是保证工作范围的最低电压以及最大电压。图中，示出三条线(i)、(ii)、(iii)。为了简便，考虑功率晶体管4全导通的状态时，则...
【技术保护点】
1.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：/n输出端子，应与负载连接；/n高侧晶体管，是源极与电源线连接、漏极与所述输出端子连接的PMOS晶体管；/n第一过流保护电路，将与流经所述高侧晶体管的电流相应的第一电流检测信号和与所述电源线的电源电压具有正相关性的第一阈值相比较，生成表示比较结果的第一过电流保护信号；以及/n驱动电路，根据所述第一过电流保护信号，使所述高侧晶体管变为截止。/n
【技术特征摘要】
20180528 JP 2018-1012421.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：
输出端子，应与负载连接；
高侧晶体管，是源极与电源线连接、漏极与所述输出端子连接的PMOS晶体管；
第一过流保护电路，将与流经所述高侧晶体管的电流相应的第一电流检测信号和与所述电源线的电源电压具有正相关性的第一阈值相比较，生成表示比较结果的第一过电流保护信号；以及
驱动电路，根据所述第一过电流保护信号，使所述高侧晶体管变为截止。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值相对于所述电源电压呈线性变化。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值相对于所述电源电压的倾斜度与保证工作区域的上限的倾斜度相等、或大于保证工作区域的上限的倾斜度。
4.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值相对于所述电源电压的倾斜度与所述输出端子对地短路时的负载线的倾斜度相等、或小于所述输出端子对地短路时的负载线的倾斜度。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值具有负的温度系数。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一过电流保护电路包括：
复制晶体管，栅极被与所述高侧晶体管的栅极共通地连接；以及
比较电路，将基于流经所述复制晶体管的电流的所述第一电流检测信号与所述第一阈值相比较。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述比较电路包括：
第一电阻，
第二电阻，设置在所述复制晶体管和所述电源线之间，
电流镜电路，将所述第一电阻及所述第二电阻作为源极/发射极负载，
第一电流源，与所述电流镜电路的输入相连接，以及
第二电流源，与所述电流镜...
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