一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法技术

一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法，将金属钒原材料与掺杂元素按预定比例配比，将配比好的原材料用熔炼等方法制成均匀的掺杂的钒块体，然后切成薄片，采用电流加热的热氧化法，在掺杂的钒片表面生成近矩形截面的、中空的、直立于掺杂的钒片表面的掺杂的二氧化钒微米管阵列。本发明专利技术的优点是：掺杂方法简单易行、成本低廉、对设备要求低、周期短，利于工业化实现。通过该掺杂方法能有效的调节二氧化钒微米管阵列的相变温度，有利于将二氧化钒晶体优异的相变性能应用于红外探测器、热致变色、热能管理等领域。

A preparation method of Doped Vanadium Dioxide microtube array

A preparation method of Doped Vanadium Dioxide microtubule array, in which the raw materials of metal vanadium and doped elements are proportioned according to the predetermined proportion, and the raw materials with good proportioning are made into uniform Doped Vanadium blocks by smelting and other methods, and then cut into thin pieces, and the hot oxidation method of current heating is used to generate near rectangular cross section, hollow and vertical on the surface of Doped Vanadium sheets Doped Vanadium Dioxide microtube array. The invention has the advantages of simple and easy doping method, low cost, low requirements for equipment, short period and industrial realization. The doping method can effectively adjust the phase transition temperature of the vanadium dioxide microtube array, which is conducive to the application of the excellent phase transition performance of the vanadium dioxide crystal in the fields of infrared detector, thermochromism, thermal management, etc.

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法
本专利技术涉及一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法，具体涉及一种将金属钒与掺杂元素的原材料按预定比例配比，再利用熔炼等方法将掺杂元素与钒均匀混合成块体，将块体切成薄片，采用电流加热的热氧化法等方法使得掺杂的钒片表面氧化，钒氧化物在高温时液化，经冷却结晶生成近矩形截面的、中空的、直立于掺杂的钒片表面的掺杂的二氧化钒微米管阵列。
技术介绍
二氧化钒是一种具有热致相变特性的功能材料，它的相变温度为68摄氏度，在此温度下发生高温金属相和低温绝缘体相的可逆相变。二氧化钒的相变温度比其他钒的氧化物最接近室温，因此成为近几年的主流研究对象。但是此温度与室温还是有一定差距，所以，如何进一步降低相变温度并保持良好的相变性能是目前的研究热点。对二氧化钒进行掺杂是一种能降低相变温度的有效手段，但是，从目前的研究现状来看有两大不足：一是目前的制备掺杂的二氧化钒的工艺复杂、时间长、成本高、不易实施工业化生产；二是虽有文献报道将掺杂的二氧化钒的相变温度降低到了28摄氏度，但是二氧化钒的相变吸热峰和放热峰强度明显削弱，使得相变性能劣本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法，其特征在于：/n步骤一：按一定的质量比称取金属钒和掺杂元素的小颗粒原材料；/n步骤二：采用熔炼等方法将掺杂元素与钒均匀的混合成块体；/n步骤三：将所制成的块体切割为长20毫米、宽3毫米、厚0.2毫米的掺杂的钒片；/n步骤四：在室温的空气中，采用电流加热的方法将掺杂的钒片加热到1100～1900摄氏度，保持10～20秒；/n步骤五：停止加热，使掺杂的钒片自然冷却到室温，即在掺杂的钒片表面得到近矩形截面的、中空的、直立于掺杂的钒片表面的掺杂的二氧化钒微米管阵列。/n

【技术特征摘要】
1.一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法，其特征在于：
步骤一：按一定的质量比称取金属钒和掺杂元素的小颗粒原材料；
步骤二：采用熔炼等方法将掺杂元素与钒均匀的混合成块体；
步骤三：将所制成的块体切割为长20毫米、宽3毫米、厚0.2毫米的掺杂的钒片；
步骤四：在室温的空气中，采用电流加热的方法将掺杂的钒片加热到1100～1900摄氏度，保持10～20秒；
步骤五：停止加热，使掺杂的钒片自然冷却到室温，即在掺杂的钒片表面得到近矩形截面的、中空的、直立于掺杂的钒片表面的掺杂的二氧化钒微米管阵列。


2.根据权利要求1所述掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法，其特征在于：将金属钒与掺杂元素的原材料按一定的质量比来进行配比。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵春旺，李子剑，
申请(专利权)人：上海海事大学，
类型：发明
国别省市：上海;31