The invention discloses a method for depositing and preparing a film and a coating machine, the method comprises: preparing a substrate; in the process of sputtering and depositing a metal film on the surface of the substrate with a sputtering ion source, bombarding the metal film with an auxiliary ion source to enhance the surface mobility of the metal film atoms and improve the compactness of the metal film. The method and the coater provided by the invention solve the technical problem that it is difficult to prepare the metal film with high thickness and high density in the existing metal film preparation scheme, and provide a method and the coater for generating the metal film with high thickness and high density.
【技术实现步骤摘要】
一种沉积制备膜的方法及镀膜机
本专利技术涉及金属膜制备
，尤其涉及一种沉积制备膜的方法及镀膜机。
技术介绍
金属膜在半导体器件及光学器件中均有较多的应用，其主要用途有用来改变光线的路径或接受光信号，例如，发射式望远镜、高效率发光二极管或太空卫星反射镜等。当前，金属膜的主要制备方法有:电子枪蒸镀技术和离子束溅射镀膜技术，其中，传统的电子枪蒸镀技术所得到的是柱状微观结构的薄膜，其堆积密度在室温下大约在0.7左右、薄膜内柱状结构的孔隙在大气中会吸附水汽，从而改变原来的折射率与光学厚度而影响光学薄膜稳定性，可见，金属薄膜密度越高光学稳定性越好。而常规的离子束溅射镀膜技术，以铝膜制备为例，是利用Ar离子源产生的高能离子束轰击置于高真空中的铝靶材，使其靶材原子溅射出来，并在基底表面重新组合形成薄膜，通过离子束溅射镀膜可制备较高密度的金属膜。然而，当需要制备较厚的高密度金属膜时，由于金属膜与衬底之间的结合力往往不够，即使采用离子束溅射镀膜技术，也会存在内应力大容易开裂的问题，故很难制备高密度和高厚度要求的金属膜。
【技术保护点】
1.一种沉积制备膜的方法，其特征在于，包括：/n准备基体；/n采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜，其中，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用辅助离子源轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。/n
【技术特征摘要】
1.一种沉积制备膜的方法，其特征在于，包括：
准备基体；
采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜，其中，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用辅助离子源轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜为铝膜。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中：
所述溅射离子源的离子束溅射能量为10～1000eV，溅射角为0～90°，沉积角为10～90°；
溅射环境的工作气压为1.0×10-2～5×10-2Pa，所述基体的温度为20～500℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中:
所述溅射离子源的束径为50～150mm，离子能量为100～1000eV，束流密度为0.1～0.9mA/cm2；
所述辅助离子源的束径为50～100mm，离子能量为200～700eV，束流密度为0.2～0.6mA/cm2。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，还包括：
采用所述辅助离子源，通过离子束轰击清洗所述基体表面。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述轰击清洗所述基体表面，包括：
轰击清洗所述基体表面的时间为1～20min。
7.如权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，在所述采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，还包括：
抽取真空，使所述基体、所述溅射...
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