The invention discloses a method for producing sapphire by doping graphene, which comprises the following steps: step \u2460: mixing alumina powder and graphene powder evenly into mixture a for use; step \u2461: mixing graphene powder and potassium fluoride powder evenly into mixture B for use; step \u2462: burning mixture a into cake after dry pressing; step \u2463: putting cake into crystal growth For each layer of cake, place a layer of mixture B; step \u2464: heat up the mixture to form a solution under vacuum state, and then heat preservation, power reduction, stirring until the impurity layer disappears; step \u2465: lead crystal; step \u2466: crystal growth; step \u2467: annealing, natural cooling, and furnace opening to take crystal. The graphene doped sapphire material has better high temperature strength, wider dielectric constant adjustment range and smaller dielectric loss compared with the ordinary sapphire material, and is a good new microwave window material.
【技术实现步骤摘要】
一种蓝宝石及石墨烯掺杂生成蓝宝石的方法
本专利技术属于蓝宝石制备领域，具体涉及一种蓝宝石及石墨烯掺杂生成蓝宝石的方法。
技术介绍
蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成，其晶体结构为六方晶格结构。由于蓝宝石具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高(2045℃)等特点，因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓外延层(GaN)的材料品质，而氮化镓外延层品质则与所使用的蓝宝石衬底表面加工品质息息相关。由于蓝宝石(单晶Al2O3)c面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合GaN外延制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料。蓝宝石晶体材料的生长方法目前已有很多种，主要有：泡生法(即Kyropolos法，简称KY法)、导模法(即edgedefinedfilm-fedgrowthtechniques法，简称EFG法)、热交换法(即heatexchangemethod法，简称HEM法)、提拉法...
【技术保护点】
1.一种蓝宝石，其特征在于：该蓝宝石由氧化铝和石墨烯生成。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种蓝宝石，其特征在于：该蓝宝石由氧化铝和石墨烯生成。
2.一种石墨烯掺杂生成蓝宝石的方法，包括以下步骤：
步骤①：将氧化铝粉料和石墨烯粉料混合均匀成混合料A待用；
步骤②：将石墨烯粉料和氟化钾粉料混合均匀成混合料B待用；
步骤③：将混合料A干压成型后烧结成饼料；
步骤④：将饼料放入晶体生长装置，每层饼料上放置一层混合料B；
步骤⑤：真空状态下升温化料成溶体，然后保温、降功率、搅拌至杂质层消失；
步骤⑥：引晶；
步骤⑦：晶体生长；
步骤⑧：退火、自然冷却、开炉取晶体。
3.根据权利要求2所述的石墨烯掺杂生成蓝宝石的方法，其特征在于：所述步骤①中，石墨烯粉料重量≦0.1％氧化铝粉料重量。
4.根据权利要求3所述的石墨烯掺杂生成蓝宝石的方法，其特征在于：所述石墨烯为单层的石墨烯，该石墨烯粒度≦1微米。
5.根据权利要求2-4任一所述的石墨烯掺杂生成蓝宝石的方法，其特征在于：所述步骤②中，石墨烯粉料和氟化钾重量比为1:1。
技术研发人员：承刚，卢铁成，齐建起，黄旭，魏念，石彦立，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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