The invention discloses a double s \u2011 pin solid-state plasma structure and a slot antenna adopting the structure, which comprises a substrate substrate, an insulating layer and a solid-state plasma area arranged successively from bottom to top. The solid-state plasma area comprises two mutually symmetrical pin structures composed of heavily doped P + area, heavily doped n + area and intrinsic layer I area. A positive metal is laid above each heavily doped P + area A negative metal electrode is arranged above each heavily doped n + region. In the invention, two heavily doped n + regions are located on both sides of the heavily doped P + region, reducing the number of heavily doped P + regions, expanding the length of the intrinsic layer I region, and correspondingly reducing the number of positive metal electrodes, simplifying the feeding network.
【技术实现步骤摘要】
双S-PIN固态等离子体结构及采用该结构的缝隙天线
本专利技术属于天线和半导体工艺领域,尤其涉及一种双S-PIN固态等离子体结构及采用该结构的缝隙天线。
技术介绍
随着科学技术的日新月异,人们对无线通信要求越来越高。一方面人们希望提高无线通信的容量、增加整个系统的功能,另一方面又希望降低成本。因此,这也对其中关键部分的天线系统的性能要求越来越高。缝隙天线具有体积小、剖面低、重量轻、成本低、加工容易以及易于实现宽带、多频以及圆极化工作等众多的优点。同时再结合通信系统的小型化、轻型化的发展趋势和需求,缝隙天线在移动通信领域的应用具有很强的吸引力。固态等离子体可采用电或光激励的形式在半导体本征层形成的,当形成的固态等离子体内载流子浓度达到一定值时,其电导性可与金属相比拟。固态等离子体天线是使用固态等离子体来构成天线的辐射体以及馈电网络。当未激发成固态等离子体时,其就是半导体材料表现出介质的特性;而当激励成固态等离子体时,其类金属特性发挥作用。在对采用半导体材料制作的PIN管两端施加激励电压,可在I区产生固态等离子体。利用PIN单元构造的固态等离子体可重构天线,具有工作频段切换灵活、辐射方向范围宽、良好的隐身特性、与微电子工艺兼容、可同时实现频率与方向图重构等众多优势,是实现天线小型化和提升雷达与通信系统性能的有效技术途径,已经成为了国内外的研究热点。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的第一目的是提供一种可减少重掺杂P+区数量或减少重掺杂N+区数量从而扩大本征层I区长度的双S-PIN ...
【技术保护点】
1.一种双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:包括自下而上依次设置的衬底基板(1)、绝缘层(2)和固态等离子体区,该固态等离子体区包括由重掺杂P+区(3)、重掺杂N+区(4)和本征层I区(5)构成的2个相互对称的PIN结构,每一重掺杂P+区(3)上方铺设有一正极金属电极(6),每一重掺杂N+区(4)上方铺设有一负极金属电极(7)。/n
【技术特征摘要】
1.一种双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:包括自下而上依次设置的衬底基板(1)、绝缘层(2)和固态等离子体区,该固态等离子体区包括由重掺杂P+区(3)、重掺杂N+区(4)和本征层I区(5)构成的2个相互对称的PIN结构,每一重掺杂P+区(3)上方铺设有一正极金属电极(6),每一重掺杂N+区(4)上方铺设有一负极金属电极(7)。
2.根据权利要求1所述的双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:所述重掺杂N+区(4)为2个,对称分布于重掺杂P+区(3)两侧,重掺杂P+区(3)和重掺杂N+区(4)之间隔有本征层I区(5)。
3.根据权利要求1所述的双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:所述重掺杂P+区(3)为2个,对称分布于重掺杂N+区(4)两侧,重掺杂P+区(3)和重掺杂N+区(4)之间隔有本征层I区(5)。
4.根据权利要求1所述的双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:所述负极金属电极(7)通过金属化过孔或与金属地板相接触进行接地。
5.根据权利要求1所述的双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:所述衬底基板(1)为硅衬底。
6.根据权利要求1所述的双S-PIN固态等离子体结构,其特征在于:所述绝缘层(2)为SiO2层。
7.根据权利要求1所述的双S-PIN固态等离...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘少斌,徐岩,周永刚,陈鑫,
申请(专利权)人:南京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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