The present application relates to an integrated assembly and a method for forming an integrated assembly. Some embodiments include an integrated assembly including an insulating block having a first region adjacent to the second region. Compared with the second region, the first region has one or more inert gap elements incorporated into it. Some embodiments include an integrated assembly having a channel material column extending vertically and a memory unit along the channel material column. The conductive structure is under the channel material column. The conductive structure comprises a doped semiconductor material in direct contact with the bottom area of the channel material column. The insulating block is along the bottom area of the channel material column. The insulating block has an upper region above the lower region. Compared with the upper region, the lower region has one or more inert gap elements incorporated into it. Some embodiments include a method of forming an integrated assembly.
【技术实现步骤摘要】
集成式组合件和形成集成式组合件的方法
本专利技术涉及集成式组合件(例如，三维NAND)和形成集成式组合件的方法。
技术介绍
存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为所述快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。NAND可为闪存存储器的基本架构，且可被配置成包括竖直堆叠的存储器单元。在具体地描述NAND之前，可能有帮助的是更一般地描述集成式布置内的存储器阵列的关系。图1示出包含以下各项的现有技术装置1000的框图：存储器阵列1002，其具有布置成行和列的多个存储器单元1003；以及存取线1004(例如，用以传导信号WL0到WLm的字线)；和第一数据线1006(例如，用以传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004和第一数据线1006可用于传送来往于存储器单元1003的信息。行解码器1007和列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A0到AX以确定将存取存储器单元1003中的哪些存储器单元。感应放大器电路1015操作以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O)线1005之间传送信息的值。I/O线1005上的...
【技术保护点】
1.一种集成式组合件，其包括绝缘块体；所述绝缘块体具有与第二区域相邻的第一区域；所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。/n
【技术特征摘要】
20180516 US 15/980,9081.一种集成式组合件，其包括绝缘块体；所述绝缘块体具有与第二区域相邻的第一区域；所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。
2.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述绝缘块体包括跨所述第一和第二区域延伸的单一绝缘组成物；其中所述一或多种惰性间隙元素分散于所述第一区域内的所述绝缘组成物内。
3.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述绝缘块体包括两种或更多种不同的绝缘组成物；其中所述一或多种惰性间隙元素分散于所述第一区域内的所述绝缘组成物中的至少一种内。
4.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第二区域具有并入其中的约0原子百分比的所述一或多种惰性间隙元素。
5.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第二区域具有并入其中的大于0原子百分比的所述一或多种惰性间隙元素。
6.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中并入于所述第二区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约0原子百分比到小于或等于约2原子百分比的范围内。
7.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中并入于所述第二区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约0原子百分比到小于或等于约0.5原子百分比的范围内。
8.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一区域具有并入其中的至少约1原子百分比的所述一或多种惰性间隙元素。
9.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中并入于所述第一区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约1原子百分比到小于或等于约10原子百分比的范围内。
10.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中并入于所述第一区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约1原子百分比到小于或等于约5原子百分比的范围内。
11.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中并入于所述第一区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约1原子百分比到小于或等于约3原子百分比的范围内。
12.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述一或多种惰性间隙元素选自由以下组成的群组：氩、氙、氪、氦、氖和其混合物。
13.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述绝缘块体包含氮化硅和碳化硅中的一个或两个。
14.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述绝缘块体包含一或多种绝缘氧化物。
15.根据权利要求14所述的集成式组合件，其中所述一或多种绝缘氧化物包含氧化镁、氧化钪、氧化钇、二氧化铪、氧化铝、氧化锆、氧化铈、三氧化钛、氧化钽和镧系元素的氧化物中的至少一种。
16.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第二区域在所述第一区域上方。
17.一种集成式组合件，其包括：
竖直延伸的沟道材料柱；
存储器单元，其沿着所述沟道材料柱；
导电结构，其在所述沟道材料柱下方并且包括与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的导电区域；和
绝缘块体，其沿着所述沟道材料柱的所述底部区域；所述绝缘块体具有在下部区域上方的上部区域；所述绝缘块体的所述下部区域与所述绝缘块体的所述上部区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。
18.根据权利要求17所述的集成式组合件，其中所述导电区域包括掺杂半导体材料。
19.根据权利要求17所述的集成式组合件，其中所述上部区域和下部区域两者包括相同的绝缘组成物。
20.根据权利要求17所述的集成式组合件，其中所述上部区域和下部区域包括相对于彼此不同的绝缘组成物。
21.根据权利要求17所述的集成式组合件，其中所述一或多种惰性间隙元素选自由以下组成的群组：氩、氙、氪、氦、氖和其混合物。
22.根据权利要求17所述的集成式组合件，其中并入于所述上部区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约0原子百分比到小于或等于约2原子百分比的范围内；且其中并入于所述下部区域内的所述一或多种惰性间隙元素的量在从约1原子百分比到小于或等于约10原子百分比的范围内。
23.根据权利要求17所述的集成式组合件，其中所述绝缘块体包含一或多种绝缘氧化物，其中所述一或多种绝缘氧化物包含氧化镁、氧化钪、氧化钇、二氧化铪、氧化铝、氧化锆、氧化铈、三氧化钛、氧化钽和镧...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·比林斯利，E·A·麦克蒂尔，C·W·佩茨，李浩宇，J·M·梅尔德里姆，Y·J·胡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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