一种基于阴离子交换半透明钙钛矿薄膜的制备方法及其光电应用技术

技术编号:22596628 阅读:52 留言:0更新日期:2019-11-20 12:01
本发明专利技术提供了一种基于阴离子交换半透明钙钛矿薄膜的制备方法及其光电应用。该方法操作简单、重复性好,所制备的钙钛矿薄膜具有良好的透明性、均一性,同时具有良好光电性质以及高达7.22%的半透明钙钛矿太阳能电池光电转换效率。通过本发明专利技术提供的制备方法所获得的半透明钙钛矿薄膜有望在透明钙钛矿太阳能电池、叠层钙钛矿太阳能电池等光电半导体器件领域获得广泛应用。

Preparation method and photoelectric application of semitransparent perovskite film based on anion exchange

The invention provides a preparation method based on anion exchange translucent perovskite film and photoelectric application thereof. The method is simple and repeatable. The perovskite thin film has good transparency and homogeneity, good photoelectric properties and up to 7.22% photoelectric conversion efficiency of translucent perovskite solar cells. The semitransparent perovskite film obtained by the preparation method provided by the invention is expected to be widely used in the fields of transparent perovskite solar cells, laminated perovskite solar cells and other photoelectric semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
一种基于阴离子交换半透明钙钛矿薄膜的制备方法及其光电应用
本专利技术为一种基于阴离子交换半透明钙钛矿薄膜的制备方法及其光电领域的应用。
技术介绍
清洁能源的开发是未来人类社会低碳经济与可持续发展的基础,而发展低成本、高性能的光电转换技术是实现这一目标的关键之一。金属卤化物钙钛矿兼具有机和无机材料在光电性质、溶程加工、低温处理等方面的优势,在光电领域展现出巨大的应用潜力。2013年,《科学》杂志将钙钛矿太阳电池评选为年度十大科技突破之一。经过短短几年的发展,钙钛矿太阳电池的器件效率已突破24.2%,成为一种有望进一步降低光伏发电价格的新型光伏体系。钙钛矿材料的优势还在于可以通过调控钙钛矿的组成结构结合使用透明电极,实现半透明器件的制备,这在光伏建筑一体化如屋顶、智能窗、温室等方面有极大的应用前景。目前基于CH3NH3PbBr3-xClx(x=0-3)的钙钛矿太阳能电池尽管光电转换效率不高(CH3NH3PbBr3钙钛矿太阳能电池最高光电转化效率10.4%),但由于其带隙较宽,使其具有半透明性、高开路电压等优点,使其成为制备半透明或透明钙钛矿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于阴离子交换半透明钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述的制备方法如下:/n1)在带有导电层的透明基底层上,制备透明或半透明的传输层材料;/n2)在传输层材料上,制备不透明的钙钛矿层(ABX

【技术特征摘要】
1.一种基于阴离子交换半透明钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述的制备方法如下:
1)在带有导电层的透明基底层上,制备透明或半透明的传输层材料;
2)在传输层材料上,制备不透明的钙钛矿层(ABX3);
3)将不透明的钙钛矿层,浸泡于离子交换溶液中,进行离子交换,后取出加热干燥,通过控制离子交换的反应时间,获得不同透光度的半透明钙钛矿薄膜。


2.根据权利要求1所述的透明基底层是玻璃基底或塑料;所述的塑料是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰亚胺、三乙酰基纤维素或聚醚砜其中的任意一种。


3.根据权利要求1所述的导电层锡基氧化物(如氟掺杂氧化锡)、铟基氧化物(如锡掺杂氧化铟)、锌基氧化物(如铝掺杂氧化锌)、碳基(如石墨烯、碳纳米管、聚苯胺、聚吡咯)透明透体中的任意一种或多种构成。


4.根据权利要求1所述的传输层材料为以下一种或多种电子传输层材料或空穴传输层材料。其中电子传输层材料包括掺杂或未掺杂的无机电子传输层材料(如TiO2、SnO2、ZnO、Zn2SnO4、Cs2CO3、BaTiO3、SrTiO3、MgTiO3、BaSnO3或CdS)和掺杂或未掺杂的有机电子传输层材料(如富勒烯及衍生物、非富勒烯电...

【专利技术属性】
技术研发人员:秦天石王芳芳刘有
申请(专利权)人:南京工业大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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