The invention discloses a method for on-line calibration of NAND FLASH read reference voltage in SSD. The method fully considers the NAND flash characteristics, utilizes the offset read method, and improves the stability of data through on-line scanning of NAND flash reference voltage without affecting the data content. Considering the influence of online calibration on SSD performance, this method sets the number of offset reads. When the number of reads reaches the set value and there is still a verification error, the block data is moved to a new block.
【技术实现步骤摘要】
一种SSD中在线校准NANDFlash读参考电压的方法
本专利技术涉及一种NANDFlash读参考电压的校准方法，具体是在一种SSD中在线校准NANDFlash读参考电压的方法，属于存储器
技术介绍
目前SSD通常使用NANDFlash做为存储介质，然而NANDFlash本身的物理结构特点决定了它带有天然的不稳定性。在NANDFlash读取过程中有概率会发生数据错误，并且随着NANDFlash工艺和类型的发展，错误的概率呈现上升趋势，所以如今NANDFlash需要的ECC算法的纠错能力越来越强。但是ECC算法已经是一种成熟的算法并且SSD中ECC算法几乎全部为硬件实现，通过改进ECC算法降低NANDFlash出错概率的空间较小。读参考电压也是影响NANDFlash出错概率的一个因素，读参考电压是在NANDFlash读取过程中施加在NANDFlashCell的ControlGate上的一个判断当前Cell是否导通的电压。若读参考电压不合适，也会影响数据发生错误的概率。NANDFlash特性决定了一个读参考电压...
【技术保护点】
1.一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、将NAND Flash某一block的所有字线分为M组，然后从每个字线组分别选取N个字线进行校准电压采样，M、N为大于1的正整数；S02）、分别选取选中字线对应的Lower Page、Middle Page、Upper Page，从DDR中获取当前page对应的参考电压V
【技术特征摘要】
1.一种SSD中在线校准NANDFlash读参考电压的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、将NANDFlash某一block的所有字线分为M组，然后从每个字线组分别选取N个字线进行校准电压采样，M、N为大于1的正整数；S02）、分别选取选中字线对应的LowerPage、MiddlePage、UpperPage，从DDR中获取当前page对应的参考电压Vref，然后以Vref所在地址D（Vref）为基点依次进行偏移读取，偏移间隔设为Doffset；S03）、对每次偏移读取的数据都进行ECC校验，记录每次偏移读取的校验错误率E(n)；S04）、比较记录的所有E(n)，找出最小值和最小值对应的偏移量，将最小E(n)对应的D（Vref）+Doffset(n)保存到DDR中对应位置，Doffset(n)为偏移间隔与偏移次数的乘积。
2.根据权利要求1所述的SSD中在线校准NANDFlash读参考电压的方法，其特征在于：在进行步骤S02之前，将偏移读取的次数设置为...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，王璞，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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