当前位置: 首页 > 专利查询>何林专利>正文

非接触式感应测电笔制造技术

技术编号:22593550 阅读:159 留言:0更新日期:2019-11-20 10:31
本发明专利技术公开了一种非接触式感应测电笔,其特征包括:4.5V直流电源、微电压检测和晶体管四级复合放大电路、声光电路。传统试电笔的试电探头必须直接接触带电金属体,使试电笔构成完整回路才能正常工作。本发明专利技术所述的非接触式感应测电笔则不需要直接接触带电物体即可正常工作,带电体可以是金属,也可以是带有静电的物体或非金属体。发明专利技术所述的非接触式感应测电笔既适合于检测80V以下的低电压,也适合于检测220V较高的交流电压,它的作用可完全替代传统电工用的试电笔。

Non contact induction measuring pencil

The invention discloses a non-contact induction measuring pen, which is characterized by a 4.5V DC power supply, a micro voltage detection and transistor four-stage compound amplifying circuit and an acoustooptic circuit. In order to work normally, the probe of the traditional test pen must contact the charged metal body directly. The non-contact induction measuring electric pen of the invention can work normally without directly contacting the charged object, and the charged object can be a metal, an object with static electricity or a non-metal body. The non-contact induction measuring pen is suitable for detecting low voltage below 80V and high AC voltage of 220V. Its function can completely replace the traditional electric testing pen.

【技术实现步骤摘要】
非接触式感应测电笔
本专利技术属于电工技术与电子
,是关于一种非接触式感应测电笔。
技术介绍
常用试电笔构造由测电探头、限流电阻、氖管、金属弹簧和手触电极相互串联组成。测电探头与被测带电金属体接触时,手指必须接触手触电极才能构成回路,当被测金属体相对大地具有较高电压时,氖管启辉,表明被测金属体带电。但在实际上很多用电器金属外壳或金属构件带有一定电压,它对人体不构成触电危险。这种由用电器金属外壳感应产生的较低电压,一般电工用的试电笔不能识别低于80V的交流电压,这给判断用电器金属外壳是否漏电受到很大的局限。另外,通常用试电笔去测试火线时,手指摸着试电笔的手触电极,总感觉很危险,且测火线时还需要将测电探头伸到插座孔中,总是感觉不安全。那么有什么方法能迅速判断出哪根是火线哪根是零线呢,而且测电探头不需要直接触裸露的电线。本专利技术所述的非接触式感应测电笔,它不仅电路非常简单,而且能实现隔空测试火线,是一种非接触式感应测电方式。本专利技术所述的非接触式感应测电笔既适合于检测80V以下的低电压,也适合于检测电压较高的220V交流电,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非接触式感应测电笔包括4.5V直流电源、微电压检测和晶体管四级复合放大电路、声光电路,其特征在于:/n所述的微电压检测和晶体管四级复合放大电路由感应探头L1、4只NPN型晶体管VT1~VT4和电阻R1~R3组成,感应探头L1的一端接NPN型晶体管VT1的基极,感应探头L1的另一端空置,NPN型晶体管VT1的发射极通过电阻R1接NPN型晶体管VT2的基极,NPN型晶体管VT2的发射极通过电阻R2接NPN型晶体管VT3的基极,NPN型晶体管VT3的发射极通过电阻R3接NPN型晶体管VT4的基极,NPN型晶体管VT1的集电极、NPN型晶体管VT2的集电极和NPN型晶体管VT3的集电极及NPN...

【技术特征摘要】
1.一种非接触式感应测电笔包括4.5V直流电源、微电压检测和晶体管四级复合放大电路、声光电路,其特征在于:
所述的微电压检测和晶体管四级复合放大电路由感应探头L1、4只NPN型晶体管VT1~VT4和电阻R1~R3组成,感应探头L1的一端接NPN型晶体管VT1的基极,感应探头L1的另一端空置,NPN型晶体管VT1的发射极通过电阻R1接NPN型晶体管VT2的基极,NPN型晶体管VT2的发射极通过电阻R2接NPN型晶体管VT3的基极,NPN型晶体管VT3的发射极通过电阻R3接NPN型晶体管VT4的基极,NPN...

【专利技术属性】
技术研发人员:何林
申请(专利权)人:何林
类型:发明
国别省市:安徽;34

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1