一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种形貌可控的Fe、Zn离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法，涉及纳米材料制备技术领域，包括步骤：S100、将二价铜盐和表面活性剂溶解在去离子水中，充分搅拌得到第一溶液；S200、向第一溶液中加入含有Fe

A preparation method of cuprous oxide crystal with controllable morphology and co doping of iron and zinc ions

The invention discloses a preparation method of cuprous oxide crystal Co doped with Fe and Zn ions with controllable morphology, which relates to the technical field of nano material preparation, including steps: S100, dissolving divalent copper salt and surfactant in deionized water, fully stirring to obtain the first solution; S200, adding Fe into the first solution

【技术实现步骤摘要】
一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法
本专利技术涉及纳米材料的制备
，尤其涉及一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法。
技术介绍
Cu2O是一种禁带宽度为2.17eV的p型半导体，有一个很大的激发能140meV，被预测为一种很有前景的基质材料。在过去的这些年来，大量的文献报道了在Cu2O晶体中掺杂金属离子或非金属离子可以使其成为p型或n型半导体。因此，研究掺杂对Cu2O晶体物理、化学性质的影响是非常必要的。由于掺杂离子与Cu+离子的自旋态接近、离子半径相似、在晶体结构中可能占据相同的位置，因此，这些掺杂的离子可以修饰Cu2O晶体的磁学、光学、电学等性质。目前，采用在Cu2O晶体中掺杂过渡态金属离子的方法制备稀磁半导体已经引起了人们的广泛兴趣。已有文献报道的Cu2O纳米棒掺入磁性元素Fe、Co、Ni、Mn元素，Cu2O晶体能从抗磁体转变为铁磁体，而且随着掺杂元素浓度的增加，磁性逐渐增强。Cu2O晶体表现的室温铁磁性不仅与制备方法有关，与掺杂的离子种类也有一定的关系。有关纳米Cu2O掺杂磁性元素的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法，所述方法包括以下步骤：/nS100、将二价铜盐和表面活性剂溶解在去离子水中，充分搅拌得到第一溶液，其中，所述表面活性剂为乙二胺四乙酸；/nS200、向第一溶液中加入含有Fe

【技术特征摘要】
1.一种形貌可控的铁、锌离子共掺杂的氧化亚铜晶体的制备方法，所述方法包括以下步骤：
S100、将二价铜盐和表面活性剂溶解在去离子水中，充分搅拌得到第一溶液，其中，所述表面活性剂为乙二胺四乙酸；
S200、向第一溶液中加入含有Fe3+和Zn2+的溶液，并在室温下搅拌得到第二溶液；
S300、将第二溶液通过碱性溶液和还原剂处理得到初级产物，其中，所述还原剂为葡萄糖溶液；
S400、将初级产物离心、洗涤、干燥得到最终产物Fe、Zn掺杂的磁性氧化亚铜粉末。


2.如权利要求1所述的方法，其中，优选的，步骤S100中所述的二价铜盐为硝酸铜、氯化铜、硫酸铜、乙酸铜中的一种。


3.如权利要求1所述的方法，其中，步骤S200中所述含Fe3+的溶液为硝酸铁、氯化铁、硫酸铁中的一种。


4.如权利要求1所述的方法，其中，步骤S200中所述含Zn2+的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志懋，孔春才，郭健，王书蓓，
申请(专利权)人：西安交通大学，西安交通大学苏州研究院，
类型：发明
国别省市：陕西;61